SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
2N7002KW_R1_00001 Panjit International Inc. 2N7002KW_R1_00001 0,1900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 2N7002 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 115ma (TA) 4,5 В, 10. 3OM @ 500 мА, 10 В 2,5 -50 мк 0,8 NC @ 4,5 ± 20 В. 35 PF @ 25 V - 200 мт (таблица)
PJC7407_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7407_R1_00001 0,4400
RFQ
 ECAD 59 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 PJC7407 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-323 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-PJC7407_R1_00001TR Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 20 1.3a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 125mohm @ 1,3a, 4,5 1,2- 250 мк 5,4 NC @ 4,5 ± 12 В. 416 PF @ 10 V - 350 мт (таблица)
SIHG026N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG026N60EF-GE3 14.3000
RFQ
 ECAD 4124 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-247AC СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 742-SIHG026N60EF-GE3 Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 600 95A (TC) 10 В 26mohm @ 38a, 10v 5 w @ 250 мк 227 NC @ 10 V ± 30 v 7926 pf @ 100 v - 521 Вт (TC)
SQJQ144AER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ144AER-T1_GE3 2.8300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 8 x 8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® 8 x 8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 40 575A (TC) 10 В 0,9 м 3,5 В @ 250 мк 145 NC @ 10 V ± 20 В. 9020 PF @ 25 V - 600 м (TC)
PJQ5420_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5420_R2_00001 0,1992
RFQ
 ECAD 9821 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn PJQ5420 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN5060-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-PJQ5420_R2_00001TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 10.5a (ta), 60a (TC) 4,5 В, 10. 9mohm @ 16a, 10v 2,5 -50 мк 7,1 NC @ 4,5 ± 20 В. 763 PF @ 25 V - 2W (TA), 54W (TC)
PJF4NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJF4NA70_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 2554 0,00000000 Panjit International Inc. - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- PJF4NA70 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ito-220AB - Rohs3 1 (neograniчennnый) 3757-PJF4NA70_T0_00001 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 700 4a (TA) 10 В 2.8om @ 2a, 10 В 4 В @ 250 мк 10,5 NC @ 10 V ± 30 v 514 PF @ 25 V - 33 Вт (TC)
BSP100,135 NXP Semiconductors BSP100,135 0,2000
RFQ
 ECAD 28 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Трентмос ™ МАССА Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-BSP100,135-954 Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 30 3.2a (TA) 4,5 В, 10. 100mohm @ 2,2a, 10 В 2.8V @ 1MA 6 NC @ 10 V ± 20 В. 250 pf @ 20 v - 8,3 Вт (TC)
NX6008NBKR Nexperia USA Inc. NX6008NBKR 0,2200
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 270 май (таблица) 1,5 В, 4,5 В. 2.8OM @ 300 май, 4,5 900 мВ @ 250 мк 0,7 NC @ 4,5 ± 8 v 27 pf @ 30 v - 270 мт (TA), 1,3 st (TC)
R6520ENXC7G Rohm Semiconductor R6520ENXC7G 5.3400
RFQ
 ECAD 987 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- R6520 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220FM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-R6520ENXC7G Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 20А (тат) 10 В 205mohm @ 9.5a, 10 4 В @ 630 мк 61 NC @ 10 V ± 20 В. 1400 pf @ 25 v - 68 Вт (ТС)
R6020KNXC7G Rohm Semiconductor R6020KNXC7G 4,9000
RFQ
 ECAD 775 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- R6020 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220FM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-R6020KNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 20А (тат) 10 В 196mohm @ 9.5a, 10v 5V @ 1MA 40 NC @ 10 V ± 20 В. 1550 pf @ 25 v - 68 Вт (ТС)
R6524KNXC7G Rohm Semiconductor R6524KNXC7G 5.5800
RFQ
 ECAD 990 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- R6524 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220FM СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 846-R6524KNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 24а (тат) 10 В 185mohm @ 11.3a, 10v 5в @ 750 мк 45 NC @ 10 V ± 20 В. 1850 PF @ 25 V - 74W (TC)
PSMNR55-40SSHJ Nexperia USA Inc. PSMNR55-40SSHJ 7.0900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOT-1235 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK88 (SOT1235) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 40 500A (TTA) 10 В 0,55 мм @ 25a, 10 3,6 В @ 1MA 267 NC @ 10 V ± 20 В. 21162 PF @ 25 V - 375W (TA)
DMP3011SFVWQ-7 Diodes Incorporated DMP3011SFVWQ-7 0,3045
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn DMP3011 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 П-канал 30 19.8a (TA), 50a (TC) 4,5 В, 10. 10mohm @ 11.5a, 10 ЕС 3 В @ 250 мк 46 NC @ 10 V ± 25 В 2380 pf @ 15 v - 980 м
BUK7Y59-60EX NXP Semiconductors BUK7Y59-60EX -
RFQ
 ECAD 7909 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Трентмос ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 2156-Buk7y59-60ex-954 Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 60 17a (TC) 10 В 59mohm @ 5a, 10v 4 В @ 1MA 7,8 NC @ 10 V ± 20 В. 494 PF @ 25 V - 37W (TC)
PSMN070-200P,127 NXP Semiconductors PSMN070-200P, 127 1.1300
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Трентмос ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-PSMN070-200P, 127-954 1 N-канал 200 35A (TC) 10 В 70mohm @ 17a, 10 В 4 В @ 1MA 77 NC @ 10 V ± 20 В. 4570 PF @ 25 V - 250 yt (TC)
PMPB95ENEA/FX NXP Semiconductors PMPB95ENEA/FX 0,1200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN2020MD-6 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-PMPB95ENEA/FX-954 1 N-канал 80 4.1a (TA) 4,5 В, 10. 105mohm @ 2,8a, 10 В 2,7 В @ 250 мк 14,9 NC @ 10 V ± 20 В. 504 PF @ 40 V - 1,6 yt (tat)
PHD71NQ03LT,118 NXP Semiconductors PHD71NQ03LT, 118 -
RFQ
 ECAD 7622 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Трентмос ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-PHD71NQ03LT, 118-954 1 N-канал 30 75A (TC) 5 В, 10 В. 10mohm @ 25a, 10 В 2,5 h @ 1ma 13,2 NC @ 5 V ± 20 В. 1220 PF @ 25 V - 120 Вт (TC)
PSMN2R0-60ES,127 NXP Semiconductors PSMN2R0-60ES, 127 14000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA PSMN2R0 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-PSMN2R0-60ES, 127-954 1 N-канал 60 120A (TC) 10 В 2,2mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 1MA 137 NC @ 10 V ± 20 В. 9997 PF @ 30 V - 338W (TC)
CPH6424-TL-E onsemi CPH6424-TL-E 0,4400
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-CPH6424-TL-E-488 1
IPS70R2K0CEE8211AKMA1 Infineon Technologies IPS70R2K0CEE8211AKMA1 0,2300
RFQ
 ECAD 40 0,00000000 Infineon Technologies * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-IPS70R2K0CEE8211AKMA1-448 1
IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R065S7XKSA1 6.7700
RFQ
 ECAD 4855 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ S7 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Ipp60r МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 8a (TC) 12 65mohm @ 8a, 12v 4,5 В @ 490 мк 51 NC @ 12 V ± 20 В. 1932 PF @ 300 - 167W (TC)
IPT063N15N5ATMA1 Infineon Technologies IPT063N15N5ATMA1 5.8100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powersfn IPT063N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-HSOF-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 448-IPT063N15N5ATMA1DKR Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 150 16.2a (TA), 122a (TC) 8 В, 10 В. 6,3 мома @ 50a, 10 4,6 В @ 153 мка 59 NC @ 10 V ± 20 В. 4550 pf @ 75 - 3,8 Вт (ТА), 214W (TC)
IPBE65R145CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPBE65R145CFD7AATMA1 3.4789
RFQ
 ECAD 7132 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-8, D²PAK (7 голов + TAB), TO-263CA IPBE65R МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-7-11 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 650 17a (TC) 10 В 145mohm @ 8.5a, 10 В 4,5 В @ 420 мк 36 NC @ 10 V ± 20 В. 1694 PF @ 400 - 98W (TC)
IAUA250N04S6N006AUMA1 Infineon Technologies IAUA250N04S6N006AUMA1 4.4500
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 5-Powersfn IAUA250 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-HSOF-5-4 - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 40 450A (TJ) 7 В, 10 В. 0,64moхma @ 100a, 10 В 3V @ 145 мк 169 NC @ 10 V ± 20 В. 11064 PF @ 25 V - 250 yt (TC)
IAUC26N10S5L245ATMA1 Infineon Technologies IAUC26N10S5L245ATMA1 0,5973
RFQ
 ECAD 1870 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TDSON-8-33 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 100 26a (TJ) 4,5 В, 10. 24,5mohm @ 13a, 10 В 2.2 w @ 13 мк 12 NC @ 10 V ± 20 В. 762 pf @ 50 v - 40 yt (tc)
IPTG018N10NM5ATMA1 Infineon Technologies IPTG018N10NM5ATMA1 6.1800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powersmd, krыlo чaйky IPTG018N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-HSOG-8-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1800 N-канал 100 32A (TA), 273A TC) 6 В, 10 В. 1,8mohm @ 150a, 10 В 3,8 В @ 202 мка 152 NC @ 10 V ± 20 В. 11000 pf @ 50 v - 3,8 Вт (ТА), 273 Вт (ТС)
IQE030N06NM5ATMA1 Infineon Technologies IQE030N06NM5ATMA1 2.9600
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn IQE030N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TSON-8-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 21a (ta), 137a (TC) 6 В, 10 В. 3mohm @ 20a, 10v 3,3 - @ 50 мк 49 NC @ 10 V ± 20 В. 3800 pf @ 30 v - 2,5 yt (ta), 107w (TC)
IAUC50N08S5L096ATMA1 Infineon Technologies IAUC50N08S5L096ATMA1 0,6636
RFQ
 ECAD 9366 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TDSON-8-33 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 80 50 часов 4,5 В, 10. 9,6mohm @ 25a, 10 В 2 w @ 24 мка 29 NC @ 10 V ± 20 В. 1684 PF @ 40 V - 60 yt (tc)
IRF122 International Rectifier IRF122 0,8800
RFQ
 ECAD 731 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА * МАССА Актифен СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-IRF122-600047 0000.00.0000 1
NDP708AE Fairchild Semiconductor NDP708AE 2.2600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor * МАССА Актифен СКАХАТА Продан Продан 2156p708ae-600039 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть