SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн NoMerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
62091B Microsemi Corporation 62091b -
RFQ
 ECAD 6122 0,00000000 Microsemi Corporation * МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
2DB1713-13 Diodes Incorporated 2DB1713-13 0,4600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2DB1713 900 м SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2500 12 3 а 100NA (ICBO) Pnp 250 мВ @ 30 май, 1,5а 270 @ 500 май, 2 В 180 мг
2SCR587D3TL1 Rohm Semiconductor 2SCR587D3TL1 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 10 st 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-2SCR587D3TL1CT Ear99 8541.29.0095 2500 120 3 а 1 мка (ICBO) Npn 120 мВ @ 100ma, 1a 120 @ 100ma, 5 В 250 мг
BC847BS Yangjie Technology BC847BS 0,0240
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BC847 300 м SOT-363 СКАХАТА ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-BC847BSTR Ear99 3000 45 100 май 15NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 200 мг
BC639 Fairchild Semiconductor BC639 -
RFQ
 ECAD 3093 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 2000 80 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В 200 мг
PBSS5360XF Nexperia USA Inc. PBSS5360XF 0,4700
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TA) Пефер 243а PBSS5360 1,35 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 60 3 а 100NA Pnp 550 мВ @ 300 май, 3а 150 @ 50ma, 5 В 65 мг
2N3637UB/TR Microchip Technology 2N3637UB/TR 13.5128
RFQ
 ECAD 8667 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 1,5 Ub - Rohs3 DOSTISH 150-2N3637UB/tr Ear99 8541.29.0095 1 175 1 а 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 50ma, 10 В -
MPS5179_D27Z onsemi MPS5179_D27Z -
RFQ
 ECAD 6363 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА MPS517 350 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 15 дБ 12 50 май Npn 25 @ 3MA, 1V 2 гер 5db @ 200 hgц
BC547A Diotec Semiconductor BC547A 0,0241
RFQ
 ECAD 2136 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2796-BC547ATR 8541.21.0000 4000 45 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 300 мг
BC556BBK Diotec Semiconductor BC556BBK 0,0241
RFQ
 ECAD 470 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Коробка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый 2796-BC556BBK 8541.21.0000 5000 65 100 май 15NA Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 150 мг
2SA1836-T1-A Renesas Electronics America Inc 2SA1836-T1-A -
RFQ
 ECAD 1600 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Управо СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000
BCW89,215 NXP Semiconductors BCW89,215 0,0200
RFQ
 ECAD 142 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW89 250 м TO-236AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BCW89,215-954 1 60 100 май 100NA (ICBO) Pnp 150 мв 2,5 май, 50 мав 120 @ 2MA, 5V 150 мг
2SC3598E Sanyo 2SC3598E 0,1200
RFQ
 ECAD 5346 0,00000000 САНО * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-2SC3598E-600057 1
2SC4115STPQ Rohm Semiconductor 2SC4115STPQ -
RFQ
 ECAD 5717 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-72 SFORMIROWOLLYL 2SC4115 400 м Спт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 20 2 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 2a 120 @ 100ma, 2V 290 мг
DTA114ESA-BP Micro Commercial Co DTA114ESA-BP -
RFQ
 ECAD 5449 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо Чereз dыru DO 226-3, DO-92-3 COROTCOE DTA114 300 м До 92-х Годо СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 353-DTA114ESA-BP Ear99 8541.21.0075 1000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Kohms 10 Kohms
BC857S Fairchild Semiconductor BC857S -
RFQ
 ECAD 2842 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BC857 300 м SC-88 (SC-70-6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 3000 45 200 май 15NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 200 мг
PDTA124ET,215 NXP USA Inc. PDTA124ET, 215 0,0200
RFQ
 ECAD 6499 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PDTA124 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
RN4908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4908FE, LXHF (Ct 0,3800
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-563, SOT-666 RN4908 100 м ES6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 метров, 250 мгр. 22khh 47komm
NTE2429 NTE Electronics, Inc NTE2429 2.4000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а 1 Вт SOT-89 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE2429 Ear99 8541.21.0095 1 80 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 100ma, 5 В 100 мг
JANSD2N5152U3 Microchip Technology Jansd2n5152u3 229,9812
RFQ
 ECAD 1872 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/544 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 1 Вт U3 (SMD-0.5) - DOSTISH 150-JANSD2N5152U3 1 80 2 а 50 мк Npn 1,5 Е @ 500 мА, 5A 30 @ 2,5a, 5в -
MJE15030 NTE Electronics, Inc MJE15030 1.7100
RFQ
 ECAD 531 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 50 st ДО-220 СКАХАТА Rohs3 2368-MJE15030 Ear99 8541.29.0095 1 150 8 а 100 мк Npn 500 мВ @ 100ma, 1a 20 @ 4a, 2v 30 мг
MVR2N2222AUBC Microchip Technology MVR2N222222AUBC -
RFQ
 ECAD 3970 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 500 м UBC - DOSTISH 150-MVR2N222222AUBC 100 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
PBSS5320T-QR Nexperia USA Inc. PBSS5320T-QR 0,1020
RFQ
 ECAD 5775 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 300 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-PBSS5320T-QRTR Ear99 8541.21.0075 3000 20 2 а 100NA (ICBO) Pnp 300MV @ 300MA, 3A 220 @ 500ma, 2V 100 мг
2SC536E-SPA onsemi 2sc536e-spa -
RFQ
 ECAD 6175 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 1000
BC817-25-AQ Diotec Semiconductor BC817-25-AQ 0,0287
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-BC817-25-AQTR 8541.21.0000 3000 45 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
2N5469 Microchip Technology 2N5469 40 8150
RFQ
 ECAD 7834 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 70 Вт TO-66 (DO 213AA) - DOSTISH 150-2N5469 Ear99 8541.29.0095 1 400 3 а - Npn - - -
MPSA42_J22Z onsemi MPSA42_J22Z -
RFQ
 ECAD 2746 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MPSA42 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3500 300 500 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 2ma, 20 мая 40 @ 30ma, 10 В 50 мг
JANTX2N2907AUBP Microchip Technology Jantx2n2907aubp 26.5867
RFQ
 ECAD 8619 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/291 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 500 м Ub - DOSTISH 150 Jantx2n2907aubp 1 60 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 1MA, 10 -
KSC838YBU Fairchild Semiconductor KSC838YBU 0,0300
RFQ
 ECAD 1327 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 250 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 9 744 30 30 май 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 1MA, 10MA 120 @ 2ma, 12 250 мг
2SA1624E-AA Sanyo 2SA1624E-AA -
RFQ
 ECAD 7852 0,00000000 САНО * МАССА Управо - Rohs Продан 2156-2SA1624E-AA-600057 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть