SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колиство Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Raboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENIENEEE (HFE) (min) @ IC, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
PVR100AD-B3V3,115 NXP USA Inc. PVR100AD-B3V3,115 -
RFQ
ECAD 1589 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 PVR10 300 м SC-74 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 45 100 май 100NA (ICBO) NPN + Zener - 160 @ 100ma, 1v -
NJV4031NT3G onsemi NJV4031NT3G 0,6500
RFQ
ECAD 1 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA NJV4031 2 Вт SOT-223 (DO 261) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 40 3 а 100NA (ICBO) Npn 300MV @ 300MA, 3A 200 @ 1a, 1v 215 мг
MJ15002G onsemi MJ15002G -
RFQ
ECAD 3371 0,00000000 OnSemi - Поднос Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 MJ150 200 th № 204 года (3). СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 100 140 15 а 250 мк Pnp 1V @ 400MA, 4A 25 @ 4a, 2v 2 мг
MS1015E Microsemi Corporation MS1015E -
RFQ
ECAD 3022 0,00000000 Microsemi Corporation * МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
NSVEMD4DXV6T5G onsemi NSVEMD4DXV6T5G 0,3800
RFQ
ECAD 8 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 NSVEMD4 500 м SOT-563 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В - 47KOHMS, 10KOMM 47komm
FJY4009R onsemi FJY4009R -
RFQ
ECAD 6505 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-89, SOT-490 FJY400 200 м SC-89-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 200 мг 4.7 Kohms
2N3700 PBFREE Central Semiconductor Corp 2N3700 PBFREE 1.1880
RFQ
ECAD 9222 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 1,8 18 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 80 1 а 10NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 10 В 100 мг
2N3486A Microchip Technology 2N3486A 9.0307
RFQ
ECAD 1611 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-206AB, TO-46-3 METLAC BAN BAN 2N3486 400 м To-46-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 600 май 10 мк (ICBO) Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
DTA124XU3T106 Rohm Semiconductor DTA124XU3T106 0,2000
RFQ
ECAD 14 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DTA124 200 м UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май - Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 22 Kohms 47 Kohms
DDTC114GE-7 Diodes Incorporated DDTC114GE-7 0,3500
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Дидж * Lenta и катахка (tr) Актифен DDTC114 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
FJV4110RMTF onsemi FJV4110RMTF -
RFQ
ECAD 4460 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FJV411 200 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 300 мВ @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5 В 200 мг 10 Kohms
KSD1616LPWD onsemi KSD1616LPWD -
RFQ
ECAD 3277 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSD1616 750 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1 50 1 а 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 50ma, 1a 300 @ 100ma, 2v 160 мг
2N1483 Microchip Technology 2N1483 44,3555
RFQ
ECAD 6800 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru До 233AA, металлическая банка с 8-3 может 2N1483 1,75 Вт О 8 СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 40 3 а 15 Мка Npn 1.20V @ 75MA, 750A 20 @ 750 мам, 4 В -
2N2102A Microchip Technology 2n2102a 27.0522
RFQ
ECAD 4976 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 5 Вт По 5 - DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 65 1 а - Pnp - - -
2N3725 onsemi 2N3725 -
RFQ
ECAD 7171 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо - Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 2N3725 800 м По 5 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 200 50 1 а 10 мк Npn 950 мВ @ 100ma, 1a 60 @ 100ma, 1в -
ZXT10N20DE6TA Diodes Incorporated Zxt10n20de6ta 0,5600
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Zxt10n20 1,1 SOT-23-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 20 3,5 а 100NA Npn 250 мВ @ 100ma, 3,5а 200 @ 2a, 2v 140 мг
TIP41C STMicroelectronics TIP41C 0,8200
RFQ
ECAD 1977 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 TIP41 65 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 100 6 а 700 мк Npn 1,5 h @ 600ma, 6a 15 @ 3A, 4V -
2N6490 Harris Corporation 2N6490 1.6700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ХArrISCORPORAHINE - МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 2N6490 1,8 ДО-220AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.49.7080 1 60 15 а 1MA Pnp 3,5 - @ 5a, 15a 20 @ 5a, 4v 5 мг
DTC043TUBTL Rohm Semiconductor DTC043Tubtl 0,3000
RFQ
ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-85 DTC043 200 м Umt3f СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 150 мв 500 мк, 5 100 @ 5ma, 10 В 250 мг 4.7 Kohms
MRF553T Microsemi Corporation MRF553T -
RFQ
ECAD 3388 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - Пефер МОНГАНА МАКРОС 3W МОНГАНА МАКРОС СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 11,5db 16 500 май Npn 30 @ 250 май, 5в 175 мг -
FJC790TF onsemi FJC790TF -
RFQ
ECAD 2308 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а FJC79 500 м SOT-89-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000 40 2 а 100NA Pnp 450 мВ @ 50ma, 2a 300 @ 10ma, 2v -
BCR148E6433HTMA1 Infineon Technologies BCR148E6433HTMA1 -
RFQ
ECAD 7689 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR148 200 м PG-SOT23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 70 @ 5ma, 5 В 100 мг 47 Kohms 47 Kohms
30A02CH-TL-E onsemi 30A02CH-TL-E 0,4500
RFQ
ECAD 2 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-96 30A02 700 м 3-кадр СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 700 млн 100NA (ICBO) Pnp 220 мВ @ 10ma, 200 мая 200 @ 10ma, 2V 520 мг
NSBA124EDXV6T5G onsemi NSBA124EDXV6T5G -
RFQ
ECAD 4115 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 NSBA124 500 м SOT-563 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 60 @ 5ma, 10 В - 22khh 22khh
CA3127M Renesas Electronics America Inc CA3127M -
RFQ
ECAD 6374 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) 85 м 16 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 48 27 дБ ~ 30 дБ 15 20 май 5 м 35 @ 5ma, 6V 1,15 -е 3,5db pri 100 мгр
FJN3304RBU onsemi FJN3304RBU -
RFQ
ECAD 5969 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) FJN330 300 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 68 @ 5ma, 5 В 250 мг 47 Kohms 47 Kohms
DTC143EUBTL Rohm Semiconductor DTC143EUBTL 0,2000
RFQ
ECAD 780 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-85 DTC143 200 м Umt3f СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 10ma, 5 В 250 мг 4.7 Kohms 4.7 Kohms
MMBTA56WT1 onsemi MMBTA56WT1 -
RFQ
ECAD 1890 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 MMBTA56 150 м SC-70-3 (SOT323) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 80 500 май 100NA Pnp 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 50 мг
BCX19TC Diodes Incorporated BCX19TC -
RFQ
ECAD 9765 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX19 330 м SOT-23-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 45 500 май 100NA (ICBO) Npn 620 мВ @ 50 май, 500 мая 100 @ 100ma, 1в 200 мг
PDTA124XM,315 Nexperia USA Inc. PDTA124XM, 315 0,0396
RFQ
ECAD 8443 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-101, SOT-883 PDTA124 250 м SOT-883 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 50 100 май 1 мка Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 500 мк, 10 80 @ 5ma, 5в 22 Kohms 47 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе