SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
ZXTN25060BZTA Diodes Incorporated Zxtn25060bzta 0,5700
RFQ
 ECAD 109 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а ZXTN25060 2,4 SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 60 5 а 50na (ICBO) Npn 305 мВ @ 500 май, 5а 100 @ 10ma, 2v 185 мг
BC859CLT1G onsemi BC859CLT1G -
RFQ
 ECAD 1380 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC859 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
NHUMH13F Nexperia USA Inc. Nhumh13f 0,3900
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 Nhumh13 350 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 80 100 май 100NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 100 @ 10ma, 5 В 170 мг 4,7 КОМ 47komm
DTC123JUA-TP Micro Commercial Co DTC123JUA-TP 0,2700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTC123 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2.2 Ком 47 Kohms
BCV49,115 Nexperia USA Inc. BCV49,115 0,5200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCV49 1,3 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 60 500 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1- @ 100 мк, 100 мая 10000 @ 100ma, 5 В 220 мг
MMBT3906FA-7B Diodes Incorporated MMBT3906FA-7B 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-xfdfn MMBT3906 435 м X2-DFN0806-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 40 200 май 50na (ICBO) Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 100 @ 10ma, 1в 300 мг
UNR92A0G0L Panasonic Electronic Components UNR92A0G0L -
RFQ
 ECAD 7457 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-89, SOT-490 UNR92A 125 м SSMINI3-F3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 80 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 160 @ 5ma, 10 В 150 мг 47 Kohms
CEN-U57 PBFREE Central Semiconductor Corp CEN-U57 PBFREE 3.4200
RFQ
 ECAD 355 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-202 Long Tab CEN-U57 1,75 Вт До 202 года СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 500 100 2 а 100NA (ICBO) Pnp 350 мВ @ 25 май, 250 мат 20 @ 500 май, 1в 50 мг
NST857BDP6T5G onsemi NST857BDP6T5G 0,3900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-963 NST857 350 м SOT-963 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 45 100 май 15NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 700 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
DTA123JM3T5G onsemi DTA123JM3T5G 0,0507
RFQ
 ECAD 5180 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 DTA123 260 м SOT-723 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В 2.2 Ком 47 Kohms
BFU530AVL NXP USA Inc. BFU530AVL 0,1380
RFQ
 ECAD 4280 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BFU530 450 м SOT-23 (TO-236AB) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934067698235 Ear99 8541.21.0075 10000 12 дБ 12 40 май Npn 60 @ 10ma, 8 В 11 -е 1,1db pri 1,8gц
PN2222A STMicroelectronics PN2222A -
RFQ
 ECAD 8010 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN2222 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2500 40 600 май 10NA (ICBO) Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 270 мг
JANTX2N3498U4 Microchip Technology Jantx2n3498u4 -
RFQ
 ECAD 1152 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/366 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 1 Вт U4 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 100 500 май 50na (ICBO) Npn 600 мВ @ 30 май, 300 мая 40 @ 150 май, 10 В -
ZTX649STOB Diodes Incorporated ZTX649Stob -
RFQ
 ECAD 1898 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-line-3, obrahawannele-ledы ZTX649 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 25 В 2 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ 200 май, 2а 100 @ 1a, 2v 240 мг
TIP142TU onsemi TIP142TU -
RFQ
 ECAD 2619 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP142 80 Вт 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH TIP142TU-NDR Ear99 8541.29.0095 30 100 10 а 2MA Npn - дарлино 3v @ 40ma, 10a 1000 @ 5a, 4v -
MMBTA42Q-7-F Diodes Incorporated MMBTA42Q-7-F 0,0449
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA42 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 31-MMBTA42Q-7-FTR Ear99 8541.21.0095 3000 300 500 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 30ma, 10 В 50 мг
DNLS320A-7 Diodes Incorporated DNLS320A-7 -
RFQ
 ECAD 8628 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DNLS320 600 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 20 2 а 100NA (ICBO) Npn 310MV @ 300MA, 3A 220 @ 1a, 2v 220 мг
BC847CW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC847CW RFG 0,0368
RFQ
 ECAD 9761 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC847 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 100NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
UNR521D00L Panasonic Electronic Components UNR521D00L -
RFQ
 ECAD 5423 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-70, SOT-323 UNR521 150 м Smini3-G1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 30 @ 5ma, 10 В 150 мг 47 Kohms 10 Kohms
RCA1C13 Harris Corporation RCA1C13 -
RFQ
 ECAD 8341 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN * МАССА Актифен - Rohs 1 (neograniчennnый) Продан 1
JAN2N3765L Microchip Technology Jan2n3765l -
RFQ
 ECAD 8149 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Rohs DOSTISH 0000.00.0000 1
BC547BG onsemi BC547BG -
RFQ
 ECAD 4207 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА BC547 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 45 100 май 15NA Npn 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 200 @ 2MA, 5V 300 мг
JANS2N3765L Microchip Technology Jans2n3765l -
RFQ
 ECAD 5936 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Rohs3 DOSTISH 0000.00.0000 1
BCV72,215 Nexperia USA Inc. BCV72,215 0,2100
RFQ
 ECAD 96 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV72 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 60 100 май 100NA (ICBO) Npn 210 мв 2,5 май, 50 200 @ 2MA, 5V 100 мг
BC846S/DG/B3F Nexperia USA Inc. BC846S/DG/B3F -
RFQ
 ECAD 4513 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BC846 300 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934068358135 Ear99 8541.21.0075 10000 65 100 май 15NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 300 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 100 мг
RN1114(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN1114 (T5L, F, T) -
RFQ
 ECAD 5709 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 RN1114 100 м SSM СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 1 kohms 10 Kohms
KSD5018PWD onsemi KSD5018PWD -
RFQ
 ECAD 3815 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 KSD5018 40 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 275 4 а 1MA Npn - дарлино 1,5 Е @ 20 май, 3а - -
BC858BT116 Rohm Semiconductor BC858BT116 0,0848
RFQ
 ECAD 2963 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 350 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 100NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 210 @ 2ma, 5 250 мг
TSC5302DCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSC5302DCP ROG -
RFQ
 ECAD 8820 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TSC5302 25 Вт 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 400 2 а 1 мка (ICBO) Npn 1,5 Е @ 250 май, 1a 10 @ 400 май, 5в -
PH1214-25M MACOM Technology Solutions PH1214-25M 359.8183
RFQ
 ECAD 6892 0,00000000 Macom Technology Solutions - МАССА Актифен 200 ° C (TJ) ШASCI 2L-Flg PH1214 67 Вт 2L-Flg - 1465-PH1214-25M 1 9,5db 70В 2.8a Npn - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть