SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн NoMerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
DMG564050R Panasonic Electronic Components DMG564050R -
RFQ
 ECAD 3093 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер 6-SMD, Плоскильлид DMG56405 150 м Smini6-F3-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 160 @ 5ma, 10 В - 10 Комов -
MPSA63ZL1 onsemi MPSA63ZL1 -
RFQ
 ECAD 6032 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPSA63 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 30 500 май 100NA (ICBO) PNP - ДАРЛИНГТОН 1,5 -прри 100 мк, 100 май 10000 @ 100ma, 5 В 125 мг
BC53-10PA,115 NXP USA Inc. BC53-10PA, 115 -
RFQ
 ECAD 3852 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-Powerfn 420 м 3-Huson (2x2) СКАХАТА Ear99 8541.29.0075 1 80 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 145 мг
CP617-CM4957-CM Central Semiconductor Corp CP617-CM4957-CM -
RFQ
 ECAD 1789 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират - Умират - 1514-CP617-CM4957-CM Управо 500 25 дБ 25 В 30 май Pnp 20 @ 2ma, 10 В 2,5 -е -
BC817-25LT3G onsemi BC817-25LT3G 0,1800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 1v 100 мг
2N4403RLRM onsemi 2n4403rlrm -
RFQ
 ECAD 7515 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА 2N4403 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 40 600 май - Pnp 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 150 май, 2 В 200 мг
HC5513IPA02 Harris Corporation HC5513IPA02 3.6400
RFQ
 ECAD 192 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN * МАССА Актифен СКАХАТА Продан Продан 2156-HC5513IPA02-600026 1
JANTX2N4234L Microchip Technology Jantx2n4234l 40.5517
RFQ
 ECAD 8893 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150 Jantx2n4234l 1 40 1 а 1MA Pnp 600 мВ @ 100ma, 1a 40 @ 100ma, 1в -
MUN5133T1G onsemi MUN5133T1G 0,1800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 MUN5133 202 м SC-70-3 (SOT323) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В 4.7 Kohms 47 Kohms
KSC1008OTA onsemi KSC1008OTA -
RFQ
 ECAD 7147 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSC1008 800 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 60 700 млн 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 70 @ 50ma, 2v 50 мг
NTE47 NTE Electronics, Inc NTE47 0,8100
RFQ
 ECAD 164 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE47 Ear99 8541.21.0095 1 45 200 май 50na (ICBO) Npn 300 мВ @ 500 мк, 50 мая 500 @ 10ma, 5 В 160 мг
JANSL2N3637L Microchip Technology Jansl2n3637l 129.5906
RFQ
 ECAD 2221 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 1 Вт TO-5AA - DOSTISH 150-JANSL2N3637L 1 175 1 а 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 50ma, 10 В -
FJB5555TM onsemi FJB5555TM -
RFQ
 ECAD 2614 0,00000000 OnSemi * Lenta и катахка (tr) Управо FJB55 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800
TIP50 NTE Electronics, Inc TIP50 1.2600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 40 ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) 2368-TIP50 Ear99 8541.29.0095 1 400 1 а 1MA Npn 1В @ 200 май, 2а 30 @ 300 май, 10 В 10 мг
TIP107 NTE Electronics, Inc TIP107 1.1600
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs 2368-TIP107 Ear99 8541.29.0095 1 100 8 а 50 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 2.5V @ 80ma, 8a 1000 @ 3A, 4V -
2N5210BU onsemi 2N5210BU -
RFQ
 ECAD 9515 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N5210 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май 50NA Npn 700 мВ @ 1MA, 10MA 200 @ 100 мк, 5 30 мг
JAN2N5416S Microchip Technology Jan2n5416s -
RFQ
 ECAD 7807 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/485 МАССА Пркрэно -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 750 м TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 300 1 а 1MA Pnp 2V @ 5ma, 50 мая 30 @ 50 мА, 10 В -
SMMBT2222ALT1G onsemi SMMBT222222LT1G 0,2800
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SMMBT2222 225 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 600 май 10NA (ICBO) Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
MMBT3640 Fairchild Semiconductor MMBT3640 -
RFQ
 ECAD 6693 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 225 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 12 200 май 10NA Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 30 @ 10ma, 300 м. 500 мг
PN2369_D27Z onsemi PN2369_D27Z -
RFQ
 ECAD 6548 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PN236 350 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 15 200 май 400NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 1MA, 10MA 40 @ 10ma, 1v -
NSS40300MZ4T3G onsemi NSS40300MZ4T3G 0,5700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA NSS40300 2 Вт SOT-223 (DO 261) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 40 3 а 100NA (ICBO) Pnp 400 мВ @ 300 май, 3а 175 @ 1a, 1v 160 мг
DTC123JCAT116 Rohm Semiconductor DTC123JCAT116 0,2800
RFQ
 ECAD 396 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 м SST3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 80 @ 10ma, 5в 250 мг 2.2 Ком 47 Kohms
BFP420E6327 Infineon Technologies BFP420E6327 0,1600
RFQ
 ECAD 139 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-82A, SOT-343 160 м PG-SOT343-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1888 21 дБ 5в 35 май Npn 60 @ 20 май, 4 В 25 гг 1,1db pri 1,8gц
BCX52TF Nexperia USA Inc. BCX52TF 0,4000
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX52 500 м SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000 60 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v -
2SA1494 Sanken 2SA1494 -
RFQ
 ECAD 8526 0,00000000 САНКЕН - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-ESIP 200 th MT-200 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2SA1494 DK Ear99 8541.29.0095 500 200 17 а 100 мк (ICBO) Pnp 2,5 - @ 1a, 10a 50 @ 8a, 4v 20 мг
CEN-U07 PBFREE Central Semiconductor Corp CEN-U07 PBFREE 3.5200
RFQ
 ECAD 397 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-202 Long Tab Cen-u07 1,75 Вт До 202 года СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 500 100 2 а 100NA (ICBO) Npn 350 мВ @ 25 май, 250 мат 20 @ 500 май, 1в 50 мг
DTD513ZETL Rohm Semiconductor DTD513Zetl 0,4600
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-75, SOT-416 DTD513 150 м Emt3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 12 500 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ @ 5ma, 100 мая 140 @ 100ma, 2v 260 мг 1 kohms 10 Kohms
BCX54-TP Micro Commercial Co BCX54-TP 0,0676
RFQ
 ECAD 5296 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а BCX54 500 м SOT-89 СКАХАТА 353-BCX54-TP Ear99 8541.21.0075 1 45 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 130 мг
CEN1131 BK TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CEN1131 BK TIN/LEAND -
RFQ
 ECAD 8033 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - Rohs3 DOSTISH 1514-Cen1131bktin/Hend Управо 1
2N907AE4 Microchip Technology 2n907ae4 30.5700
RFQ
 ECAD 1233 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-2n907ae4 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть