SIC
close

Одино -вполь

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
NTMS4404NR2 onsemi NTMS4404NR2 -
RFQ
 ECAD 6166 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) NTMS44 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2500 N-канал 30 7A (TA) 4,5 В, 10. 11,5mohm @ 12a, 10 В 3 В @ 250 мк 70 NC @ 10 V ± 20 В. 2500 PF @ 24 - 830 м. (ТАК)
BSS84LT7G onsemi BSS84LT7G 0,3900
RFQ
 ECAD 6003 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 (TO-236) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3500 П-канал 50 130 мам (таблица) 5в 10OM @ 100ma, 5 В 2 В @ 250 мк 2.2 NC @ 10 V ± 20 В. 36 pf @ 5 v - 225 мг (таблица)
NTD65N03R-035 onsemi NTD65N03R-035 -
RFQ
 ECAD 7135 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru До 251-3 лиды, Ипак NTD65 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 25 В 9.5A (TA), 32A (TC) 4,5 В, 10. 8,4mohm @ 30a, 10 В 2 В @ 250 мк 16 NC @ 5 V ± 20 В. 1400 pf @ 20 v - 1,3 yt (ta), 50 yt (tc)
2SK4016(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4016 (Q) -
RFQ
 ECAD 1323 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SK4016 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220SIS СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 13a (TA) 10 В 500mohm @ 6,5a, 10 В 4 В @ 1MA 62 NC @ 10 V ± 30 v 3100 pf @ 25 v - 50 yt (tc)
APT40M35JVFR Microsemi Corporation APT40M35JVFR -
RFQ
 ECAD 8998 0,00000000 Microsemi Corporation Power MOS V® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Isotop® СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 400 93A (TC) 10 В 35mohm @ 46.5a, 10 4V @ 5MA 1065 NC @ 10 V ± 30 v 20160 PF @ 25 V - 700 м (ТС)
NTB13N10T4G onsemi NTB13N10T4G -
RFQ
 ECAD 2279 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB NTB13 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH NTB13N10T4GOS Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 100 13a (TA) 10 В 165mohm @ 6,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 20 NC @ 10 V ± 20 В. 550 pf @ 25 v - 64,7 -
TK155A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK155A65Z, S4X 3.1400
RFQ
 ECAD 7428 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Dtmosvi Трубка Актифен 150 ° С Чereз dыru 220-3- TK155A65 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220SIS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 18a (TA) 10 В 155mohm @ 9a, 10v 4в @ 730 мк 29 NC @ 10 V ± 30 v 1635 PF @ 300 - 40 yt (tc)
IRLI530NPBF Infineon Technologies Irili530npbf -
RFQ
 ECAD 6365 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220AB Full-Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 100 12a (TC) 4 В, 10 В. 100mohm @ 9a, 10 В 2 В @ 250 мк 34 NC @ 5 V ± 16 В. 800 pf @ 25 v - 41 Вт (TC)
FQI4P40TU onsemi FQI4P40TU -
RFQ
 ECAD 3095 0,00000000 OnSemi QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA FQI4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 П-канал 400 3.5a (TC) 10 В 3,1 в 1,75а, 10 В 5 w @ 250 мк 23 NC @ 10 V ± 30 v 680 PF @ 25 V - 3,13 yt (ta), 85 yt (tc)
IXFH35N30Q IXYS IXFH35N30Q -
RFQ
 ECAD 2373 0,00000000 Ixys Hiperfet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXFH35 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-247AD (IXFH) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 300 35A (TC) 10 В 100mohm @ 17,5a, 10 В 4V @ 4MA 200 NC @ 10 V ± 20 В. 4800 pf @ 25 v - 300 м (TC)
YJL3404A Yangjie Technology YJL3404A 0,0380
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-YJL3404ATR Ear99 3000
BSS7728NL6327HTSA1 Infineon Technologies BSS7728NL6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 1116 0,00000000 Infineon Technologies SIPMOS® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-SOT23 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 200 мая (таблица) 4,5 В, 10. 5OM @ 500 мА, 10 В 2,3 - @ 26 мка 1,5 NC @ 10 V ± 20 В. 56 pf @ 25 v - 360 м
IRF150P221XKMA1 Infineon Technologies IRF150P221XKMA1 -
RFQ
 ECAD 9963 0,00000000 Infineon Technologies Strongirfet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IRF150 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 150 186a (TC) 10 В 4,5mohm @ 100a, 10 В 4,6 В @ 264 мка 100 NC @ 10 V ± 20 В. 6000 pf @ 75 - 341W (TC)
UPA2350T1G(2)-E4-A Renesas Electronics America Inc UPA2350T1G (2) -e4 -A 0,4800
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 5000
IXTU5N50P IXYS Ixtu5n50p -
RFQ
 ECAD 1638 0,00000000 Ixys Пола Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Ixtu5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 500 4.8a (TC) 10 В 1,4om @ 2,4a, 10 В 5,5 -прри 50 мк 12,6 NC @ 10 V ± 30 v 620 PF @ 25 V - 89 Вт (ТС)
IPD30N06S2L-23 Infineon Technologies IPD30N06S2L-23 -
RFQ
 ECAD 1850 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3-11 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 55 30А (TC) 4,5 В, 10. 23mohm @ 22a, 10v 2 w @ 50 мк 42 NC @ 10 V ± 20 В. 1091 PF @ 25 V - 100 yt (tc)
IXTH160N10T IXYS IXTH160N10T 7.0700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Ixys Поящь Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXTH160 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-247 (IXTH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 100 160a (TC) 10 В 7mohm @ 25a, 10 В 4,5 -50 мк 132 NC @ 10 V ± 30 v 6600 pf @ 25 v - 430 Вт (TC)
STB17N80K5 STMicroelectronics STB17N80K5 4.9700
RFQ
 ECAD 976 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ K5 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STB17 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 800 В 14a (TC) 10 В 340mom @ 7a, 10 В 5 w @ 250 мк 26 NC @ 10 V ± 30 v 866 pf @ 100 v - 170 Вт (TC)
IRFU3910PBF Infineon Technologies IRFU3910PBF 1.1200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА IRFU3910 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ipak (DODU 251AA) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 100 16a (TC) 10 В 115mohm @ 10a, 10v 4 В @ 250 мк 44 NC @ 10 V ± 20 В. 640 PF @ 25 V - 79 Вт (ТС)
NTMFS5C426NT1G onsemi NTMFS5C426NT1G 4.0600
RFQ
 ECAD 8569 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NTMFS5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 40 41A (TA), 235A (TC) 10 В 1,3 мома @ 50a, 10 3,5 В @ 250 мк 65 NC @ 10 V ± 20 В. 4300 pf @ 25 v - 3,8 Вт (ТА), 128 Вт (ТС)
IXKC25N80C IXYS Ixkc25n80c -
RFQ
 ECAD 9404 0,00000000 Ixys Coolmos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru Isoplus220 ™ IXKC25 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Isoplus220 ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 800 В 25a (TC) 10 В 150mohm @ 18a, 10 В 4 В @ 2MA 180 NC @ 10 V ± 20 В. 4600 pf @ 25 v - -
AUIRF9Z34N Infineon Technologies Auirf9z34n -
RFQ
 ECAD 3569 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 П-канал 55 19a (TC) 10 В 100mohm @ 10a, 10v 4 В @ 250 мк 35 NC @ 10 V ± 20 В. 620 PF @ 25 V - 68 Вт (ТС)
2N6660JTXL02 Vishay Siliconix 2N6660JTXL02 -
RFQ
 ECAD 2234 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 205 годов, 39-3 Металлабанка 2N6660 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) До 205 g. (39). СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 20 N-канал 60 990ma (TC) 5 В, 10 В. 3OM @ 1A, 10 В 2V @ 1MA ± 20 В. 50 PF @ 25 V - 725 мт (TA), 6,25 st (TC)
STH240N75F3-2 STMicroelectronics STH240N75F3-2 6.2300
RFQ
 ECAD 93 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ iii Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STH240 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) H2PAK-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 75 180a (TC) 10 В 3mohm @ 90a, 10v 4 В @ 250 мк 87 NC @ 10 V ± 20 В. 6800 pf @ 25 v - 300 м (TC)
AUIRF7799L2TR International Rectifier AUIRF7799L2TR -
RFQ
 ECAD 5314 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер DirectFet ™ IзOTRIGHYSKIй L8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DirectFet ™ IзOTRIGHYSKIй L8 СКАХАТА 0000.00.0000 1 N-канал 250 375A (TC) 10 В 38mohm @ 21a, 10 В 5 w @ 250 мк 165 NC @ 10 V ± 30 v 6714 PF @ 25 V - 4,3 yt (ta), 125w (TC)
IPP60R099C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R099C6XKSA1 7.5300
RFQ
 ECAD 1337 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IPP60R099 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 37.9a (TC) 10 В 99mohm @ 18.1a, 10v 3,5- 1,21 мана 119 NC @ 10 V ± 20 В. 2660 pf @ 100 v - 278W (TC)
SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2307CDS-T1-GE3 0,5100
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2307 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 30 3.5a (TC) 4,5 В, 10. 88mohm @ 3,5a, 10 В 3 В @ 250 мк 6,2 NC @ 4,5 ± 20 В. 340 PF @ 15 V - 1,1 мкт (та), 1,8 yt (tc)
IRFH7085TRPBF Infineon Technologies IRFH7085TRPBF 1.9700
RFQ
 ECAD 5715 0,00000000 Infineon Technologies Strongirfet ™ Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn IRFH7085 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PQFN (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 60 100a (TC) 6 В, 10 В. 3,2MOM @ 75A, 10 В 3,7 В @ 150 мк 165 NC @ 10 V ± 20 В. 6460 PF @ 25 V - 156 Вт (ТС)
IPP042N03LGHKSA1 Infineon Technologies Ipp042n03lghksa1 0,7048
RFQ
 ECAD 7462 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IPP042 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP000256161 Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 30 70A (TC) 4,5 В, 10. 4,2mohm @ 30a, 10 В 2,2 pri 250 мк 38 NC @ 10 V ± 20 В. 3900 PF @ 15 V - 79 Вт (ТС)
IPA60R280P7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R280P7XKSA1 2.6000
RFQ
 ECAD 7736 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ P7 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- IPA60R280 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-FP СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 12a (TC) 10 В 280mohm @ 3,8a, 10 В 4в @ 190 мк 18 NC @ 10 V ± 20 В. 761 PF @ 400 - 24 wt (tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть