SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
MPS2222 onsemi MPS2222 -
RFQ
ECAD 9789 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА MPS222 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH MPS222222OS Ear99 8541.21.0075 5000 30 600 май 10NA (ICBO) Npn 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 250 мг
FJN3305RTA Fairchild Semiconductor Fjn3305rta 1.0000
RFQ
ECAD 2055 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА FJN330 300 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 4.7 Kohms 10 Kohms
DDTA114WKA-7-F Diodes Incorporated DDTA114WKA-7-F -
RFQ
ECAD 8805 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA114 200 м SC-59-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 24 @ 10ma, 5 В 250 мг 10 Kohms 4.7 Kohms
BC 807-25 B5003 Infineon Technologies BC 807-25 B5003 -
RFQ
ECAD 6186 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC 807 330 м PG-SOT23 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 200 мг
MJE521 onsemi MJE521 -
RFQ
ECAD 2640 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 MJE521 40 126 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 40 4 а 100 мк (ICBO) Npn - 40 @ 1a, 1v -
FMMTA06TA Diodes Incorporated Fmmta06ta -
RFQ
ECAD 7726 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Fmmta06 330 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 80 500 май 100NA Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 50 @ 10ma, 1в 100 мг
2SC2235-O(T6FJT,FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-O (T6FJT, FM -
RFQ
ECAD 6710 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC2235 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 120 800 млн 100NA (ICBO) Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 80 @ 100ma, 5 120 мг
BC55PA,115 Nexperia USA Inc. BC55PA, 115 0,4000
RFQ
ECAD 14 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o BC55 420 м DFN2020D-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 60 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 180 мг
XN0150900L Panasonic Electronic Components XN0150900L 0,2400
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-74A, SOT-753 XN0150 200 м Mini5-g1 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 50 май 100 мк 2 npn (дВОХАНЕй) 300 мВ @ 1MA, 10MA 200 @ 2ma, 10 В 250 мг
2N5550-AP Micro Commercial Co 2n5550-ap -
RFQ
ECAD 1874 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2N5550 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 2000 140 600 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 5ma, 50 ма 60 @ 10ma, 5 В 300 мг
2N6432 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N6432 PBFREE 4.2300
RFQ
ECAD 6144 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 2N6432 1,8 18 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 200 100 май 250NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 10ma, 10 В 50 мг
KSB1151YSTSSTU onsemi KSB1151YSTSSTU -
RFQ
ECAD 2248 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 KSB11 1,3 126-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 60 60 5 а 10 мк (ICBO) Pnp 300 мВ 200 май, 2а 160 @ 2a, 1v -
2SC4682,T6CSF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4682, T6CSF (J. -
RFQ
ECAD 7435 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC4682 900 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 15 3 а 1 мка (ICBO) Npn 500 мВ @ 30ma, 3a 800 @ 500 май, 1в 150 мг
FZT605TC Diodes Incorporated FZT605TC 0,2610
RFQ
ECAD 3853 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA FZT605 2 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 120 1,5 а 10 мк Npn - дарлино 1,5 - @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5v 150 мг
64020H Microsemi Corporation 64020H -
RFQ
ECAD 4979 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - Neprigodnnый Управо 0000.00.0000 1
MUN5313DW1T1G onsemi MUN5313DW1T1G 0,2700
RFQ
ECAD 17 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 MUN5313 250 м SC-88/SC70-6/SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В - 47komm 47komm
P2N2907AZL1G onsemi P2N2907azl1g -
RFQ
ECAD 3299 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА P2N290 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 60 600 май 10NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
2SA1980-Y-AP Micro Commercial Co 2SA1980-Y-AP -
RFQ
ECAD 2992 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2SA1980 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 1000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мА 120 @ 2a, 6v 80 мг
KSC2785GTA onsemi KSC2785GTA -
RFQ
ECAD 5010 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO 226-3, DO-92-3 COROTCOE KSC2785 250 м До 92-х Годо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 200 @ 1MA, 6V 300 мг
PMP4501G,135 Nexperia USA Inc. PMP4501G, 135 -
RFQ
ECAD 5782 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 PMP4501 300 м 5-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 100 май 15NA (ICBO) 2 npn (двоуфян) 400 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 250 мг
KSB1116AYTA onsemi KSB1116AYTA -
RFQ
ECAD 2660 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSB11 750 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 60 1 а 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 50ma, 1a 135 @ 100ma, 2v 120 мг
BC857BT,115 NXP USA Inc. BC857BT, 115 -
RFQ
ECAD 3529 0,00000000 NXP USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-75, SOT-416 BC857 150 м SC-75 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 400 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
DDTD113ZU-7-F Diodes Incorporated DDTD113ZU-7-F 0,3300
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DDTD113 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 2,5 май, 50 56 @ 50ma, 5 В 200 мг 1 kohms 10 Kohms
BC68-25PA,115 Nexperia USA Inc. BC68-25PA, 115 0,5000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-Powerfn BC68 420 м 3-Huson (2x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 20 2 а 100NA (ICBO) Npn 600 мВ 200 май, 2а 160 @ 500 май, 1в 170 мг
BD677 onsemi BD677 -
RFQ
ECAD 1891 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 BD677 40 126 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH BD677OS Ear99 8541.29.0095 500 60 4 а 500 мк Npn - дарлино 2,5 -прри 30 май, 1,5а 750 @ 1,5A, 3V -
UNR32AAG0L Panasonic Electronic Components UNR32AAG0L -
RFQ
ECAD 4262 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-723 UNR32 100 м Sssmini3-F2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 10000 50 80 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В 150 мг 100 км 100 км
NE67739-A CEL NE67739-A -
RFQ
ECAD 1136 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Полески Управо 150 ° C (TJ) Пефер 253-4, 253а 200 м - СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1 12 дБ 50 май Npn 75 @ 20 май, 3V 14,5 -е 1,5 дБ @ 2 ggц
2N5095 Microsemi Corporation 2N5095 -
RFQ
ECAD 5689 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 4 Вт По 5 - Rohs Neprigodnnый Ear99 8541.29.0095 1 500 1 а - Npn - - -
BDX53B-S Bourns Inc. Bdx53b-s -
RFQ
ECAD 8781 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BDX53 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 15 000 80 8 а 500 мк Npn - дарлино 2V @ 12ma, 3a 750 @ 3A, 3V -
PMBTA64,215 Nexperia USA Inc. PMBTA64,215 0,3100
RFQ
ECAD 42 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBTA64 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 500 май 100NA (ICBO) PNP - ДАРЛИНГТОН 1,5 -прри 100 мк, 100 май 20000 @ 100ma, 5 В 125 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе