SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
DCX54-16-13 Diodes Incorporated DCX54-16-13 -
RFQ
 ECAD 3767 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 243а DCX54 1 Вт SOT-89-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 45 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 2 В 200 мг
DRC9144V0L Panasonic Electronic Components DRC9144V0L -
RFQ
 ECAD 3118 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SC-89, SOT-490 DRC9144 125 м SSMINI3-F3-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 30 @ 5ma, 10 В 47 Kohms 10 Kohms
2N6491 Harris Corporation 2N6491 2.0300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2N6491 1,8 ДО-220AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.49.7080 1 80 15 а 1MA Pnp 3,5 - @ 5a, 15a 20 @ 5a, 4v 5 мг
JANS2N3501 Microchip Technology Jans2n3501 63 4204
RFQ
 ECAD 8779 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/366 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N3501 1 Вт Не 39 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 150 300 май 10 мк (ICBO) Npn 400 мВ @ 15 май, 150 мат 100 @ 150 май, 10 В -
23A008 Microsemi Corporation 23A008 -
RFQ
 ECAD 6727 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо 200 ° C (TJ) ШASCI 55bt 5 Вт 55bt СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 8,5 дб ~ 9,5 дБ 22 400 май Npn 20 @ 100ma, 5 В 3,7 -е -
BDV64BG onsemi Bdv64bg 3.0100
RFQ
 ECAD 207 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 BDV64 125 Вт 247-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 100 10 а 1MA PNP - ДАРЛИНГТОН 2 w @ 20 май, 5А 1000 @ 5a, 4v -
2N4234 onsemi 2N4234 -
RFQ
 ECAD 4439 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо - Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N423 6 Вт Не 39 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 100 40 1 а - Pnp 600 мВ @ 125ma, 1a 30 @ 250 май, 1в -
MRF10120 MACOM Technology Solutions MRF10120 332.6400
RFQ
 ECAD 1495 0,00000000 Macom Technology Solutions - Поднос Актифен 200 ° C (TJ) ШASCI 355C-02 120 Вт 355c-02, Стиль 1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1465-1139 Ear99 8541.29.0095 20 8,5 Дб 55 15A Npn 20 @ 5a, 5v - -
PBSS5130T,215 Nexperia USA Inc. PBSS5130T, 215 0,4200
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PBSS5130 480 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 1 а 100NA (ICBO) Pnp 225 мВ @ 50ma, 1a 260 @ 500ma, 2V 200 мг
BUL89 STMicroelectronics BUL89 3.1000
RFQ
 ECAD 523 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BUL89 110 Вт ДО-220 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 400 12 а 100 мк Npn 5 w @ 2,4a, 12a 10 @ 5a, 5v -
2N2945A Microchip Technology 2n2945a 21.8519
RFQ
 ECAD 4830 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-206AB, TO-46-3 METLAC BAN BAN 2N2945 400 м О 46 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 20 100 май 10 мк (ICBO) Pnp - 70 @ 1MA, 500 мВ -
BDW64D-S Bourns Inc. Bdw64d-s -
RFQ
 ECAD 7858 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BDW64 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 15 000 120 6 а 500 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 4 В @ 60 май, 6a 750 @ 2a, 3v -
2SD2144STPU Rohm Semiconductor 2SD2144STPU -
RFQ
 ECAD 6017 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-72 SFORMIROWOLLYL 2SD2144 300 м Спт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 5000 20 500 май 500NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 20 май, 500 мат 820 @ 10ma, 3v 350 мг
UP0440100L Panasonic Electronic Components UP0440100L -
RFQ
 ECAD 5182 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 125 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 UP0440 125 м SSMINI6-F1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 100 мк 2 PNP (DVOйNOй) 500 мВ @ 10ma, 100 мая 180 @ 2ma, 10 В 80 мг
JAN2N3634UB/TR Microchip Technology Jan2n3634UB/tr 13.6990
RFQ
 ECAD 2198 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 1 Вт Ub - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 140 10 мк 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 50ma, 10 В -
ZXTP2012ASTZ Diodes Incorporated Zxtp2012astz 1.2100
RFQ
 ECAD 380 0,00000000 Дидж - Веса Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru E-line-3, obrahawannele-ledы ZXTP2012 1 Вт Электронная линия (до 92 года СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 60 3,5 а 20NA (ICBO) Pnp 210MV @ 400MA, 4A 100 @ 1a, 1v 120 мг
PBSS4250X,135 Nexperia USA Inc. PBSS4250X, 135 0,4200
RFQ
 ECAD 30 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а PBSS4250 1 Вт SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 50 2 а 100NA Npn 320 мВ @ 200 май, 2а 300 @ 1a, 2v 100 мг
BFR181WH6327XTSA1 Infineon Technologies BFR181WH6327XTSA1 0,4100
RFQ
 ECAD 104 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BFR181 175 м PG-SOT323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 19db 12 20 май Npn 70 @ 5ma, 8V 8 Гер 0,9 дБ ~ 1,2 дебрни 900 мг ~ 1,8 -е.
KSC945GBU onsemi KSC945GBU -
RFQ
 ECAD 9516 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSC945 250 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 10ma, 100 мА 200 @ 1MA, 6V 300 мг
MMBT4401T-7 Diodes Incorporated MMBT4401T-7 -
RFQ
 ECAD 5942 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 MMBT4401 150 м SOT-523 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 600 май 100NA Npn 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 150 май, 1в 250 мг
FZT792ATC Diodes Incorporated FZT792ATC -
RFQ
 ECAD 7750 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA FZT792 2 Вт SOT-223-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 70 2 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ 200 май, 2а 300 @ 10ma, 2V 160 мг
TIP32C PBFREE Central Semiconductor Corp TIP32C PBFREE 0,6296
RFQ
 ECAD 5239 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Прохл -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP32 40 220-3 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 100 3 а 300 мк Pnp 1,2 - @ 375MA, 3A 25 @ 1a, 4v 3 мг
2N6033 Harris Corporation 2N6033 -
RFQ
 ECAD 2997 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AE 140 Вт TO-204AE СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 2 120 40 А. 10 май Npn 1v @ 4a, 40a 10 @ 40a, 2v
MS1030 Microsemi Corporation MS1030 -
RFQ
 ECAD 4963 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
2SC45620RL Panasonic Electronic Components 2SC45620RL -
RFQ
 ECAD 6848 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SC4562 150 м Smini3-G1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 50 май 100 мк Npn 300 мВ @ 1MA, 10MA 250 @ 2MA, 10 В 250 мг
BC635_D27Z onsemi BC635_D27Z -
RFQ
 ECAD 1427 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC635 1 Вт ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 45 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 40 @ 150 май, 2 В 100 мг
DSC5002R0L Panasonic Electronic Components DSC5002R0L -
RFQ
 ECAD 9908 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 150 ° C (TJ) Пефер SC-85 DSC5002 150 м Smini3-F2-B СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 500 май 100NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 30 май, 300 мая 120 @ 150 май, 10 В 160 мг
NSCT2907ALT1G onsemi NSCT2907ALT1G -
RFQ
 ECAD 9290 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 NSCT29 225 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 60 600 май 10NA (ICBO) Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 200 мг
BUH50 onsemi BUH50 -
RFQ
 ECAD 8734 0,00000000 OnSemi SwitchMode ™ Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BUH50 50 st ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 500 4 а 100 мк Npn 1v @ 1a, 3a 5 @ 2a, 5v 4 мг
BCR183S Infineon Technologies BCR183S 0,0300
RFQ
 ECAD 101 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR183 250 м PG-SOT23-3-11 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 200 мг 10 Комов 10 Комов
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть