SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
2SC3651-TD-E onsemi 2SC3651-TD-E 0,1900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а PCP СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 1 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 2ma, 100 мая 500 @ 10ma, 5 В 150 мг
PBLS1501Y,115 NXP USA Inc. PBLS1501Y, 115 -
RFQ
 ECAD 6931 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PBLS15 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
BC807-16W,115 NXP USA Inc. BC807-16W, 115 0,0200
RFQ
 ECAD 7328 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен BC80 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
KSC1008COBU Fairchild Semiconductor KSC1008COBU 0,0200
RFQ
 ECAD 1626 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 800 м ДО 92-3 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 3786 60 700 млн 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 70 @ 50ma, 2v 50 мг
MMJD2955-TP Micro Commercial Co MMJD2955-TP -
RFQ
 ECAD 4119 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MMJD2955 1,25 Вт D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 353-MMJD2955-TPTR Ear99 8541.29.0095 2500 60 10 а 50 мк Pnp 8 В @ 3,3а, 10А 20 @ 4a, 4v 2 мг
B772-Y-TP Micro Commercial Co B772-Y-TP -
RFQ
 ECAD 1519 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 B772 1,25 Вт D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 353-B772-Y-TPTR Ear99 8541.29.0095 2500 30 3 а 10 мк Pnp 500 мВ 200 май, 2а 160 @ 1a, 2v 50 мг
JAN2N3500U4/TR Microchip Technology Jan2n3500u4/tr -
RFQ
 ECAD 8059 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/366 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 1 Вт U4 - Rohs3 DOSTISH 150-якова 23500U4/tr Ear99 8541.21.0095 1 150 300 май 50na (ICBO) Npn 400 мВ @ 15 май, 150 мат 40 @ 150 май, 10 В -
JANTX2N3810U/TR Microchip Technology Jantx2n3810u/tr 34.6864
RFQ
 ECAD 6609 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/336 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА 2N3810 350 м 128-6 - Rohs3 DOSTISH 150 Jantx2n3810u/tr Ear99 8541.21.0095 1 60 50 май 10 мк (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 250 м. Прри 100 мк, 1 мая 150 @ 1MA, 5V -
JANKCB2N3439 Microchip Technology Jankcb2n3439 22.6366
RFQ
 ECAD 2595 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/368 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 800 м TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 150-jankcb2n3439 Ear99 8541.21.0095 1 350 1 а 2 мка Npn 500 мВ @ 4ma, 50 мая 40 @ 20 май, 10 В -
BSX63-10 Central Semiconductor Corp BSX63-10 -
RFQ
 ECAD 1125 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 5 Вт Не 39 СКАХАТА DOSTISH 1514-BSX63-10 Ear99 8541.29.0095 1 60 3 а 100NA (ICBO) Npn 800 мВ @ 200 май, 2а 100 @ 1a, 1v 200 мг
14-3459 Plymouth 14-3459 48.2900
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Плимут - МАССА Актифен Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка Не 39 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue 2368-14-3459 Ear99 7019.90.5150 1
NTE284MP NTE Electronics, Inc NTE284MP 40.0400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 150 Вт По 3 СКАХАТА Rohs 2368-NTE284MP Ear99 8541.29.0095 1 180 16 а 100 мк (ICBO) Npn 3v @ 1a, 10a 70 @ 2a, 5v 6 мг
JANS2N3439UA/TR Microchip Technology Jans2n3439ua/tr -
RFQ
 ECAD 4057 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/368 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 800 м UA - Rohs3 DOSTISH 150-JANS2N3439UA/Tr Ear99 8541.21.0095 1 350 1 а 2 мка Npn 500 мВ @ 4ma, 50 мая 40 @ 20 май, 10 В -
2N5401-AP Micro Commercial Co 2n5401-ap -
RFQ
 ECAD 6162 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2N5401 1,5 Создание 92 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0075 20 000 150 600 май 50na (ICBO) Pnp 500 мВ @ 5ma, 50 ма 60 @ 10ma, 5 В 100 мг
BUX31 Harris Corporation Bux31 0,2200
RFQ
 ECAD 1197 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен - Чereз dыru TO-204AA, TO-3 150 Вт По 3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 105 400 8 а - Npn - 8 @ 4a, 3v 15 мг
2SD1468STPQ Rohm Semiconductor 2SD1468STPQ -
RFQ
 ECAD 5982 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-72 SFORMIROWOLLYL 2SD1468 300 м Спт - Rohs3 DOSTISH 846-2SD1468STPQTR 5000 15 1 а 500NA Npn 500 мВ @ 1MA, 10MA 180 @ 2ma, 6V
2N6325 Microchip Technology 2N6325 836.8360
RFQ
 ECAD 4820 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Стало Дол. 211 МБ, до 63-4, Став 350 Вт О 63 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 300 30 а - Pnp - - -
MMBT2907AQ-7-F Diodes Incorporated MMBT2907AQ-7-F 0,0375
RFQ
 ECAD 8344 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2907 310 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 31-MMBT2907AQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3000 60 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
S8050 UMW S8050 0,2200
RFQ
 ECAD 756 0,00000000 Герметихан Герметихан Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 25 В 500 май 100NA Npn 600 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 120 @ 50ma, 1v 150 мг
2C6420 Microchip Technology 2C6420 31.7100
RFQ
 ECAD 4992 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-2C6420 1
PBRN123ET,215 Nexperia USA Inc. PBRN123ET, 215 0,3700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PBRN123 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 40 600 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 1,15 В @ 8MA, 800 мая 280 @ 300 май, 5в 2.2 Ком 2.2 Ком
2SB808G-SPA onsemi 2SB808G-SPA 1.0000
RFQ
 ECAD 2471 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 1
JANSP2N3700 Microchip Technology Jansp2n3700 32,9802
RFQ
 ECAD 8935 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/391 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 500 м 18-18 (ДО 206AA) - DOSTISH 150-JANSP2N3700 1 80 1 а 10NA Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 10 В -
2SAR563F3TR Rohm Semiconductor 2SAR563F3TR 0,9000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o 1 Вт Huml2020L3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-2SAR563F3TRCT Ear99 8541.29.0075 3000 50 6 а 1 мка (ICBO) Pnp 400 мВ @ 150 май, 3а 180 @ 500ma, 3v 200 мг
BC807-40W Taiwan Semiconductor Corporation BC807-40W 0,0453
RFQ
 ECAD 9268 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC807 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-BC807-40WTR Ear99 8541.21.0095 6000 45 500 май 100 мк (ICBO) Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 80 мг
CP147-MJ11016-CT Central Semiconductor Corp CP147-MJ11016-CT -
RFQ
 ECAD 1277 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер Умират 200 th Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1514-CP147-MJ11016-TR Ear99 8541.29.0095 1 120 30 а 1MA Npn - дарлино 4 w @ 300 май, 30А 1000 @ 20a, 5v 4 мг
KSC1674YTA Fairchild Semiconductor KSC1674YTA 0,0200
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 250 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2000 - 20 20 май Npn 120 @ 1MA, 6V 600 мг 3 дБ ~ 5 дБ прри
UML6N-TP Micro Commercial Co Uml6n-tp -
RFQ
 ECAD 1288 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 UML6 120 м SOT-353 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 12 500 май 100NA (ICBO) - 250 мВ @ 10ma, 200 мая 270 @ 10ma, 2v 320 мг
2SD1819GRL Panasonic Electronic Components 2SD1819GRL -
RFQ
 ECAD 7384 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-85 2SD1819 150 м Smini3-F2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100 мк Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 210 @ 2ma, 10 В 150 мг
LB1234-E onsemi LB1234-E 0,3000
RFQ
 ECAD 106 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть