SIC
close

Одино -вполь

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
IXTT30N50P IXYS Ixtt30n50p -
RFQ
 ECAD 2711 0,00000000 Ixys Пола Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Ixtt30 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-268AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 500 30А (TC) 10 В 200 месяцев @ 15a, 10 В 5 w @ 250 мк 70 NC @ 10 V ± 30 v 4150 pf @ 25 v - 460 yt (tc)
SI2333DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI233333DDS-T1-GE3 0,4200
RFQ
 ECAD 8990 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2333 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 12 6А (TC) 1,5 В, 4,5 В. 28mohm @ 5a, 4,5 1В @ 250 мк 35 NC @ 8 V ± 8 v 1275 PF @ 6 V - 1,2 yt (ta), 1,7 yt (tc)
DMP3025LK3-13-01 Diodes Incorporated DMP3025LK3-13-01 -
RFQ
 ECAD 5420 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 DMP3025 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH DMP3025LK3-13-01DITR Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 30 16.1a (TA) 4,5 В, 10. 25mohm @ 7.1a, 10 В 3 В @ 250 мк 31,6 NC @ 10 V ± 20 В. 1678 PF @ 15 V - 2,15 yt (tat)
IRL3716PBF Infineon Technologies IRL3716PBF -
RFQ
 ECAD 3211 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 20 180a (TC) 4,5 В, 10. 4mohm @ 90a, 10v 3 В @ 250 мк 79 NC @ 4,5 ± 20 В. 5090 PF @ 10 V - 210 Вт (TC)
DMP3007SCG-7 Diodes Incorporated DMP3007SCG-7 0,8000
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn DMP3007 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) V-DFN3333-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 П-канал 30 50a (TC) 4,5 В, 10. 6,8mohm @ 11,5a, 10v 3 В @ 250 мк 64,2 NC @ 10 V ± 25 В 2826 PF @ 15 V - 2,4 yt (tat)
IRL2703STRLPBF Infineon Technologies IRL2703Strlpbf -
RFQ
 ECAD 4608 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 30 24а (TC) 4,5 В, 10. 40mohm @ 14a, 10v 1В @ 250 мк 15 NC @ 4,5 ± 16 В. 450 pf @ 25 v - 45 Вт (TC)
IXTP3N100P IXYS Ixtp3n100p 4.6800
RFQ
 ECAD 600 0,00000000 Ixys Polairnый p3 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Ixtp3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 1000 3a (TC) 10 В 4,8 ОМ @ 1,5A, 10 В 4,5 -50 мк 39 NC @ 10 V ± 20 В. 1100 pf @ 25 v - 125W (TC)
ZVNL120CSTZ Diodes Incorporated ZVNL120CSTZ -
RFQ
 ECAD 5964 0,00000000 Дидж - Lenta и коробка (TB) Управо - Чereз dыru E-Line-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Электронная линия (до 92 года - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 N-канал 200 180ma (TA) 3V, 5V 10OM @ 250 мА, 5в 1,5 h @ 1ma ± 20 В. 85 PF @ 25 V - 700 мт (таблица)
PMT280ENEAX Nexperia USA Inc. PMT280ENEAX 0,4300
RFQ
 ECAD 8312 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA PMT280 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1000 N-канал 100 1.5a (TA) 4,5 В, 10. 385MOM @ 1,5A, 10 В 2,7 В @ 250 мк 6,8 NC @ 10 V ± 20 В. 195 PF @ 50 V - 770 м
C3M0350120J Wolfspeed, Inc. C3M0350120J 6.7300
RFQ
 ECAD 1237 0,00000000 Wolfspeed, Inc. C3M ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-8, D²PAK (7 голов + TAB), TO-263CA C3M0350120 Sicfet (kremniewый karbid) 263-7 СКАХАТА 3 (168 чASOW) 1697-C3M0350120J Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 1200 7.2a (TC) 15 455mohm @ 3,6a, 15 3,6 В @ 1MA 13 NC @ 15 V +15, -4. 345 PF @ 1000 - 40,8 Вт (TC)
SSM3K17SU,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K17SU, LF (d -
RFQ
 ECAD 9558 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee * Lenta и катахка (tr) Управо SSM3K17 - 1 (neograniчennnый) SSM3K17Sulf (d Ear99 8541.21.0095 3000 100 май (таблица)
MCQ20N03HE3-TP Micro Commercial Co MCQ20N03HE3-TP 0,2306
RFQ
 ECAD 5366 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) MCQ20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА 353-MCQ20N03HE3-TP Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 30 20А (тат) 4,5 В, 10. 6,3 мома @ 18a, 10 В 2,5 -50 мк 46,3 NC @ 10 V ± 20 В. 2191 PF @ 15 V - 3W
ZVP0545GTA Diodes Incorporated ZVP0545GTA 0,8800
RFQ
 ECAD 5386 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA ZVP0545 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 П-канал 450 75 май (таблица) 10 В 150OM @ 50 мА, 10 В 4,5 Е @ 1MA ± 20 В. 120 pf @ 25 v - 2W (TA)
MMBF0201NLT1 onsemi MMBF0201NLT1 -
RFQ
 ECAD 1029 0,00000000 OnSemi - Веса Управо Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBF02 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH MMBF0201NLT1OSTR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 20 300 май (таблица) 1hm @ 300 мА, 10 В 2,4 В @ 250 мк 45 pf @ 5 v -
RSF015N06TL Rohm Semiconductor RSF015N06TL 0,4400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, Ploskie provodky RSF015 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Tumt3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 1.5a (TA) 4 В, 10 В. 290mohm @ 1,5a, 10 В 2,5 h @ 1ma 2 NC @ 5 V ± 20 В. 110 pf @ 10 v - 800 мт (таблица)
FDD13AN06A0_NL Fairchild Semiconductor FDD13AN06A0_NL -
RFQ
 ECAD 6377 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 60 9.9a (ta), 50a (TC) 6 В, 10 В. 13,5mohm @ 50a, 10 В 4 В @ 250 мк 29 NC @ 10 V ± 20 В. 1350 pf @ 25 v - 115W (TC)
GPI65060DFN GaNPower GPI65060DFN 30.0000
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 Ghanpauэr - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Умират Ganfet (intrid galkina) Умират СКАХАТА Neprigodnnый Продан Продан 4025-GPI65060DFNTR Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 650 60A 6в 1,2 - @ 3,5 мая 16 NC @ 6 V +7,5, -12 В. 420 pf @ 400 - -
SUM50P10-42-E3 Vishay Siliconix SUM50P10-42-E3 -
RFQ
 ECAD 1570 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SUMMA50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 100 36a (TC) 4,5 В, 10. 4,2 мома @ 14a, 10 3 В @ 250 мк 160 NC @ 10 V ± 20 В. 4600 pf @ 50 v - 18,8W (TA), 125W (TC)
SPI08N50C3HKSA1 Infineon Technologies SPI08N50C3HKSA1 -
RFQ
 ECAD 8993 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA SPI08N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO262-3-1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP000014461 Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 500 7.6A (TC) 10 В 600 мм @ 4,6a, 10 3,9 В @ 350 мк 32 NC @ 10 V ± 20 В. 750 pf @ 25 v - 83W (TC)
64-2137PBF Infineon Technologies 64-2137PBF -
RFQ
 ECAD 6870 0,00000000 Infineon Technologies * Трубка Актифен 64-2137 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001575026 Ear99 8541.29.0095 50
STL160N4F7 STMicroelectronics STL160N4F7 1.5700
RFQ
 ECAD 7628 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ F7 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn STL160 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerFlat ™ (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 40 120A (TC) 10 В 2,5mohm @ 16a, 10v 4 В @ 250 мк 29 NC @ 10 V ± 20 В. 2300 pf @ 25 v - 111W (TC)
IXFZ140N25T IXYS Ixfz140n25t 34.3115
RFQ
 ECAD 3023 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Trench Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-SMD, Плоскильлид IXFZ140 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DE475 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 20 N-канал 250 100a (TC) 10 В 17mohm @ 60a, 10 В 5V @ 4MA 255 NC @ 10 V ± 20 В. 19000 pf @ 25 v - 445W (TC)
HUFA75329D3S onsemi HUFA75329D3S -
RFQ
 ECAD 4976 0,00000000 OnSemi Ultrafet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 HUFA75 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 55 20А (TC) 10 В 26mohm @ 20a, 10v 4 В @ 250 мк 65 NC @ 20 V ± 20 В. 1060 pf @ 25 v - 128W (TC)
IRLML6302TRPBF Infineon Technologies IRLML6302TRPBF 0,5600
RFQ
 ECAD 282 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 IRLML6302 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Micro3 ™/SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 20 780ma (TA) 2,7 В, 4,5 В. 600mohm @ 610ma, 4,5 1,5 В @ 250 мк 3,6 NC @ 4,45 ± 12 В. 97 pf @ 15 v - 540 м
PMZ760SN,315 Nexperia USA Inc. PMZ760SN, 315 -
RFQ
 ECAD 8731 0,00000000 Nexperia USA Inc. Трентмос ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-883 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10000 N-канал 60 1.22a (TC) 4,5 В, 10. 900mohm @ 300 мА, 10 В 3 В @ 250 мк 1.05 NC @ 10 V ± 20 В. 23 pf @ 30 v - 2,5 yt (TC)
DMS2220LFW-7 Diodes Incorporated DMS2220LFW-7 -
RFQ
 ECAD 8252 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-vdfn oTkrыTAIN МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN3020 (3x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 2.9a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 95mohm @ 2,8a, 4,5 1,3 Е @ 250 мк ± 12 В. 632 PF @ 10 V Диджотки (Иолировананн) 1,5 yt (tat)
SI4427BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4427BDY-T1-E3 1.6500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI4427 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 30 9.7a (TA) 2,5 В, 10 В. 10,5mohm @ 12.6a, 10 В 1,4 В @ 250 мк 70 NC @ 4,5 ± 12 В. - 1,5 yt (tat)
IRFS38N20DTRRP Infineon Technologies IRFS38N20DTRRP -
RFQ
 ECAD 1722 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001565034 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 200 43a (TC) 10 В 54mohm @ 26a, 10 В 5 w @ 250 мк 91 NC @ 10 V ± 20 В. 2900 pf @ 25 v - 3,8 yt (ta), 300 st (tc)
IRF1407STRLPBF Infineon Technologies IRF1407strlpbf 2.8600
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRF1407 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 75 100a (TC) 10 В 7,8mohm @ 78a, 10 В 4 В @ 250 мк 250 NC @ 10 V ± 20 В. 5600 pf @ 25 v - 3,8 Вт (TA), 200 st (TC)
RFP3055 onsemi RFP3055 -
RFQ
 ECAD 8757 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 RFP30 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 N-канал 60 12a (TC) 10 В 150mohm @ 12a, 10v 4 В @ 250 мк 23 NC @ 20 V ± 20 В. 300 pf @ 25 v - 53 Вт (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть