SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
PBSS5350T,215 Nexperia USA Inc. PBSS5350T, 215 0,4900
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS5350 540 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 2 а 100NA (ICBO) Pnp 390MV @ 300MA, 3A 200 @ 1a, 2v 100 мг
CJD41C BK TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CJD41C BK TIN/LEAND -
RFQ
 ECAD 5039 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 1,75 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CJD41CBKTIN/LEAND Ear99 8541.29.0095 150 100 6 а 50 мк Npn 1,5 h @ 600ma, 6a 30 @ 300 май, 4 В 3 мг
FJN4310RTA onsemi Fjn4310rta -
RFQ
 ECAD 5382 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА FJN431 300 м ДО 92-3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 40 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 200 мг 10 Kohms
STBV45 STMicroelectronics STBV45 -
RFQ
 ECAD 5275 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) STBV45 950 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2500 400 750 май 250 мк Npn 1,5 Е @ 135 май, 400 марок 5 @ 400 май, 5в -
MMBT5551 Good-Ark Semiconductor MMBT5551 0,1200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ХOroShyй poluprovowodonyk - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0080 3000 160 600 май 50na (ICBO) Npn 200 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 5 В 300 мг
2N4033UB/TR Microchip Technology 2N4033UB/TR 16.5718
RFQ
 ECAD 4105 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 500 м Ub - Rohs3 DOSTISH 150-2N4033UB/tr Ear99 8541.21.0095 1 80 1 а 10 мк (ICBO) Pnp 1V @ 100ma, 1a 100 @ 100ma, 5 В -
BCW30,215 NXP Semiconductors BCW30,215 -
RFQ
 ECAD 2289 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 - 0000.00.0000 1 32 100 май 100NA (ICBO) Pnp 150 мв 2,5 май, 50 мав 215 @ 2ma, 5V 100 мг
CA3045X Harris Corporation CA3045X -
RFQ
 ECAD 9970 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN * МАССА Актифен CA3045 - Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 29
2SAR523V1T2L Rohm Semiconductor 2SAR523V1T2L -
RFQ
 ECAD 8347 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 8000 - - - - -
DXTN5840CFDB-7 Diodes Incorporated DXTN5840CFDB-7 0,5300
RFQ
 ECAD 6150 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o 690 м U-dfn2020-3 (typ b) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 5 а 100NA Npn 350 мВ @ 30ma, 3a 200 @ 1a, 2v 150 мг
MMBT5551-AQ Diotec Semiconductor MMBT5551-AQ 0,0350
RFQ
 ECAD 6051 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2796-MMBT5551-AQTR 8541.21.0000 3000 160 600 май 50na (ICBO) Npn 200 мВ @ 5ma, 50 мая 80 @ 10ma, 5в
PDTC143ZMB,315 NXP Semiconductors PDTC143ZMB, 315 0,0300
RFQ
 ECAD 126 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PDTC143ZMB, 315-954 1
FJP13007TU Fairchild Semiconductor FJP13007TU -
RFQ
 ECAD 4685 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 80 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 400 8 а - Npn 3v @ 2a, 8a 8 @ 2a, 5v 4 мг
PUMB2/DG/B3,115 Nexperia USA Inc. PUMB2/DG/B3,115 -
RFQ
 ECAD 6023 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 PUMB2 300 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 93406957115 Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 1 мка 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 150 мв 500 мк, 10 80 @ 5ma, 5в 180 мг 47komm 47komm
TIP32 Solid State Inc. TIP32 0,5000
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 40 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-TIP32 Ear99 8541.10.0080 50 40 3 а 300 мк Pnp 1,2 - @ 375MA, 3A 25 @ 1a, 4v 3 мг
2N3250A Microchip Technology 2N3250A 11.5976
RFQ
 ECAD 9596 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N3250 360 м TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 200 май 10 мк (ICBO) Pnp 500 мВ @ 5ma, 50 ма 50 @ 10ma, 1в -
DSA7004R0L Panasonic Electronic Components DSA7004R0L -
RFQ
 ECAD 3559 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 150 ° C (TJ) Пефер 243а DSA7004 1 Вт Minip3-f2-b СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 50 2 а 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 50ma, 1a 120 @ 200ma, 2V 120 мг
MSC80205 Microsemi Corporation MSC80205 -
RFQ
 ECAD 6834 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
2N3420 Microchip Technology 2N3420 18.3939
RFQ
 ECAD 3642 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N3420 1 Вт По 5 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 60 3 а 5 Мка Npn 500 мВ 200 май, 2а 40 @ 1a, 2v -
DSA750300L Panasonic Electronic Components DSA750300L -
RFQ
 ECAD 2742 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 150 ° C (TJ) Пефер 243а DSA7503 1 Вт Minip3-f2-b - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 20 1 а 1 мка (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50ma, 1a 130 @ 500ma, 2V 200 мг
JANSM2N2222AL Microchip Technology Jansm2n2222al 98.5102
RFQ
 ECAD 7719 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/255 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 500 м 18-18 (ДО 206AA) - DOSTISH 150-JANSM2N222222AL 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
DRA5115E0L Panasonic Electronic Components DRA5115E0L -
RFQ
 ECAD 2330 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SC-85 DRA5115 150 м Smini3-F2-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В 100 км 100 км
ABC857CW-HF Comchip Technology ABC857CW-HF 0,0800
RFQ
 ECAD 7806 0,00000000 Комхип - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 ABC857 200 м SOT-323 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 641-ABC857CW-HFTR Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 250 мг
BC857BW_R1_00001 Panjit International Inc. BC857BW_R1_00001 0,1900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC857 250 м SOT-323 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-BC857BW_R1_00001DKR Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 200 мг
PUMT1,115 NXP USA Inc. Pumt1,115 0,0300
RFQ
 ECAD 270 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен Pumt1 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
BU407-S Bourns Inc. BU407-S. -
RFQ
 ECAD 9197 0,00000000 Bourns Inc. - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BU407 60 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 20 000 140 7 а 5 май Npn 1V @ 500 май, 5а 12 @ 4a, 10 В 6 мг
PBSS4021SP NXP USA Inc. PBSS4021Sp -
RFQ
 ECAD 5446 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1
BUW41B Harris Corporation BUW41B 0,8000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 100 y ДО-220AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 400 8 а 100 мк Npn 2v @ 4a, 8a 10 @ 5a, 3v 60 мг
BC558_J35Z onsemi BC558_J35Z -
RFQ
 ECAD 2762 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC558 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 150 мг
JANSR2N2905AL Microchip Technology Jansr2n2905al 99.0906
RFQ
 ECAD 5773 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/290 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 600 м TO-5AA - DOSTISH 150-jansr2n2905al 1 60 600 май 1 мка Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть