SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
JANSD2N2222AUB/TR Microchip Technology Jansd2n222222aub/tr 101.2804
RFQ
 ECAD 9453 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/255 Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 200 ° C. Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 500 м Ub - Rohs3 DOSTISH 150-jansd2n222222aub/tr Ear99 8541.21.0095 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
BC368ZL1G onsemi BC368ZL1G -
RFQ
 ECAD 8465 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА BC368 625 м TO-92 (DO 226) - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 20 1 а 10 мк (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 1a 85 @ 500 май, 1в 65 мг
KSP14BU onsemi KSP14BU -
RFQ
 ECAD 7016 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) KSP14 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 30 500 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1,5 -прри 100 мк, 100 май 20000 @ 100ma, 5 В 125 мг
DTC125TKAT146 Rohm Semiconductor DTC125TKAT146 0,0463
RFQ
 ECAD 4842 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC125 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 50 мк, 500 мк 100 @ 1MA, 5 В 250 мг 200 Ком
BUL45G onsemi BUL45G -
RFQ
 ECAD 3399 0,00000000 OnSemi SwitchMode ™ Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BUL45 75 Вт ДО-220 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH BUL45GOS Ear99 8541.29.0095 50 400 5 а 100 мк Npn 400 мВ @ 400 май, 2а 14 @ 300 май, 5в 12 мг
LP395Z/LFT4 Texas Instruments LP395Z/LFT4 -
RFQ
 ECAD 8332 0,00000000 Тел - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 125 ° C (TA) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА LP395 ДО 92-3 - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 36 - Npn - - -
SLA6022 Sanken SLA6022 -
RFQ
 ECAD 5712 0,00000000 САНКЕН - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 12-sip-sphynnannamnamnamnamnamnamnamnav SLA60 5 Вт 12-sip СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) SLA6022 DK Ear99 8541.29.0095 250 80 В, 100 5A 10 мк (ICBO) 3 npn, 3 pnp darlington (3-faзnыймоп) 1,5 - @ 6ma, 3a 2000 @ 3A, 4V -
2N656 Microchip Technology 2N656 35,8169
RFQ
 ECAD 6680 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен 2N656 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
P2N2369ZL1G onsemi P2N2369ZL1G -
RFQ
 ECAD 8144 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 1
NTE311 NTE Electronics, Inc NTE311 6.4600
RFQ
 ECAD 84 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен - Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 5 Вт Не 39 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE311 Ear99 8541.29.0095 1 10 дБ 30 400 май Npn 25 @ 50 мА, 5 В 800 мг -
KSB811YBU onsemi KSB811YBU -
RFQ
 ECAD 4079 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru DO 226-3, DO-92-3 COROTCOE KSB811 350 м До 92-х Годо СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 25 В 1 а 100NA (ICBO) Pnp 500 мВ @ 100ma, 1a 120 @ 100ma, 1v 110 мг
BDX53TU onsemi BDX53TU -
RFQ
 ECAD 9094 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BDX53 60 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 45 8 а 500 мк Npn - дарлино 2V @ 12ma, 3a 750 @ 3A, 3V -
ZDT1049TC Diodes Incorporated ZDT1049TC -
RFQ
 ECAD 3468 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-223-8 ZDT1049 2,75 Вт SM8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 4000 25 В 5A 10NA 2 npn (дВОХАНЕй) 220 мВ @ 50ma, 4a 300 @ 1a, 2v 180 мг
2SD2211T100R Rohm Semiconductor 2SD2211T100R 0,3833
RFQ
 ECAD 5938 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер 243а 2SD2211 2 Вт MPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 160 1,5 а 1 мка (ICBO) Npn 2 w @ 100ma, 1a 180 @ 100ma, 5 В 80 мг
BC309BTA onsemi BC309BTA -
RFQ
 ECAD 4131 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC309 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 25 В 100 май 15NA Pnp 500 мВ @ 5ma, 100 мая 180 @ 2ma, 5 130 мг
SMBT 3906 B5003 Infineon Technologies SMBT 3906 B5003 -
RFQ
 ECAD 9409 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SMBT 3906 330 м PG-SOT23 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 200 май 50na (ICBO) Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 ма 100 @ 10ma, 1в 250 мг
NJL4281DG onsemi NJL4281DG -
RFQ
 ECAD 1081 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-5 NJL4281 230 Вт 264 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 25 350 15 а 100 мк Npn + diod (иолировананн) 1v @ 800ma, 8a 80 @ 5a, 5v 35 мг
DTA124EET1G Rochester Electronics, LLC DTA124EET1G -
RFQ
 ECAD 3715 0,00000000 Rochester Electronics, LLC * МАССА Актифен - Rohs Продан 2156-DTA124ET1G-2156 1
FJPF13009H1TU onsemi FJPF13009H1TU 2.3100
RFQ
 ECAD 937 0,00000000 OnSemi - Трубка Прохл 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pac FJPF13009 50 wt TO-220F-3 (y-obraзeц) СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 400 12 а - Npn 3v @ 3a, 12a 6 @ 8a, 5v 4 мг
BC546B,116 NXP USA Inc. BC546B, 116 -
RFQ
 ECAD 9622 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC54 500 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 65 100 май 15NA (ICBO) Npn 400 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
TIP29C Solid State Inc. TIP29C 0,3200
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен - Чereз dыru 220-3 ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-tip29c Ear99 8541.10.0080 20 - Npn - - -
US6X7TR Rohm Semiconductor US6x7tr 0,5800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 6-SMD, Плоскильлид US6x7 400 м Tumt6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 12 1,5а 100NA (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 200 мВ @ 25 май, 500 матов 270 @ 200ma, 2v 400 мг
2N2913 Central Semiconductor Corp 2N2913 -
RFQ
 ECAD 7791 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо - Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА 2N291 600 м 128-6 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 45 30 май - 2 npn (дВОХАНЕй) - 60 @ 10 мк, 5в 60 мг
DDTC143FE-7 Diodes Incorporated DDTC143FE-7 0,3500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Дидж * Lenta и катахка (tr) Актифен DDTC143 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000
CPH3107-TL-E onsemi CPH3107-TL-E -
RFQ
 ECAD 8862 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 CPH3107 900 м 3-кадр СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 15 6 а 100NA (ICBO) Pnp 150 мВ @ 60 май, 3а 200 @ 500 май, 2 В 140 мг
2N2222A PBFREE Central Semiconductor Corp 2n2222a pbfree 2.4100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 500 м 18 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 40 800 млн 10NA (ICBO) Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В 300 мг
MMBT5343-Y Micro Commercial Co MMBT5343-Y -
RFQ
 ECAD 8399 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5343 200 м SOT-23 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 150 май 100NA (ICBO) Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 120 @ 2a, 6v 80 мг
2SD1802S-E onsemi 2SD1802S-E -
RFQ
 ECAD 987 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА 2SD1802 1 Вт Т. СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 500 50 3 а 1 мка (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 2a 140 @ 100ma, 2v 150 мг
2N5240 Solid State Inc. 2N5240 5.0000
RFQ
 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-204AA, TO-3 100 y По 3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан 2383-2N5240 Ear99 8541.10.0080 10 300 5 а 2MA Npn 5 w @ 1,125, 4,5а 20 @ 2a, 10 В 2 мг
2SC536E-SPA-AC onsemi 2SC536E-SPA-AC 0,2500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть