SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Napraheneee - raзbiroka liwчastelelelelekelelelelelelelelelelelelelekelekelekelekelekelekelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
D45H2A onsemi D45H2A -
RFQ
 ECAD 9599 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 D45H 60 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2832-D45H2A Ear99 8541.29.0095 400 30 8 а 10 мк (ICBO) Pnp 1v @ 400 май, 8a 100 @ 8a, 5v 25 мг
MMBTA06LT1HTSA1 Infineon Technologies MMBTA06LT1HTSA1 0,0590
RFQ
 ECAD 6139 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Прохл 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA06 330 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 80 500 май 100NA Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 100 мг
JANSL2N5004 Microchip Technology Jansl2n5004 -
RFQ
 ECAD 9400 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/534 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Стало До-210AA, TO-59-4, STAD 2 Вт О 59 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 80 50 мк 50 мк Npn 1,5 Е @ 500 мА, 5A 70 @ 2,5A, 5 В -
2N5087TAR onsemi 2n5087tar -
RFQ
 ECAD 4709 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2N5087 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 50 100 май 50NA Pnp 300 мВ @ 1MA, 10MA 250 @ 100 мк, 5в 40 мг
PDTC144TK,115 NXP USA Inc. PDTC144TK, 115 -
RFQ
 ECAD 5018 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC144 250 м SMT3; Мпп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 1 мка Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 10 100 @ 1MA, 5 В 47 Kohms
BC857BV,115 Nexperia USA Inc. BC857BV, 115 0,4200
RFQ
 ECAD 575 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 BC857 200 м SOT-666 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 4000 45 100 май 15NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 400 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
2N3117 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N3117 Pbfree 6,6000
RFQ
 ECAD 7375 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 360 м 18 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 60 50 май 10NA (ICBO) Npn 350 мВ 100 мк, 1 мая 250 @ 10 мк, 5в -
2SC4083T106N Rohm Semiconductor 2SC4083T106N 0,4500
RFQ
 ECAD 95 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SC4083 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 11 50 май 500NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 5MA, 10 мА 56 @ 5ma, 10 3,2 -е
2SB1203T-E onsemi 2SB1203T-E -
RFQ
 ECAD 4808 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА 2SB1203 1 Вт Т. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 500 50 5 а 1 мка (ICBO) Pnp 550 мВ @ 150 май, 3а 200 @ 500 май, 2 В 130 мг
2SD669-B-BP Micro Commercial Co 2SD669-B-BP -
RFQ
 ECAD 2846 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2SD669 1 Вт 126 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 120 1,5 а 10 мк (ICBO) Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 60 @ 150 май, 5в 140 мг
DDTC124TUA-7-F Diodes Incorporated DDTC124TUA-7-F 0,0435
RFQ
 ECAD 1713 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DDTC124 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 5 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 22 Kohms
KSB811GTA onsemi KSB811GTA -
RFQ
 ECAD 8411 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO 226-3, DO-92-3 COROTCOE KSB811 350 м До 92-х Годо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 25 В 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 100ma, 1a 200 @ 100ma, 1v 110 мг
BC32816BU onsemi BC32816BU -
RFQ
 ECAD 5462 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC328 625 м ДО 92-3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 25 В 800 млн 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
BCX70H-TP Micro Commercial Co BCX70H-TP -
RFQ
 ECAD 6885 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX70 250 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 45 200 май 20NA (ICBO) Npn 550 мв 1,25 май, 50 маточков 180 @ 2ma, 5 250 мг
PEMB19,115 NXP USA Inc. PEMB19,115 0,0400
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PEMB1 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000
FJZ733RTF onsemi Fjz733rtf -
RFQ
 ECAD 3928 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SOT-623F FJZ733 100 м SOT-623F СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мА 40 @ 1MA, 6V 180 мг
DRA5113Z0L Panasonic Electronic Components DRA5113Z0L -
RFQ
 ECAD 4196 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SC-85 DRA5113 150 м Smini3-F2-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 30 @ 5ma, 10 В 1 kohms 10 Kohms
KSC5025OTU onsemi KSC5025OTU -
RFQ
 ECAD 6353 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 KSC5025 100 y 12 вечера СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 450 500 15 а 10 мк (ICBO) Npn 1v @ 1,2a, 6a 20 @ 1.2a, 5 18 мг
KSC1675RBU Fairchild Semiconductor KSC1675RBU 0,0200
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо - Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 1000 30 50 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 1MA, 10MA 40 @ 1MA, 6V 300 мг
ZTX758 Diodes Incorporated ZTX758 0,3682
RFQ
 ECAD 8723 0,00000000 Дидж - МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru E-Line-3 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 400 500 май 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 10ma, 100 мая 50 @ 100ma, 5 В 50 мг
MMBT2369ALT1 onsemi MMBT2369ALT1 -
RFQ
 ECAD 7520 0,00000000 OnSemi * Веса Управо MMBT2369 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
DDA114TU-7-F Diodes Incorporated DDA114TU-7-F 0,3500
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DDA114 200 м SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май - 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 мВ 100 мк, 1 мана 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 10 Комов -
DDA114EUQ-7-F Diodes Incorporated DDA114EUQ-7-F 0,0637
RFQ
 ECAD 3464 0,00000000 Дидж Automotive, AEC-Q101, DDA (XXXX) U Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DDA114 200 м SOT-363 СКАХАТА DOSTISH 31-DDA114EUQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Комов 10 Комов
DMMT3904W-7-F Diodes Incorporated DMMT3904W-7-F 0,3700
RFQ
 ECAD 140 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DMMT3904 200 м SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 200 май - 2 npn (дВОВАН) 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
BC238BTA onsemi BC238BTA -
RFQ
 ECAD 9791 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC238 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 25 В 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 180 @ 2ma, 5 250 мг
MMBT4400 Fairchild Semiconductor MMBT4400 0,0300
RFQ
 ECAD 97 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4400 350 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8 876 40 600 май - Npn 750 мВ 50 мам, 500 маточков 50 @ 150 май, 10 В -
BCV72,215 Nexperia USA Inc. BCV72,215 0,2100
RFQ
 ECAD 96 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV72 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 60 100 май 100NA (ICBO) Npn 210 мв 2,5 май, 50 200 @ 2MA, 5V 100 мг
JANS2N5339U3 Microchip Technology Jans2n5339u3 -
RFQ
 ECAD 5460 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/560 МАССА Пркрэно -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 5-SMD 1 Вт SMD5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 100 5 а 100 мк Npn 1,2 - @ 500 май, 5а 60 @ 2a, 2v -
FCX690BTA Diodes Incorporated FCX690BTA 0,5300
RFQ
 ECAD 53 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а FCX690 2 Вт SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 45 2 а 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 5ma, 1a 400 @ 1a, 2v 150 мг
BC807-40W,135 Nexperia USA Inc. BC807-40W, 135 0,2000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC807 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 45 500 май 100NA (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 80 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть