SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Епако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
BDW23TU onsemi BDW23TU -
RFQ
 ECAD 5805 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BDW23 50 st 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 45 6 а 500 мк Npn 3v @ 60ma, 6a 750 @ 2a, 3v -
BD546B-S Bourns Inc. BD546B-S -
RFQ
 ECAD 3484 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 BD546 3,5 SOT-93 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 300 80 15 а 700 мк Pnp 1v @ 2a, 10a 10 @ 10a, 4v -
KSA1370ETA onsemi KSA1370eta -
RFQ
 ECAD 5868 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSA1370 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 200 100 май 100NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 2ma, 20 мая 100 @ 10ma, 10 В 150 мг
2SC5414AF-AA onsemi 2SC5414AF-AA -
RFQ
 ECAD 6042 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2SC5414 3-NP - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1500 - - - - -
MMST3904Q-7-F Diodes Incorporated MMST3904Q-7-F 0,3500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 MMST3904 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 200 май - Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
BCR133E6327HTSA1 Infineon Technologies BCR133E6327HTSA1 0,3700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Прохл Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR133 200 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 130 мг 10 Kohms 10 Kohms
2N6316 Microchip Technology 2N6316 27.4645
RFQ
 ECAD 8795 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 2N6316 90 Вт TO-66 (DO 213AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 7 а 500 мк Npn 2V @ 1,75A, 7A 35 @ 500 май, 4 В -
BCW68GLT1G onsemi BCW68GLT1G 0,1900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW68 225 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 800 млн 20NA Pnp 1,5 - @ 30 май, 300 мая 120 @ 10ma, 1V 100 мг
FZT655TA Diodes Incorporated FZT655TA 0,6800
RFQ
 ECAD 65 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA FZT655 2 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 150 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 м. 50 @ 500 май, 5в 30 мг
ZDT1048TC Diodes Incorporated ZDT1048TC -
RFQ
 ECAD 9741 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-223-8 ZDT1048 2,75 Вт SM8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 17,5 В. 5A 10NA 2 npn (дВОХАНЕй) 300 мВ @ 50ma, 5a 300 @ 500 май, 2 В 150 мг
2N5551,412 NXP USA Inc. 2N5551,412 -
RFQ
 ECAD 5180 0,00000000 NXP USA Inc. - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2n55 630 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 160 300 май 50na (ICBO) Npn 200 мВ @ 5ma, 50 мая 80 @ 10ma, 5в 300 мг
BC328TFR onsemi BC328TFR -
RFQ
 ECAD 6050 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC328 625 м ДО 92-3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 25 В 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
XP0411600L Panasonic Electronic Components XP0411600L -
RFQ
 ECAD 6524 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 XP0411 150 м Smini6-G1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 160 @ 5ma, 10 В 80 мг 4,7 КОМ -
DTA123YKAT146 Rohm Semiconductor DTA123YKAT146 0,2700
RFQ
 ECAD 865 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 33 @ 10ma, 5V 250 мг 2.2 Ком 10 Kohms
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Infineon Technologies BFR840L3RHEDE6327XTSA1 0,7100
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 BFR840 75 м PG-TSLP-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 15 000 27 ДБ 2,6 В. 35 май Npn 150 @ 10ma, 1,8 В 75 -е 0,5 дБ прри 450 мг.
SPZT3904T1G onsemi SPZT3904T1G 0,7400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA SPZT3904 1,5 SOT-223 (DO 261) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 40 200 май - Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
2SC24050RL Panasonic Electronic Components 2SC24050RL -
RFQ
 ECAD 3665 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2405 200 м Mini3-g1 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 35 50 май 1 мка Npn 600 мВ @ 10ma, 100 мА 180 @ 2ma, 5 200 мг
KSC2223OMTF Fairchild Semiconductor KSC2223Omtf 0,0200
RFQ
 ECAD 9984 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 150 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 1101 20 20 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 1MA, 10MA 60 @ 1MA, 6V 600 мг
FMBSA56 onsemi FMBSA56 -
RFQ
 ECAD 1669 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FMBSA 700 м Supersot ™ -6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 80 500 май 100NA Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 50 мг
MMSTA42-7 Diodes Incorporated MMSTA42-7 -
RFQ
 ECAD 4328 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 MMSTA42 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 300 200 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 30ma, 10 В 50 мг
JANTX2N3771 Microchip Technology Jantx2n3771 221.3120
RFQ
 ECAD 1920 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/518 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 2N3771 6 Вт TO-3 (DO 204AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 40 30 а 5 май Npn 4V @ 6a, 30a 15 @ 15a, 4v -
JANTXV2N3737UB/TR Microchip Technology JantXV2N3737UB/tr 23.3814
RFQ
 ECAD 7354 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/395 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 500 м Ub - DOSTISH 150 JantXV2N3737UB/tr 100 40 1,5 а 200NA Npn 900 мВ @ 100ma, 1a 40 @ 500 май, 1в -
JANSL2N3635 Microchip Technology Jansl2n3635 129.5906
RFQ
 ECAD 6759 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 140 10 мк 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 50ma, 10 В -
MMS9014-L-TP Micro Commercial Co MMS9014-L-TP 0,0257
RFQ
 ECAD 5792 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMS9014 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 100NA Npn 300 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 1MA, 5V 150 мг
PDTC123YK,115 NXP USA Inc. PDTC123YK, 115 -
RFQ
 ECAD 8993 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC123 250 м SMT3; Мпп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 9000 50 100 май 1 мка Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 10 35 @ 5ma, 5V 2.2 Ком 10 Kohms
PUMD2/ZLX Nexperia USA Inc. PUMD2/ZLX -
RFQ
 ECAD 8068 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 PUMD2 300 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PUMD2/ZLX-1727 Управо 0000.00.0000 1 50 100 май 100NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 150 мв 500 мк, 10 60 @ 5ma, 5 В 230 мгр, 180 мгр 22khh 22khh
2SC4217E onsemi 2SC4217E 0,3300
RFQ
 ECAD 758 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1
BCR 153F E6327 Infineon Technologies BCR 153F E6327 -
RFQ
 ECAD 7275 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-723 BCR 153 250 м PG-TSFP-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ @ 1ma, 20 мая 20 @ 20 май, 5в 200 мг 2.2 Ком 2.2 Ком
MS2421 Microsemi Corporation MS2421 -
RFQ
 ECAD 9507 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо 200 ° C (TJ) ШASCI M103 875 Вт M103 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 6,3 Дб 65 22A Npn 10 @ 500 май, 5в 1 025 гг ~ 1,15 гг. -
FJY3013R onsemi FJY3013R -
RFQ
 ECAD 1792 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-89, SOT-490 FJY301 200 м SC-89-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 56 @ 5ma, 5V 250 мг 2.2 Ком 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть