SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanee эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
2SC45620RL Panasonic Electronic Components 2SC45620RL -
RFQ
 ECAD 6848 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SC4562 150 м Smini3-G1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 50 май 100 мк Npn 300 мВ @ 1MA, 10MA 250 @ 2MA, 10 В 250 мг
HFA3135IHZ96 Renesas Electronics America Inc HFA3135IHZ96 8.1997
RFQ
 ECAD 5994 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Активна 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 HFA3135 - 6-Sot СКАХАТА Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 3000 - 9в 26 май 2 PNP (DVOйNOй) 15 @ 10ma, 2v 7 гер 5,2db @ 900 мг
KSH112GTM_SB82051 onsemi KSH112GTM_SB82051 -
RFQ
 ECAD 7064 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 KSH11 1,75 Вт D-PAK СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 100 2 а 20 мк Npn - дарлино 3v @ 40ma, 4a 1000 @ 2a, 3v 25 мг
KSB1151YSTSTU Fairchild Semiconductor KSB1151YSTSTU 0,2900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Активна 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 KSB11 1,3 126-3 - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8542.39.0001 1 60 5 а 10 мк (ICBO) Pnp 300 мВ 200 май, 2а 160 @ 2a, 1v -
NSVMMBT5401M3T5G onsemi NSVMMBT5401M3T5G 0,4000
RFQ
 ECAD 6358 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-723 NSVMMBT5401 130 м SOT-723 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 150 60 май 100NA (ICBO) Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 60 @ 10ma, 5 В 180 мг
DTC114EBT2L Rohm Semiconductor DTC114EBT2L -
RFQ
 ECAD 9640 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-923F DTC114 150 м VMN3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 8000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Kohms 10 Kohms
NSBA124EDP6T5G onsemi NSBA124EDP6T5G 0,0672
RFQ
 ECAD 8119 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Активна Пефер SOT-963 NSBA124 408 м SOT-963 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 8000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 60 @ 5ma, 10 В - 22khh 22khh
NSBC143EDXV6T1 onsemi NSBC143EDXV6T1 -
RFQ
 ECAD 5841 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-563, SOT-666 NSBC143 500 м SOT-563 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH NSBC143EDXV6T1OS Ear99 8541.21.0095 4000 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 250 мВ @ 1MA, 10MA 15 @ 5ma, 10 В - 4,7 КОМ 4,7 КОМ
2N2107 Microchip Technology 2N2107 30.5100
RFQ
 ECAD 2424 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Активна - Чereз dыru ДО 205AA, МАТА 1 Вт TO-5AA - DOSTISH 150-2N2107 Ear99 8541.29.0095 1 60 500 май - Pnp - - -
BC338 onsemi BC338 -
RFQ
 ECAD 7664 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC338 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 25 В 800 млн 100NA Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 100 @ 100ma, 1в 100 мг
JANS2N5416U4 Microchip Technology Jans2n5416u4 -
RFQ
 ECAD 8985 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/485 МАССА Активна -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 2N5416 1 Вт U4 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 300 1 а 1MA Pnp 2V @ 5ma, 50 мая 30 @ 50 мА, 10 В -
2N6215 Microchip Technology 2N6215 755.0400
RFQ
 ECAD 4434 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Активна - Стало Дол. 211 МБ, до 63-4, Став 35 Вт О 63 - DOSTISH 150-2N6215 Ear99 8541.29.0095 1 80 2 а - Pnp - - -
SS9014BTA onsemi SS9014BTA -
RFQ
 ECAD 1103 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА SS9014 450 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 100 май 50na (ICBO) Npn 300 мВ @ 5ma, 100 мая 100 @ 1MA, 5 В 270 мг
JANS2N3636 Microchip Technology Jans2n3636 -
RFQ
 ECAD 2663 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Активна -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 175 10 мк 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 50ma, 10 В -
PDTA113EMB,315 NXP USA Inc. PDTA113EMB, 315 0,0200
RFQ
 ECAD 140 0,00000000 NXP USA Inc. - МАССА Активна Пефер SC-101, SOT-883 PDTA113 250 м DFN1006B-3 СКАХАТА Ear99 8541.21.0075 1 50 100 май 100NA (ICBO) Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 1,5 май, 30 30 @ 40 май, 5 180 мг 1 kohms 1 kohms
BCV63,215 NXP Semiconductors BCV63,215 0,0800
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Активна СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-BCV63,215-954 1
RN1311,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311, LXHF 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер SC-70, SOT-323 RN1311 100 м SC-70 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 100NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 м. 120 @ 1MA, 5V 250 мг 10 Kohms
2N3904,116 NXP USA Inc. 2N3904,116 -
RFQ
 ECAD 4302 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2n39 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 40 200 май 50na (ICBO) Npn 200 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 300 мг
2N4113 Microchip Technology 2N4113 74 8500
RFQ
 ECAD 4242 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Активна - Чereз dыru TO-204AA, TO-3 15 Вт До 204 года. (DO-3) - DOSTISH 150-2N4113 Ear99 8541.29.0095 1 80 5 а - Pnp - - -
FJC790TF onsemi FJC790TF -
RFQ
 ECAD 2308 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а FJC79 500 м SOT-89-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 4000 40 2 а 100NA Pnp 450 мВ @ 50ma, 2a 300 @ 10ma, 2v -
NZT6714 onsemi NZT6714 -
RFQ
 ECAD 6786 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол-261-3 NZT67 1 Вт SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 30 2 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 1a 50 @ 1a, 1v -
MJD42CRLG onsemi MJD42CRLG 0,9900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Активна -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD42 1,75 Вт Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1800 100 6 а 50 мк Pnp 1,5 h @ 600ma, 6a 15 @ 3A, 4V 3 мг
PDTA144EMB,315 Nexperia USA Inc. PDTA144EMB, 315 0,0361
RFQ
 ECAD 5550 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Активна Пефер 3-xfdfn PDTA144 250 м DFN1006B-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 50 100 май 1 мка Pnp - prervariotelno-cmepts 150 мв 500 мк, 10 80 @ 5ma, 5в 180 мг 47 Kohms 47 Kohms
MPSA06RL1G onsemi MPSA06RL1G -
RFQ
 ECAD 8047 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPSA06 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 80 500 май 100NA Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 100 мг
NTE39 NTE Electronics, Inc NTE39 3.8000
RFQ
 ECAD 90 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Активна -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 20 Вт 126 СКАХАТА Rohs 2368-NTE39 Ear99 8541.29.0095 1 300 500 май 100 мк Pnp - 30 @ 50 мА, 10 В -
BFG97,135 NXP USA Inc. BFG97,135 -
RFQ
 ECAD 6089 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 175 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA BFG97 1 Вт SC-73 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 933919920135 Ear99 8541.21.0075 4000 - 15 100 май Npn 25 @ 70 май, 10 В 5,5 -е -
PN100RM onsemi PN100RM -
RFQ
 ECAD 3335 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PN100 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 45 500 май 50NA Npn 400 мВ @ 20 май, 200 мая 100 @ 150 май, 5в 250 мг
AC847CQ-7 Diodes Incorporated AC847CQ-7 0,2000
RFQ
 ECAD 9786 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 AC847 310 м SOT-23-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 300 мг
PBSS4360XX Nexperia USA Inc. PBSS4360XX 0,4700
RFQ
 ECAD 810 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TA) Пефер 243а PBSS4360 1,35 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 60 3 а 100NA Npn 400 мВ @ 3A, 300 мая 75 @ 3A, 5V 75 мг
BC817-25WHE3-TP Micro Commercial Co BC817-25WHE3-TP 0,2500
RFQ
 ECAD 7285 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC817 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 45 500 май 100NA (ICBO) 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 160 @ 500 май, 1в 100 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть