SIC
close

БИПОЛАРНА (BJT) (35082)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Власта - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Прирост Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это Vce saturation (max) @ ib, ic DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F)
BC237CBU onsemi BC237CBU -
RFQ
 ECAD 4376 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC237 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 1000 45 100 май 15NA Npn 600 мВ @ 5ma, 100 мая 380 @ 2ma, 5V 250 мг
2N3762 Microchip Technology 2N3762 27.5443
RFQ
 ECAD 5466 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 1 Вт TO-39 (DO 205 g.) - DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 40 1,5 а 10 мк (ICBO) Pnp 900 мВ @ 100ma, 1a 30 @ 1a, 1,5 -
BC54-10PASX Nexperia USA Inc. BC54-10PASX 0,0913
RFQ
 ECAD 7608 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-udfn otkrыtaiNavaIn-o BC54 420 м DFN2020D-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 45 1 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 50 май, 500 матов 63 @ 150ma, 2v 180 мг
PN3645 NTE Electronics, Inc PN3645 0,1700
RFQ
 ECAD 188 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs 2368-PN3645 Ear99 8541.21.0095 1 60 800 млн 35NA Pnp 400 мВ @ 15 май, 150 мат 100 @ 150 май, 10 В -
BC556CTA onsemi BC556CTA -
RFQ
 ECAD 2676 0,00000000 OnSemi - Lenta и коробка (TB) Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА BC556 500 м ДО 92-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 2000 65 100 май 15NA (ICBO) Pnp 650 мВ @ 5ma, 100 мая 420 @ 2MA, 5V 150 мг
DMA561020R Panasonic Electronic Components DMA561020R -
RFQ
 ECAD 9825 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер 6-SMD (5 проводока), Плоскин С.С. DMA561 150 м Smini5-F3-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervaritelnos -stmeheneeneneeneenen (dvoйnoй) (эmithtternoe odyneneneee) 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 60 @ 5ma, 10 В - 22khh 22khh
PBSS4240ZX NXP USA Inc. PBSS4240ZX 0,1000
RFQ
 ECAD 4159 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен Пефер 261-4, 261AA SOT-223 СКАХАТА Ear99 8541.29.0075 1
JANTX2N3636UB Microchip Technology JantX2N3636UB 15.4280
RFQ
 ECAD 9870 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/357 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 2N3636 1,5 3-SMD СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 175 1 а 10 мк Pnp 600 мВ @ 5ma, 50 мая 50 @ 50ma, 10 В -
2SD571-AZ Renesas 2SD571-AZ -
RFQ
 ECAD 5114 0,00000000 RerneзAs - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 3-sip - - 2156-2SD571-AZ 1 100NA (ICBO) Npn 600 мВ @ 2ma, 20 мая - 110 мг
BFU690F,115 NXP USA Inc. BFU690F, 115 0,6700
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SOT-343F BFU690 230 м 4-DFP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 15,5 дб ~ 18,5 дБ 5,5 В. 100 май Npn 90 @ 20 май, 2 В 18 Гер 0,6 дБ ~ 0,7 gpri 1,5gц ~ 2,4gц
TIP125 Central Semiconductor Corp TIP125 -
RFQ
 ECAD 6546 0,00000000 Central Semiconductor Corp - МАССА Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 220-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH TIP125CS Ear99 8541.29.0095 400 60 500 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 4 В @ 20 май, 5А 1000 @ 3a, 3v 4 мг
UMZ2N-TP Micro Commercial Co Umz2n-tp 0,1044
RFQ
 ECAD 9403 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 Umz2 150 м SOT-363 СКАХАТА 353-umz2n-tp Ear99 8541.21.0075 1 50 150 май 100NA (ICBO) NPN, Pnp 400 мВ @ 5ma, 50 май / 500 мВ @ 5ma, 50ma 120 @ 1MA, 6V 180 мг.
MMST4403T146 Rohm Semiconductor MMST4403T146 0,4700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMST4403 200 м SMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 40 600 май 100NA (ICBO) Pnp 750 мВ 50 мам, 500 маточков 100 @ 150 май, 1в 200 мг
2SC5007-T1-A CEL 2SC5007-T1-A -
RFQ
 ECAD 5587 0,00000000 СМЕРЕЛЕР - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 125 м SOT-523 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 12 дБ 10 В 65 май Npn 80 @ 7ma, 3V 7 гер 1,4db @ 1 ggц
UNR511700L Panasonic Electronic Components UNR511700L -
RFQ
 ECAD 3677 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SC-70, SOT-323 UNR511 150 м Smini3-G1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA Pnp - prervariotelno-cmepts 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 160 @ 5ma, 10 В 80 мг 22 Kohms
JANTXV2N4931U4 Microchip Technology Jantxv2n4931u4 -
RFQ
 ECAD 8801 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/397 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, neTLIDERSTVA 1 Вт U4 - Rohs DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 250 200 май Pnp 1,2 - @ 3ma, 30 ма 50 @ 30 мА, 10 В -
CP304V-MPSA06-CT Central Semiconductor Corp CP304V-MPSA06-CT -
RFQ
 ECAD 2742 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Поднос Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират Умират СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0040 400 80 500 май 100NA Npn 250 мВ @ 10ma, 100 мая 100 @ 100ma, 1в 100 мг
FMMT555TA Diodes Incorporated Fmmt555ta 0,4400
RFQ
 ECAD 73 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT555 500 м SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 150 1 а 100NA (ICBO) Pnp 300 мВ @ 10ma, 100 мА 50 @ 300 май, 10 В 100 мг
JANSF2N2907AUA Microchip Technology Jansf2n2907aua 157,5000
RFQ
 ECAD 7788 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/291 МАССА Актифен -65 ° C ~ 200 ° C. Пефер 4-SMD, neTLIDERSTVA 500 м UA - DOSTISH 150-jansf2n2907aua 1 60 600 май 50NA Pnp 1,6 В @ 50 май, 500 маточков 100 @ 150 май, 10 В -
2N4925 Microchip Technology 2N4925 18.4950
RFQ
 ECAD 1415 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА * МАССА Актифен - DOSTISH 150-2N4925 1
DMG564030R Panasonic Electronic Components DMG564030R -
RFQ
 ECAD 6788 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер 6-SMD, Плоскильлид DMG56403 150 м Smini6-F3-B - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 80 @ 5ma, 10 В - 47komm 47komm
DDTC114GKA-7-F Diodes Incorporated DDTC114GKA-7-F -
RFQ
 ECAD 4300 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC114 200 м SC-59-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 50 100 май 500NA (ICBO) Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Kohms
MJD117-1G onsemi MJD117-1G -
RFQ
 ECAD 8087 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА MJD117 1,75 Вт I-pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 100 2 а 20 мк PNP - ДАРЛИНГТОН 3v @ 40ma, 4a 1000 @ 2a, 3v 25 мг
NP061A500A Panasonic Electronic Components NP061A500A -
RFQ
 ECAD 7975 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер SOT-963 NP061A5 125 м SSSMINI6-F1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 10000 50 80 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 300 мк, 10 мая 160 @ 5ma, 10 В 80 мг 10 Комов -
KSA614Y onsemi KSA614Y -
RFQ
 ECAD 9603 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 KSA614 25 Вт 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1200 55 3 а 50 мк (ICBO) Pnp 500 мВ @ 100ma, 1a 120 @ 500 май, 5в -
BDW53-S Bourns Inc. BDW53-S. -
RFQ
 ECAD 5538 0,00000000 Bourns Inc. - Трубка Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BDW53 2 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 15 000 45 4 а 500 мк Npn - дарлино 4V @ 40MA, 4A 750 @ 1,5A, 3V -
CMLT5551 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMLT5551 TR PBFREE 0,4300
RFQ
 ECAD 851 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 CMLT5551 350 м SOT-563 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0075 3000 160В 600 май 50na (ICBO) 2 npn (дВОХАНЕй) 200 мВ @ 5ma, 50 мая 80 @ 10ma, 5в 300 мг
DMA2610H0R Panasonic Electronic Components DMA2610H0R -
RFQ
 ECAD 1476 0,00000000 Panasonic glektronnene -Componentы - Lenta и катахка (tr) Пркрэно Пефер SC-74A, SOT-753 DMA2610 300 м Mini5-g3-b - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 250 мВ @ 500 мк, 10 мая 30 @ 5ma, 10 В - 2,2KOM 10 Комов
FJN5471TA Fairchild Semiconductor Fjn5471ta 0,0200
RFQ
 ECAD 1678 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 226-3, С ПЕРМИРОВАНАННА 750 м ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0075 327 20 5 а 100NA (ICBO) Npn 500 мВ @ 100ma, 3a 700 @ 500ma, 2V 150 мг
IMD3AT108 Rohm Semiconductor IMD3AT108 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен Пефер SC-74, SOT-457 IMD3 300 м SMT6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 50 100 май 500NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 300 мВ 500 мк, 10 30 @ 5ma, 5в 250 мг 10 Комов 10 Комов
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть