SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
2N3903RLRM onsemi 2n3903rlrm -
RFQ
 ECAD 1067 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА 2N3903 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 40 200 май - Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 10ma, 1в 250 мг
BCR 555 E6327 Infineon Technologies BCR 555 E6327 -
RFQ
 ECAD 7876 0,00000000 Infineon Technologies Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR 555 330 м PG-SOT23-3-3 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 2,5 май, 50 70 @ 50ma, 5 В 150 мг 2.2 Ком 10 Kohms
PDTA123TU,115 NXP USA Inc. PDTA123TU, 115 0,0200
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PDTA12 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
2N4959 Microchip Technology 2N4959 35,4000
RFQ
 ECAD 9928 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-2N4959 1
2N5684 NTE Electronics, Inc 2N5684 18.5100
RFQ
 ECAD 400 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AE 300 Вт № 204 года (3). СКАХАТА Rohs3 2368-2N5684 Ear99 8541.29.0095 1 80 50 а 1MA Pnp 5V @ 10a, 50a 15 @ 25a, 2v 2 мг
PDTC123TE,115 NXP USA Inc. PDTC123TE, 115 -
RFQ
 ECAD 5072 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-75, SOT-416 PDTC123 150 м SC-75 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 1 мка Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 10 30 @ 20 май, 5в 2.2 Ком
MMBT3906W_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT3906W_R1_00001 0,1600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 MMBT3906 150 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-MMBT3906W_R1_00001DKR Ear99 8541.21.0075 3000 40 200 май 50NA Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 100 @ 10ma, 1в 250 мг
JANSD2N2221AUA Microchip Technology Jansd2n2221aua 150.2006
RFQ
 ECAD 9907 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/255 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 650 м UA - DOSTISH 150-JANSD2N2221AUA 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 40 @ 150 май, 10 В -
JANSP2N2907AUB/TR Microchip Technology Jansp2n2907aub/tr 101.4500
RFQ
 ECAD 4042 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/291 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C. Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 2N2907 500 м Ub - Rohs3 DOSTISH 150-jansp2n2907aub/tr Ear99 8541.21.0095 1 60 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
BDW83B-S Bourns Inc. Bdw83b-s -
RFQ
 ECAD 6627 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 BDW83 3,5 SOT-93 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 300 80 15 а 1MA Npn - дарлино 4 В @ 150 май, 15a 750 @ 6a, 3v -
BC548B Fairchild Semiconductor BC548B 0,0500
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 300 мг
JANSP2N2907A Microchip Technology Jansp2n2907a 99.0906
RFQ
 ECAD 5793 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/291 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 500 м 18-18 (ДО 206AA) - DOSTISH 150-jansp2n2907a 1 60 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
2SC3591 Sanyo 2SC3591 0,8200
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 САНО * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
JANS2N2906AUB Microchip Technology Jans2n2906aub 68.1002
RFQ
 ECAD 8383 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/291 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 2N2906 500 м Ub СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 40 @ 150 май, 10 В -
CJD31C TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CJD31C TR13 PBFREE -
RFQ
 ECAD 5786 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 CJD31 156 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 100 3 а 50 мк Npn 1,2 - @ 375MA, 3A 10 @ 3A, 4V 3 мг
JANTXV2N918 Microchip Technology Jantxv2n918 13.6990
RFQ
 ECAD 5045 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/301 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN CAN BAN 200 м 122 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 15 50 май 1 мка (ICBO) Npn 400 мВ @ 1MA, 10MA 20 @ 3MA, 1V -
PBLS4005D,115 NXP USA Inc. PBLS4005D, 115 0,0700
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PBLS40 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
FMB5551 Fairchild Semiconductor FMB5551 -
RFQ
 ECAD 2585 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FMB55 700 м Supersot ™ -6 СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 1 160В 600 май 50na (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 200 мВ @ 5ma, 50 мая 80 @ 10ma, 5в 300 мг
MCH3431-TL-E-SY Sanyo MCH3431-TL-E-SY 0,1500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 САНО * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8542.39.0001 3000
RN1711,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1711, LF 0,3100
RFQ
 ECAD 1202 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN1711 200 м USV СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 10 Комов -
JANTX2N2906AUA Microchip Technology Jantx2n2906aua 24.7646
RFQ
 ECAD 9287 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/291 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 2N2906 500 м 4-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 40 @ 150 май, 10 В -
JANKCCH2N3499 Microchip Technology Jankcch2n3499 -
RFQ
 ECAD 8804 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/366 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150-jankcch2n3499 100 100 500 май 10 мк (ICBO) Npn 600 мВ @ 30 май, 300 мая 100 @ 150 май, 10 В -
MMBTA05-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBTA05-AU_R1_000A1 0,2400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA05 225 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-MMBTA05-AU_R1_000A1DKR Ear99 8541.21.0075 3000 60 500 май 100NA Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 100 мг
HN1A01FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-Y, LXHF 0,4500
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 HN1A01 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 150 май 100NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 300 мВ @ 10ma, 100 мА 120 @ 2MA, 6V 80 мг
2N2907AUA/TR Microchip Technology 2n2907aua/tr 21.5859
RFQ
 ECAD 2207 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 2N2907 500 м UA - Rohs3 DOSTISH 150-2n2907aua/tr Ear99 8541.21.0095 1 60 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
2SC4047-TB-E onsemi 2SC4047-TB-E 0,0500
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000
PHPT61006NY115 NXP USA Inc. PHPT61006NY115 -
RFQ
 ECAD 1416 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0075 1
2N5151L Microchip Technology 2N5151L 11.7572
RFQ
 ECAD 7849 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА MIL-PRF-19500/545 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N5151 1 Вт TO-5AA СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 80 2 а 50 мк Pnp 1,5 Е @ 500 мА, 5A 30 @ 2,5a, 5в -
BC817-25/DG/B2235 NXP USA Inc. BC817-25/DG/B2235 -
RFQ
 ECAD 4155 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен BC817 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 10000
2SA1434-TB-E onsemi 2SA1434-TB-E 0,2700
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 3000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть