SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
BC557B onsemi BC557B -
RFQ
 ECAD 3293 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА BC557 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 45 100 май 100NA Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 180 @ 2ma, 5 320 мг
JANKCCR2N3499 Microchip Technology Jankccr2n3499 -
RFQ
 ECAD 3622 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/366 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - Rohs3 DOSTISH 150-jankccr2n3499 Ear99 8541.29.0095 1 100 500 май 10 мк (ICBO) Npn 600 мВ @ 30 май, 300 мая 100 @ 150 май, 10 В -
DTC124EE Yangjie Technology DTC124EE 0,0260
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-523 DTC124 150 м SOT-523 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-DTC124ETR Ear99 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelno -smelый + diod 300 мВ 500 мк, 10 56 @ 5ma, 5V 250 мг 22 Kohms
BC846A-7-F Diodes Incorporated BC846A-7-F 0,1800
RFQ
 ECAD 195 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 300 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 65 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 110 @ 2ma, 5 В 300 мг
NESG210833-T1B-A Renesas Electronics America Inc NESG210833-T1B-A -
RFQ
 ECAD 9814 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
2N3636UB/TR Microchip Technology 2N3636UB/tr 15.4200
RFQ
 ECAD 6475 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 1 Вт Ub - DOSTISH 150-2N3636UB/tr Ear99 8541.29.0095 100 175 1 а 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 50ma, 10 В -
KSD1691GSTU onsemi KSD1691GSTU 0,8800
RFQ
 ECAD 6358 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 KSD1691 1,3 126-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1920 60 5 а 10 мк (ICBO) Npn 300 мВ 200 май, 2а 200 @ 2a, 1v -
KSC945CGTA onsemi KSC945CGTA -
RFQ
 ECAD 2182 0,00000000 OnSemi - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА KSC945 250 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 200 @ 1MA, 6V 300 мг
KSD1588RTU onsemi KSD1588RTU -
RFQ
 ECAD 4348 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- KSD1588 2 Вт TO-220F-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 60 7 а 10 мк (ICBO) Npn 500 мВ @ 500 мА, 5а 40 @ 3A, 1V -
DDA122LU-7-F Diodes Incorporated DDA122LU-7-F -
RFQ
 ECAD 9486 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DDA122 200 м SOT-363 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 м. 56 @ 10ma, 5v 200 мг 220 ОМ 10 Комов
CPH6531-TL-E onsemi CPH6531-TL-E -
RFQ
 ECAD 2619 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 CPH653 1,1 6-кадр СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 50 1A 100NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 380 мВ @ 10ma, 500 мая 200 @ 100ma, 2v 420 мг
BST15,115 NXP USA Inc. BST15,115 -
RFQ
 ECAD 5330 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а BST1 1,3 SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 200 200 май 100NA (ICBO) Pnp 750 мВ @ 5ma, 50 ма 30 @ 50 мА, 10 В 15 мг
PUMB18,115 NXP USA Inc. PUMB18,115 -
RFQ
 ECAD 6889 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PUMB18 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
UNR32AEG0L Panasonic Electronic Components UNR32AEG0L -
RFQ
 ECAD 2028 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-723 UNR32 100 м Sssmini3-F2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 10000 50 80 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 60 @ 5ma, 10 В 150 мг 47 Kohms 22 Kohms
JANS2N5003 Microchip Technology Jans2n5003 -
RFQ
 ECAD 6575 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/535 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) ШAsci, Стало До-210AA, TO-59-4, STAD 2 Вт To-59/i - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 80 50 мк 50 мк Pnp 1,5 Е @ 500 мА, 5A 30 @ 2,5a, 5в -
SBC857CLT1G onsemi SBC857CLT1G 0,3400
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SBC857 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 100 мг
NSVMMUN2235LT1G onsemi NSVMMUN2235LT1G 0,3300
RFQ
 ECAD 8210 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 NSVMMUN2235 246 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 1MA, 10MA 80 @ 5ma, 10 В 2.2 Ком 47 Kohms
BC846BQC-QZ Nexperia USA Inc. BC846BQC-QZ 0,2700
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, BC846XQC-Q Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o BC846 360 м DFN1412D-3 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 65 100 май 15NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
JAN2N3772 Microchip Technology Jan2n3772 -
RFQ
 ECAD 7263 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/518 МАССА Пркрэно -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 6 Вт TO-3 (DO 204AA) - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 60 20 а 5 май Npn 4V @ 4a, 20a 15 @ 10a, 4v -
PN3644_D27Z onsemi PN3644_D27Z -
RFQ
 ECAD 6964 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PN364 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 45 800 млн 35NA Pnp 400 мВ @ 15 май, 150 мат 100 @ 150 май, 10 В -
2N497S Microchip Technology 2n497s 21.1350
RFQ
 ECAD 4555 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-2N497S 1
TIP35A NTE Electronics, Inc TIP35A 3.2800
RFQ
 ECAD 431 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 218-3 125 Вт 218 СКАХАТА Rohs 2368-TIP35A Ear99 8541.29.0095 1 60 25 а - Npn - 10 @ 15a, 4v 3 мг
FJPF13007 onsemi FJPF13007 -
RFQ
 ECAD 9134 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- FJPF13007 40 TO-220F-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 200 400 8 а - Npn 3v @ 2a, 8a 8 @ 2a, 5v 4 мг
2SC4957-T1-A Renesas Electronics America Inc 2SC4957-T1-A 0,3300
RFQ
 ECAD 165 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер 253-4, 253а 180 м SOT-143 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 3000 11 дБ 6в 30 май Npn 75 @ 10ma, 3v 12 Гер 1,5 дБ @ 2 ggц
BC848CE6327 Infineon Technologies BC848CE6327 0,0300
RFQ
 ECAD 48 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 330 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 9 427 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 250 мг
BC856BLT1 onsemi BC856BLT1 -
RFQ
 ECAD 1666 0,00000000 OnSemi * Веса Управо BC856 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH BC856BLT1OSTR Ear99 8541.29.0095 3000
PBHV9115Z,115 Nexperia USA Inc. PBHV9115Z, 115 0,5600
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA PBHV9115 1,4 м SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 150 1 а 100NA Pnp 300 мВ @ 100ma, 500 мая 100 @ 100ma, 10 В 115 мг
MMBT4401K onsemi MMBT4401K -
RFQ
 ECAD 1102 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4401 350 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 600 май - Npn 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 150 май, 1в 250 мг
2SC3953E-PM onsemi 2SC3953E-PM -
RFQ
 ECAD 8488 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 1,3 126 мл - Rohs Продан 2156-2SC3953E-PM-488 1 120 200 май 100NA (ICBO) Npn 1V @ 3ma, 30 мая 100 @ 10ma, 10 В 400 мг
2N1479 Microchip Technology 2n1479 25.4429
RFQ
 ECAD 9270 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2n1479 1 Вт По 5 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 40 1,5 а 5 Мка (ICBO) Npn 750mw @ 20 май, 200 мая 20 @ 200 май, 4 В -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть