SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ ТЕГИНЕСКАЯ Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
UNR9215G0L Panasonic Electronic Components UNR9215G0L -
RFQ
 ECAD 2955 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-89, SOT-490 UNS9215 125 м SSMINI3-F3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 160 @ 5ma, 10 В 150 мг 10 Kohms
BF959ZL1G onsemi BF959ZL1G -
RFQ
 ECAD 1692 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, ДЕЛИННАЙЛ 92-3 (ОБРУАНАННА BF959 625 м TO-92 (DO 226) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 2000 - 20 100 май Npn 40 @ 20 май, 10 В 700 мг 3db @ 200 мг.
BFR 193W E6327 Infineon Technologies BFR 193W E6327 -
RFQ
 ECAD 5008 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 BFR 193 580 м PG-SOT323 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 10,5 дБ ~ 16 дБ 12 80 май Npn 70 @ 30ma, 8 8 Гер 1db ~ 1,6db прри 900 мг ~ 1,8 гг.
2SC2735JTR-E Renesas Electronics America Inc 2SC2735JTR-E 0,1100
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0075 2704
MJE180 NTE Electronics, Inc MJE180 0,7600
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен - Чereз dыru 225AA, 126-3 12,5 126 СКАХАТА Rohs 2368-MJE180 Ear99 8541.29.0095 1 40 3 а - Npn 300 мВ @ 50 май, 500 мая 50 @ 100ma, 1в 50 мг
JANS2N5666S Microchip Technology Jans2n5666s 94.6106
RFQ
 ECAD 2614 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/455 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N5666 1,2 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 200 5 а 200NA Npn 1v @ 1a, 5a 40 @ 1a, 5в -
DDTC113ZUA-7-F Diodes Incorporated DDTC113ZUA-7-F 0,2500
RFQ
 ECAD 611 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-70, SOT-323 DDTC113 200 м SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 33 @ 5ma, 5в 250 мг 1 kohms 10 Kohms
RN49A1(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Rn49a1 (te85l, f) -
RFQ
 ECAD 3359 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 RN49A1 200 м US6 - 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 м. 80 @ 10ma, 5в 200 метров, 250 мгр. 2,2komm, 22 кум 47komm
JANS2N3636UB Microchip Technology Jans2n3636UB -
RFQ
 ECAD 5752 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 1,5 Ub - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 175 10 мк 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 50ma, 10 В -
2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1163-R, LF 0,3000
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - Lenta и катахка (tr) Актифен 125 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 2SA1163 150 м S-Mini СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0075 3000 120 100 май 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 1MA, 10MA 200 @ 2MA, 6V 100 мг
MJE13003B-AP Micro Commercial Co MJE13003B-AP -
RFQ
 ECAD 8189 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и коробка (TB) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА MJE13003 1 Вт Создание 92 - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 400 1,5 а 500 мк Npn 3 В @ 500 май, 1,5а 20 @ 400 май, 10 В -
BD911 NTE Electronics, Inc BD911 14000
RFQ
 ECAD 200 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 90 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) 2368-BD911 Ear99 8541.29.0095 1 100 15 а 1MA Npn 3v @ 2,5a, 10a 40 @ 500 май, 4 В 3 мг
PBSS8110Z,135 NXP USA Inc. PBSS8110Z, 135 -
RFQ
 ECAD 8400 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PBSS8 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000
BC846BS-TP Micro Commercial Co BC846BS-TP 0,0721
RFQ
 ECAD 2826 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BC846 200 м SOT-363 СКАХАТА 353-BC846BS-TP Ear99 8541.21.0075 1 65 100 май 15NA (ICBO) 2 npn 300 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 100 мг
JANSG2N2222A Microchip Technology Jansg2n2222a 98.4404
RFQ
 ECAD 2023 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 206aa, 18-3 Металлана Банканка 500 м 18-18 (ДО 206AA) - DOSTISH 150-jansg2n2222a 1 50 800 млн 50NA Npn 1- @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
FMMT619QTA Diodes Incorporated FMMT619QTA 0,2172
RFQ
 ECAD 7421 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 625 м SOT-23-3 СКАХАТА DOSTISH 31-FMMT619QTATR Ear99 8541.21.0075 3000 50 2 а 100NA Npn 220 мВ @ 50ma, 2a 300 @ 200 май, 2 В 165 мг
MCH6541-TL-E onsemi MCH6541-TL-E 0,5300
RFQ
 ECAD 955 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 6-SMD, Плоскильлид MCH6541 550 м 6-MCPH СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 30 700 май 100NA (ICBO) NPN, Pnp 190mv @ 10ma, 200 май / 220 мв 10 мам, 200 мая 300 @ 50ma, 2v / 200 @ 10ma, 2v 540 мг, 520 мгр
BC849B Diotec Semiconductor BC849B 0,0182
RFQ
 ECAD 4788 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 250 м SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 2796-BC849btr 8541.21.0000 3000 30 100 май 15NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 200 @ 2MA, 5V 300 мг
BST62,115 Nexperia USA Inc. BST62,115 0,6800
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 243а BST62 1,3 SOT-89 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 1000 80 1 а 50NA PNP - ДАРЛИНГТОН 1,3 - @ 500 мк, 500 матов 2000 @ 500 мА, 10 В 200 мг
BC818-40-TP Micro Commercial Co BC818-40-TP 0,0949
RFQ
 ECAD 2620 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BC818 300 м SOT-23 СКАХАТА DOSTISH 353-BC818-40-TP Ear99 8541.21.0075 1 25 В 500 май 100NA (ICBO) Npn 700 мВ @ 50 MMA, 500 MMA 250 @ 100ma, 1v 170 мг
NTR3A085PZT1G onsemi NTR3A085PZT1G 0,1100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Ear99 8541.21.0095 1
MJD44H11 onsemi MJD44H11 -
RFQ
 ECAD 6002 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо - Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MJD44 20 Вт Dpak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 75 80 8 а 1 мка Npn 1v @ 400 май, 8a 60 @ 2a, 1v 85 мг
2SD882-O-BP Micro Commercial Co 2SD882-O-BP -
RFQ
 ECAD 2831 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 225AA, 126-3 2SD882 1,25 Вт 126 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0075 1000 30 3 а 1 мка Npn 500 мВ 200 май, 2а 100 @ 1a, 2v 50 мг
JANTX2N3811L Microsemi Corporation Jantx2n3811l -
RFQ
 ECAD 6178 0,00000000 Microsemi Corporation ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/336 МАССА Управо -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru До 78-6 МЕТАЛЛИСКАСКА 2N3811 350 м 128-6 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1 60 50 май 10 мк (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 250 м. Прри 100 мк, 1 мая 300 @ 1MA, 5V -
JANSM2N3501UB Microchip Technology Jansm2n3501UB 94 3500
RFQ
 ECAD 4609 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен - Rohs3 DOSTISH 150-JANSM2N3501UB 1
JANSL2N3057A Microchip Technology Jansl2n3057a 127.0302
RFQ
 ECAD 8890 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/391 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru TO-206AB, TO-46-3 METLAC BAN BAN 500 м О 46 - DOSTISH 150-JANSL2N3057A 1 80 1 а 10NA Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 100 @ 150 май, 10 В -
2N4401TF onsemi 2N4401TF 0,3700
RFQ
 ECAD 18 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 2N4401 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 40 600 май - Npn 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 150 май, 1в 250 мг
BC857BSQ-7-F Diodes Incorporated BC857BSQ-7-F 0,3600
RFQ
 ECAD 9946 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 BC857 200 м SOT-363 СКАХАТА DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 100 май 15NA (ICBO) 2 PNP (DVOйNOй) 400 мВ @ 5ma, 100 мая 220 @ 2MA, 5V 100 мг
PDTA143XU,115 NXP Semiconductors PDTA143XU, 115 0,0200
RFQ
 ECAD 742 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-PDTA143XU, 115-954 1
2DA1774QLP-7-1 Diodes Incorporated 2DA1774QLP-7-1 -
RFQ
 ECAD 6396 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо 2DA1774 - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 31-2DA1774QLP-7-1TR Управо 3000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть