SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
JANTXV2N3439 Microchip Technology Jantxv2n3439 20.8145
RFQ
 ECAD 4017 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/368 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N3439 800 м Не 39 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 350 1 а 2 мка Npn 500 мВ @ 4ma, 50 мая 40 @ 20 май, 10 В -
DRC9144E0L Panasonic Electronic Components DRC9144E0L -
RFQ
 ECAD 4640 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SC-89, SOT-490 DRC9144 125 м SSMINI3-F3-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В 47 Kohms 47 Kohms
KSD882YS onsemi KSD882YS 0,6600
RFQ
 ECAD 845 0,00000000 OnSemi - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 KSD882 1 Вт 126-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 30 3 а 1 мка (ICBO) Npn 500 мВ 200 май, 2а 160 @ 1a, 2v 90 мг
BC807RA147 Nexperia USA Inc. BC807RA147 0,0400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 5000
2N6546 Microchip Technology 2N6546 49 7154
RFQ
 ECAD 1551 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C. Чereз dыru TO-204AA, TO-3 2N6546 175 Вт До 204 года. (DO-3) СКАХАТА Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 300 15 а 1MA Npn 5V @ 3a, 15a 15 @ 1a, 2v -
JANSD2N3637 Microchip Technology Jansd2n3637 129 6306
RFQ
 ECAD 8665 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH 150-JANSD2N3637 1 175 1 а 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 50ma, 10 В -
MJD42CQ-13 Diodes Incorporated MJD42CQ-13 0,5800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD42 1,5 252, (D-PAK) - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 2500 100 6 а 1 мка Pnp 1,5 h @ 600ma, 6a 30 @ 300 май, 4 В 3 мг
BC847AWT1 onsemi BC847AWT1 0,0500
RFQ
 ECAD 108 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BC847 225 м SC-70-3 (SOT323) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май - Npn 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 110 @ 2ma, 5 В 100 мг
BC80825E6433 Infineon Technologies BC80825E6433 0,0200
RFQ
 ECAD 151 0,00000000 Infineon Technologies * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-BC80825E6433-448 1
JANSR2N2222AUA Microchip Technology Jansr2n2222aua 153 5402
RFQ
 ECAD 2893 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/255 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 650 м UA - DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
BCX18,215 NXP USA Inc. BCX18 215 0,0300
RFQ
 ECAD 130 0,00000000 NXP USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23 СКАХАТА Ear99 8541.21.0095 1 25 В 500 май 100NA (ICBO) Pnp 620 мВ @ 50 май, 500 мая 100 @ 100ma, 1в 80 мг
2SC3668-O,T2CLAF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC3668-O, T2Claf (J. -
RFQ
 ECAD 9779 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-71 2SC3668 1 Вт MSTM СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1 50 2 а 1 мка (ICBO) Npn 500 мВ @ 50ma, 1a 70 @ 500ma, 2V 100 мг
JANS2N5238 Microchip Technology Jans2n5238 -
RFQ
 ECAD 7240 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/394 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 170 10 мк 10 мк Npn 2,5 - @ 1a, 10a 40 @ 5a, 5в -
BC856AQBZ Nexperia USA Inc. BC856AQBZ 0,2400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Nexperia USA Inc. BC856XQB Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o BC856 340 м DFN1110D-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 5000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 100 мг
DSC700400L Panasonic Electronic Components DSC700400L -
RFQ
 ECAD 8092 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 150 ° C (TJ) Пефер 243а DSC7004 1 Вт Minip3-f2-b - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 50 2 а 100NA (ICBO) Npn 300 мВ @ 50ma, 1a 120 @ 200ma, 2V 120 мг
PMBS3904,215 Nexperia USA Inc. PMBS3904,215 0,1300
RFQ
 ECAD 106 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBS3904 250 м TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 100 май 50na (ICBO) Npn 300 мВ @ 5ma, 50 мая 100 @ 10ma, 1в 180 мг
MS2587 Microsemi Corporation MS2587 -
RFQ
 ECAD 9308 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) Управо 0000.00.0000 1
DTA123ECA Yangjie Technology DTA123ECA 0,0200
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA123 200 м SOT-23 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-DTA123ECATR Ear99 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelnos -cmelый + diod 250 мВ @ 5MA, 10 мА 30 @ 20 май, 10 В 2.2 Ком
PN4249_D74Z onsemi PN4249_D74Z -
RFQ
 ECAD 3592 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА PN424 625 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 60 500 май 10NA (ICBO) Pnp 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 100 @ 100 мк, 5в -
2SD1863TV2R Rohm Semiconductor 2SD1863TV2R -
RFQ
 ECAD 9190 0,00000000 ROHM Semiconductor - Веса Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip 2SD1863 1 Вт Квадран СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2500 80 1 а 1 мка (ICBO) Npn 400 мВ @ 20 май, 500 мат 180 @ 500ma, 3v 100 мг
2N4401T93 Rohm Semiconductor 2N4401T93 -
RFQ
 ECAD 5760 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2N4401 625 м Создание 92 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 40 600 май 100NA (ICBO) Npn 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 150 май, 1в 250 мг
MPSH10RLRPG onsemi Mpsh10rlrpg -
RFQ
 ECAD 9961 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА MPSH10 350 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 - 25 В - Npn 60 @ 4ma, 10 В 650 мг -
BC849BLT3 onsemi BC849BLT3 -
RFQ
 ECAD 6595 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC849 300 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 10000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
BFU910F NXP USA Inc. BFU910F -
RFQ
 ECAD 5055 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 0000.00.0000 3000
PMBTA14,215 NXP Semiconductors PMBTA14,215 0,0400
RFQ
 ECAD 99 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м TO-236AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PMBTA 14,215-954 7 378 30 500 май 100NA (ICBO) Npn - дарлино 1,5 -прри 100 мк, 100 май 20000 @ 100ma, 5 В 125 мг
BC858A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC858A RFG 0,0343
RFQ
 ECAD 4215 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 200 м SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 100 май 100NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 125 @ 2ma, 5V 100 мг
PCP1203-P-TD-H onsemi PCP1203-P-TD-H -
RFQ
 ECAD 8650 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 243а PCP1203 1,3 PCP - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 30 1,5 а 100NA (ICBO) Npn 225 мВ @ 15ma, 750 мая 200 @ 100ma, 2v 500 мг
TDTC144E,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC144E, LM 0,1800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 TDTC144 320 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 77 @ 5ma, 5V 250 мг 47 Kohms
2SC5245A-4-TL-E onsemi 2SC5245A-4-TL-E -
RFQ
 ECAD 3664 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2SC5245 150 м 3-MCP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 10 дБ 10 В 30 май Npn 90 @ 10ma, 5в 8 Гер 0,9 дБ ~ 3 дбри При 1 Гер
2SC2229-O(MITIF,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O (MITIF, M) -
RFQ
 ECAD 1047 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2SC2229 800 м TO-92MOD СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 1 150 50 май 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 1MA, 10MA 70 @ 10ma, 5v 120 мг
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть