SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
2SC4132T100P Rohm Semiconductor 2SC4132T100P 0,3748
RFQ
 ECAD 5659 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SC4132 2 Вт MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 120 2 а 1 мка (ICBO) Npn 2 w @ 100ma, 1a 82 @ 100ma, 5 В 80 мг
JANTXV2N3743 Microchip Technology Jantxv2n3743 -
RFQ
 ECAD 4760 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/397 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 300 200 май 250NA (ICBO) Pnp 1,2 - @ 3ma, 30 ма 50 @ 30 мА, 10 В -
JAN2N3507 Microchip Technology Jan2n3507 12.2892
RFQ
 ECAD 4788 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/349 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N3507 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 50 3 а - Npn 1,5 -прри 250 май, 2,5а 30 @ 1,5a, 2v -
2SJ190-TD-E Sanyo 2SJ190-TD-E -
RFQ
 ECAD 4836 0,00000000 САНО * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1000
BC816-25R Nexperia USA Inc. BC816-25R 0,2100
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, BC816 Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC816 300 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 80 500 май 100NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 50 май, 500 матов 160 @ 100ma, 1v 100 мг
PN4250A PBFREE Central Semiconductor Corp PN4250A PBFREE 0,4900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN4250 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2500 60 500 май 10NA (ICBO) Pnp 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 250 @ 100 мк, 5в -
2SC4853A-4-TL-E Fairchild Semiconductor 2SC4853A-4-TL-E 0,1400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-2SC4853A-4-TL-E-600039 1
BC639-16ZL1 onsemi BC639-16ZL1 -
RFQ
 ECAD 9047 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА BC639 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 80 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 2 В 200 мг
BC338-25 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25 A1G -
RFQ
 ECAD 7385 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC338 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 4000 25 В 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 100ma, 5 В 100 мг
RN1103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1103MFV, L3F (Ct 0,1800
RFQ
 ECAD 305 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SOT-723 RN1103 150 м Вер СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 5 70 @ 10ma, 5v 22 Kohms 22 Kohms
89100-04TXV Microchip Technology 89100-04TXV -
RFQ
 ECAD 8761 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Чereз dыru DO 213AA, DO 66-2 TO-66 (DO 213AA) - Rohs DOSTISH 0000.00.0000 1 - - - - -
MPS6514_D74Z onsemi MPS6514_D74Z -
RFQ
 ECAD 9689 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА MPS651 625 м ДО 92-3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 25 В 200 май 50na (ICBO) Npn 500 мВ @ 5ma, 50 ма 150 @ 2ma, 10 В -
PBLS1503V,115 NXP USA Inc. PBLS1503V, 115 -
RFQ
 ECAD 2253 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 PBLS15 300 м SOT-666 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000 50 В, 15 В. 100 май, 500 мат 1 мка, 100na 1 npn, prervariotelnonos -sэtapnый, 1 pnp 150 мв 500 мк, 10 мам / 250 м. 30 @ 5ma, 5 -n - / 150 @ 100ma. 2в 280 мг 10 Комов 10 Комов
NSVMMUN2236LT1G onsemi NSVMMUN2236LT1G 0,3300
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 NSVMMUN2236 246 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В 100 км 100 км
FJV3105RMTF onsemi FJV3105RMTF -
RFQ
 ECAD 6002 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV310 200 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 4.7 Kohms 10 Kohms
2SD22490RA Panasonic Electronic Components 2SD22490RA -
RFQ
 ECAD 2844 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 2SD2249 1 Вт MT-2-A1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 2000 20 5 а 100NA (ICBO) Npn 1V @ 100ma, 3a 230 @ 500ma, 2v 150 мг
FJI5603DTU onsemi FJI5603DTU 1.8900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA FJI5603 100 y I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 800 В 3 а 100 мк Npn 2,5 - @ 200 май, 1а 20 @ 400 май, 3V 5 мг
SNSS30201MR6T1G onsemi SNSS30201MR6T1G 0,4800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SNSS30201 535 м 6-й стоп - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 2 а 100NA Npn 200 мВ @ 100ma, 1a 300 @ 500 май, 5в 300 мг
PBSS4240ZX Nexperia USA Inc. PBSS4240ZX 0,1563
RFQ
 ECAD 6711 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA PBSS4240 650 м SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1000
2N5679 Solid State Inc. 2N5679 0,6500
RFQ
 ECAD 200 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен - Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка Не 39 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-2N5679 Ear99 8541.10.0080 20 - Pnp - - -
FGPF4536YDTU_SN00305 onsemi FGPF4536YDTU_SN00305 -
RFQ
 ECAD 3623 0,00000000 OnSemi * МАССА Управо FGPF4 - Neprigodnnый DOSTISH Управо 0000.00.0000 1
DDTC114TUA-7-F Diodes Incorporated DDTC114TUA-7-F 0,2500
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DDTC114 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 100 мк, 1 мана 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 10 Kohms
BC338-40-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC338-40-B0 A1G -
RFQ
 ECAD 2708 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 625 м Создание 92 СКАХАТА DOSTISH 1801-BC338-40-B0A1GTB Управо 1 25 В 800 млн 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 5 В 100 мг
2ST501T STMicroelectronics 2st501t 1.5900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2st501 100 y ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 350 4 а 100 мк Npn - дарлино 1,5 - @ 2ma, 2a 2000 @ 2a, 2v -
BFP460H6433XTMA1 Infineon Technologies BFP460H6433XTMA1 -
RFQ
 ECAD 9355 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-82A, SOT-343 BFP460 230 м PG-SOT343-3d СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 12,5 дб ~ 26,5 дБ 5,8 В. 70 май Npn 90 @ 20 май, 3V 22 Гер 0,7 дБ ~ 1,2 дбри При 100 мг ~ 3 ггц
BC807-40W-7 Diodes Incorporated BC807-40W-7 0,2800
RFQ
 ECAD 52 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC807 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 500 май 100NA Pnp 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 100 мг
PBRP123YS,126 NXP USA Inc. PBRP123YS, 126 -
RFQ
 ECAD 2509 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и коробка (TB) Управо Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PBRP123 500 м ДО 92-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 50 800 млн - Pnp - prervariotelno-cmepts - - 2.2 Ком 10 Kohms
PUMD10-QF Nexperia USA Inc. PUMD10-QF 0,0402
RFQ
 ECAD 5540 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 PUMD10 200 м 6-tssop СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1727-pumd10-qftr Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май 100NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 100 мВ @ 250 мк, 5 мая 100 @ 10ma, 5 В 230 мгр, 180 мгр 2,2KOM 47komm
2SD21780SA Panasonic Electronic Components 2SD21780SA -
RFQ
 ECAD 6798 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 2SD2178 1,5 MT-3-A1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 50 2 а 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 50ma, 1a 170 @ 200ma, 2v 150 мг
MD7003A Central Semiconductor Corp MD7003A -
RFQ
 ECAD 8788 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА MD700 - 128-6 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1 40 50 май - 2 PNP (DVOйNOй) - 40 @ 100 мк, 10 В 200 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть