SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Ток - коллекционер (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
2N4449U Microchip Technology 2N4449U 34 7250
RFQ
 ECAD 4880 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 6-SMD, neTLIDERSTVA 600 м U - DOSTISH 150-2N4449U Ear99 8541.21.0095 1 15 400NA Npn 450 мВ @ 10ma, 100 мая 40 @ 10ma, 1v -
ZX5T851GQTC Diodes Incorporated ZX5T851GQTC 0,4400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA 1,2 Вт SOT-223-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 60 6 а 20NA Npn 260 мВ @ 300 май, 6A 100 @ 2a, 1v 130 мг
CPH3239-TL-E onsemi CPH3239-TL-E 0,2600
RFQ
 ECAD 57 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо - Пефер SC-96 900 м 3-кадр - Neprigodnnый Ear99 8541.21.0075 3000 50 5 а 100NA (ICBO) Npn 130mv @ 40ma, 2a 250 @ 500ma, 2V 330 мг
NTE306 NTE Electronics, Inc NTE306 3.8000
RFQ
 ECAD 108 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-202 Long Tab 950 м До 202 года СКАХАТА Rohs 2368-NTE306 Ear99 8541.21.0095 1 50 1,5 а 200NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 50ma, 1a 98 @ 100ma, 2v -
BFR92ALT1 Microsemi Corporation BFR92ALT1 -
RFQ
 ECAD 3762 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо 150 ° С Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 273 м SOT-23 - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 - 15 25 май - 40 @ 14ma, 10 В 4,5 -е 3db @ 500 мг.
MPQ6842 onsemi MPQ6842 1.0100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1
RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4985FE, LXHF (Ct 0,3800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN4985 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг, 200 мг 2,2KOM 47komm
MMDT2907VQ-7-52 Diodes Incorporated MMDT2907VQ-7-52 0,0760
RFQ
 ECAD 3792 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 MMDT2907 150 м SOT-563 СКАХАТА 31-MMDT2907VQ-7-52 Ear99 8541.21.0075 3000 60 600 май 50NA 2 PNP (DVOйNOй) 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
2SC2619FCTR-E Renesas Electronics America Inc 2SC2619FCTR-E 0,1500
RFQ
 ECAD 111 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV, L3XHF (Ct 0,3400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN1102 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 5 50 @ 10ma, 5 В 10 Kohms 10 Kohms
BC817-25W Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BC817-25W 0,1500
RFQ
 ECAD 5421 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC817 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 3000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
MMBT4401-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBT4401-AU_R1_000A1 0,2200
RFQ
 ECAD 1621 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4401 225 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-MMBT4401-AU_R1_000A1DKR Ear99 8541.21.0075 3000 40 600 май 100NA Npn 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 150 май, 1в 250 мг
JANSL2N3501 Microchip Technology Jansl2n3501 41.5800
RFQ
 ECAD 1775 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/366 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150-JANSL2N3501 1 150 300 май 10 мк (ICBO) Npn 400 мВ @ 15 май, 150 мат 100 @ 150 май, 10 В -
DDTC143ZCA-7-F-52 Diodes Incorporated DDTC143ZCA-7-F-52 0,0365
RFQ
 ECAD 2575 0,00000000 Дидж Automotive, AEC-Q101, DDTA (R1 ♠ R2 Series) CA МАССА Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC143 200 м SOT-23-3 СКАХАТА 31-DDTC143ZCA-7-F-52 Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 4.7 Kohms 47 Kohms
2SB1079 Renesas Electronics America Inc 2SB1079 -
RFQ
 ECAD 7283 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
2N6306 Microchip Technology 2N6306 68.5482
RFQ
 ECAD 2554 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru TO-204AA, TO-3 2N6306 125 Вт До 204 года. (DO-3) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 250 8 а 50 мк Npn 5V @ 2a, 8a 15 @ 3A, 5V -
NHDTA144ETR Nexperia USA Inc. NHDTA144ETR 0,2200
RFQ
 ECAD 31 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 NHDTA144 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 80 100 май 100NA Pnp - prervariotelno-cmepts 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 100 @ 10ma, 5 В 150 мг 47 Kohms 47 Kohms
BC848AHE3-TP Micro Commercial Co BC848AHE3-TP 0,2200
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 225 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 353-BC848AHE3-TPTR Ear99 8541.21.0095 3000 30 100 май 100NA Npn 500 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 100 мг
NSS60200SMTTBG onsemi NSS60200SMTTBG 0,2120
RFQ
 ECAD 4608 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o NSS60200 1,8 6-wdfn (2x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 60 2 а 100NA (ICBO) Pnp 450 м. 150 @ 100ma, 2v 155 мг
KSC2883YTF Fairchild Semiconductor KSC2883YTF 0,1200
RFQ
 ECAD 110 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а 1 Вт SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 4000 30 1,5 а 100NA (ICBO) Npn 2 w @ 30 май, 1,5а 160 @ 500 май, 2 В 120 мг
MMBTA05 Fairchild Semiconductor MMBTA05 -
RFQ
 ECAD 5097 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA05 350 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 60 500 май 100NA Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 100 мг
2SA1162-GR-TP Micro Commercial Co 2SA1162-GR-TP -
RFQ
 ECAD 9331 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1162 150 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 353-2SA1162-GR-TPTR 3000 50 150 май 100NA (ICBO) 300 мВ @ 10ma, 100 мА 200 @ 2MA, 6V 80 мг
DMG9640T0R Panasonic Electronic Components DMG9640T0R -
RFQ
 ECAD 1389 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SOT-563, SOT-666 DMG9640 125 м SSMINI6-F3-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В - 22khh 47komm
MMBTA44 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MMBTA44 0,2600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 350 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 3000 400 200 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 1MA, 10MA 50 @ 10ma, 10 В -
D44TD3 Harris Corporation D44TD3 0,6000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 50 st ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 503 300 2 а 100 мк Npn 1V @ 400 май, 2а 8 @ 1a, 2v 50 мг
BC338-40 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-40 A1 -
RFQ
 ECAD 9077 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м Создание 92 СКАХАТА DOSTISH 1801-BC338-40A1TB Управо 1 25 В 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 5 В 100 мг
JANS2N3764L Microchip Technology Jans2n3764l -
RFQ
 ECAD 6141 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Rohs3 DOSTISH 0000.00.0000 1
EMD22-TP Micro Commercial Co EMD22-TP 0,1071
RFQ
 ECAD 6643 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 EMD22 150 м SOT-563 СКАХАТА 353-EMD22-TP Ear99 8541.21.0075 1 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnono 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 4,7 Ком, 47 Ком -
NSVB143TPDXV6T1G onsemi NSVB143TPDXV6T1G -
RFQ
 ECAD 1663 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 NSVB14 357 м SOT-563 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 160 @ 5ma, 10 В - 4,7 КОМ -
BCP55-16-QX Nexperia USA Inc. BCP55-16-QX 0,1038
RFQ
 ECAD 1771 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, BCP55-Q Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA BCP55 650 м SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 60 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 2 В 180 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть