SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
BC847W-QF Nexperia USA Inc. BC847W-QF 0,0252
RFQ
 ECAD 7356 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-BC847W-Qftr Ear99 8541.21.0095 10000 45 100 май 15NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 100 мг
NTE2352 NTE Electronics, Inc NTE2352 4.6400
RFQ
 ECAD 356 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 1 Вт 3-sip СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2352 Ear99 8541.29.0095 1 80 4 а 20 мк (ICBO) PNP - ДАРЛИНГТОН 1,5 - @ 6ma, 3a 2000 @ 1a, 2v -
MCH4009-TL-H onsemi MCH4009-TL-H 0,5800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-343F MCH4009 120 м 4-MCPH СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 13,5db 3,5 В. 40 май Npn 50 @ 5ma, 1в 25 гг 1,1db @ 2 ggц
BC846BS-TPQ2 Micro Commercial Co BC846BS-TPQ2 0,0721
RFQ
 ECAD 7078 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BC846 200 м SOT-363 СКАХАТА 353-BC846BS-TPQ2 Ear99 8541.21.0075 1 65 100 май 15NA (ICBO) 2 npn 300 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
DPLS315E-13 Diodes Incorporated DPLS315E-13 -
RFQ
 ECAD 1342 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DPLS315 1 Вт SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 15 3 а 100NA (ICBO) Pnp 500 м. @ 50ma, 3a 500 @ 10ma, 2V 100 мг
KSA1150OTA onsemi KSA1150OTA -
RFQ
 ECAD 1576 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO 226-3, DO-92-3 COROTCOE KSA11 300 м До 92-х Годо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 20 500 май 100NA (ICBO) Pnp 400 мВ @ 50 май, 500 матов 70 @ 100ma, 1v -
TDTA144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTA144E, LM 0,1800
RFQ
 ECAD 3791 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTA144 320 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 88 @ 5ma, 5V 250 мг 47 Kohms
2N6213 Central Semiconductor Corp 2N6213 -
RFQ
 ECAD 1037 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Трубка Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 35 Вт 126 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-2N6213 Ear99 8541.29.0095 30 350 2 а 5 май Pnp 2V @ 125ma, 1a 10 @ 1a, 4v 20 мг
UMF18NTR Rohm Semiconductor UMF18ntr -
RFQ
 ECAD 8517 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMF18 150 м UMT6 - Rohs3 DOSTISH 846-UMF18NTR 3000 50 100 май, 150 мат 500NA, 100NA (ICBO) 1 npn - predvariotelnonos -smehen, 1 pnp 300 мв 500 мк, 10 мам / 500 м. 68 @ 5ma, 5V / 180 @ 1MA, 6V 250 мг, 140 мг 47komm 47komm
MMRF5017HSR5138 NXP USA Inc. MMRF5017HSR5138 -
RFQ
 ECAD 4304 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 1
BC817K-25E6327 Infineon Technologies BC817K-25E6327 0,0400
RFQ
 ECAD 2669 0,00000000 Infineon Technologies Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 500 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 6 010 45 500 май 100NA (ICBO) 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 170 мг
BC846B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. Bc846b-au_r1_000a1 0,1900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Panjit International Inc. Automotive, AEC-Q101, BC846-AU Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 330 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 65 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V -
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1702JE (TE85L, F) 0,4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-553 RN1702 100 м Эs СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 npn - prervariotelno -smeheneeneneeneenen (dvoйnoй) (эmithitternый soedeneneneee) 300 м. 50 @ 10ma, 5 В 250 мг 10 Комов 10 Комов
DTA144EEBTL Rohm Semiconductor DTA144EEBTL 0,2600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-89, SOT-490 DTA144 150 м EMT3F (SOT-416FL) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 30 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 47 Kohms 47 Kohms
NTE70 NTE Electronics, Inc NTE70 79,8000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Стало Дол. 211 МБ, до 63-4, Став 250 Вт О 63 СКАХАТА Rohs 2368-NTE70 Ear99 8541.29.0095 1 150 20 а 10 мк Npn 3V @ 10a, 50a 50 @ 20a, 4 В -
BC549C Diotec Semiconductor BC549C 0,0241
RFQ
 ECAD 1642 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2796-BC549CTR 8541.21.0000 4000 30 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 300 мг
BC859B,215 NXP Semiconductors BC859B, 215 0,0200
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м TO-236AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BC859B, 215-954 1 30 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
MRFE6VP6600NR3,528 NXP USA Inc. MRFE6VP666600NR3 528 -
RFQ
 ECAD 7796 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 1
BFU768F115 NXP USA Inc. BFU768F115 0,1500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 1
BC548A Taiwan Semiconductor Corporation BC548A 0,0604
RFQ
 ECAD 4560 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC548 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BC548ATB Ear99 8541.21.0095 4000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn - 110 @ 2ma, 5 В -
2SA1740E-TD-E onsemi 2SA1740E-TD-E 0,2200
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1
MUN2113T1 onsemi MUN2113T1 0,0200
RFQ
 ECAD 108 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо MUN2113 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
CEN853 Central Semiconductor Corp CEN853 -
RFQ
 ECAD 3976 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - DOSTISH 1514-Cen853 Управо 1
2N5290 Microchip Technology 2N5290 519.0900
RFQ
 ECAD 9932 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Стало TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud 116 Вт 121 - DOSTISH 150-2N5290 Ear99 8541.29.0095 1 100 10 а - Pnp - - -
BCX52-16TF Nexperia USA Inc. BCX52-16TF 0,4000
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX52 500 м SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000 60 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 2 В -
RN2417(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2417 (TE85L, F) 0,2800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2417 200 м S-Mini СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 м. 30 @ 10ma, 5 В 200 мг 10 Kohms 4.7 Kohms
DTC143ZE Yangjie Technology DTC143ZE 0,0260
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен DTC143 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-DTC143ZETR Ear99 3000
BC547B B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC547B B1 -
RFQ
 ECAD 9224 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м Создание 92 СКАХАТА DOSTISH 1801-BC547BB1 Управо 1 45 100 май 15NA (ICBO) Npn - 200 @ 2MA, 5V -
MPSA56RLRPG onsemi MPSA56RRPG -
RFQ
 ECAD 2885 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPSA56 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 80 500 май 100NA Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 50 мг
NTE2637 NTE Electronics, Inc NTE2637 8.3700
RFQ
 ECAD 58 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack 60 V 3 чASAD СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2637 Ear99 8541.29.0095 1 700 8 а 1MA Npn 1,5- прри 1,25а, 5а 6 @ 5a, 5v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть