SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Raboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Власта - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)
DXT690BP5Q-13 Diodes Incorporated DXT690BP5Q-13 0,2700
RFQ
 ECAD 4173 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Powerdi ™ 5 DXT690 740 м Powerdi ™ 5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 45 3 а 20NA Npn 350 мВ @ 150 май, 3а 400 @ 1a, 2v 150 мг
30A02MH-TL-H onsemi 30A02MH-TL-H -
RFQ
 ECAD 4254 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 30A02 600 м 3-MCPH СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 700 млн 100NA (ICBO) Pnp 220 мВ @ 10ma, 200 мая 200 @ 10ma, 2V 520 мг
2N5666U3 Microchip Technology 2N5666U3 163.0846
RFQ
 ECAD 6680 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер ДО-276AA 2N5666 1,2 Вт U-3 (DO-276AA) - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 200 5 а 200NA Npn 1v @ 1a, 5a 40 @ 1a, 5в -
PHPT60406NYX NXP Semiconductors Phpt60406nyx -
RFQ
 ECAD 1984 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 1,35 LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PHPT60406NYX-954 Ear99 8541.29.0075 1 40 6 а 100NA Npn 380MV @ 300MA, 6A 230 @ 500ma, 2v 153 мг
CZT2222A TR PBFREE Central Semiconductor Corp CZT2222A TR PBFREE 0,9900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA CZT2222 2 Вт SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 40 600 май 10NA (ICBO) Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
2N3765 Microchip Technology 2N3765 21.0938
RFQ
 ECAD 9365 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru TO-206AB, TO-46-3 METLAC BAN BAN 2N3765 500 м О 46 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 1,5 а 100NA Pnp 900 мВ @ 100ma, 1a 20 @ 1,5A, 5 В -
BCR169WE6327HTSA1 Infineon Technologies BCR169WE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 6906 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-70, SOT-323 BCR169 250 м PG-SOT323 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 120 @ 5ma, 5 В 200 мг 4.7 Kohms
SDTC114EET1G onsemi SDTC114EET1G 0,4100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 SDTC114 200 м SC-75, SOT-416 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 35 @ 5ma, 10 В 10 Kohms 10 Kohms
JAN2N5682 Microchip Technology Jan2n5682 24.0198
RFQ
 ECAD 6396 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/583 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N5682 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 120 1 а 10 мк Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 40 @ 250 май, 2 В -
2N3584 Solid State Inc. 2N3584 4.9500
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Solid State Inc. - Коробка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 35 Вт 126 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-2N3584 Ear99 8541.10.0080 10 250 2 а 5 май Npn 750 мВ @ 125ma, 1a 25 @ 1a, 1v -
BC817-25W,135 Nexperia USA Inc. BC817-25W, 135 0,2100
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC817 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
RN4989(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4989 (TE85L, F) 0,3400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN4989 200 м US6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 70 @ 10ma, 5v 250 мг, 200 мг 47komm 22khh
2SA2059(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2059 (TE12L, F) 0,6300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 1 Вт PW-Mini СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1000 20 3 а 100NA (ICBO) Pnp 190MV @ 53MA, 1.6A 200 @ 500 май, 2 В -
DST857BDJ-7 Diodes Incorporated DST857BDJ-7 0,4000
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-963 DST857 300 м SOT-963 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 100 май 15NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 500 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 340 мг
2SB1234-TB-E onsemi 2SB1234-TB-E 0,1100
RFQ
 ECAD 282 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 3000
JANSR2N3637UB/TR Microchip Technology Jansr2n3637ub/tr 125.1808
RFQ
 ECAD 5551 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 1,5 Ub - Rohs3 DOSTISH 150-jansr2n3637UB/tr Ear99 8541.29.0095 1 175 1 а 10 мк (ICBO) Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 10 В -
NSBA144EDXV6T1G Fairchild Semiconductor NSBA144EDXV6T1G 0,0900
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен NSBA144 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-NSBA144EDXV6T1G-600039 Ear99 8541.21.0095 3761
FZT600BQTA Diodes Incorporated FZT600BQTA 0,3627
RFQ
 ECAD 7746 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA 1,2 Вт SOT-223 СКАХАТА DOSTISH 31-FZT600BQTATR Ear99 8541.29.0075 1000 140 2 а 10 мк Npn - дарлино 1,2 - @ 10ma, 1a 10000 @ 500 май, 10 В 250 мг
2SA1371D-AE onsemi 2SA1371D-EA -
RFQ
 ECAD 4634 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо - - - 2SA1371 - - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 1 - - - - -
EMB1 Yangjie Technology Эmbalnый 0,0260
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-EMB1TR Ear99 3000
SST4403HZGT116 Rohm Semiconductor SST4403HZGT116 0,3400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SST4403 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 40 600 май 100NA (ICBO) 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 150 май, 1в
TSC873CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSC873CW RPG 0,9200
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA TSC873 SOT-223 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 400 1 а 1MA Npn 1V @ 250 май, 1a 80 @ 250 май, 10 В -
TIP131 onsemi TIP131 -
RFQ
 ECAD 9609 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP131 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 80 8 а 500 мк Npn - дарлино 3v @ 30ma, 6a 1000 @ 4a, 4v -
NHDTC124ETVL Nexperia USA Inc. NHDTC124ETVL 0,2200
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 NHDTC124 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10000 80 100 май 100NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 70 @ 10ma, 5v 170 мг 22 Kohms 22 Kohms
DTC113ZEBTL Rohm Semiconductor DTC113ZEBTL 0,2600
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер SC-89, SOT-490 DTC113 150 м EMT3F (SOT-416FL) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 33 @ 5ma, 5в 250 мг 1 kohms 10 Kohms
JANTXV2N5795A Microchip Technology Jantxv2n5795a 138.7610
RFQ
 ECAD 6659 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/496 МАССА Актифен -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА 2N5795 600 м 128-6 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 600 май 10 мк (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 40 @ 150 май, 10 В -
JANTX2N1711 Microchip Technology Jantx2n1711 67.6438
RFQ
 ECAD 4781 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/225 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2n1711 800 м По 5 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 30 500 май 10NA (ICBO) Npn 1,5 Е @ 15 Ма 100 @ 150 май, 10 В -
FJAF6910TU onsemi Fjaf6910tu -
RFQ
 ECAD 2520 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack Fjaf6910 60 To-3pf СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 800 В 10 а 1MA Npn 3v @ 1,5a, 6a 7 @ 6a, 5v -
NUS2401SNT1G onsemi NUS2401SNT1G -
RFQ
 ECAD 5469 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-74, SOT-457 NUS2401 350 м SC-74 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 200 май 500NA 2 npn, 1 pnp - predvariotelnono 250 мВ @ 1MA, 10MA / 250MV @ 300 мк, 10ma - - 175oms, 10 кум 175oms, 10 кум
ZXTN2031FTA Diodes Incorporated Zxtn2031fta 0,7900
RFQ
 ECAD 8562 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Zxtn2031 1,2 Вт SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 50 5 а 20NA (ICBO) Npn 170 мВ @ 250 май, 5а 200 @ 500 май, 2 В 125 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть