SIC
close

Одино -вполь

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
AUIRFL014NTR International Rectifier Auirfl014ntr 0,4200
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 2500 N-канал 55 1.5a (TA) 10 В 160mohm @ 1,9a, 10 В 4 В @ 250 мк 11 NC @ 10 V ± 20 В. 190 pf @ 25 v - 1 yt (tta)
SI2310AHE3-TP Micro Commercial Co SI2310AHE3-TP 0,0793
RFQ
 ECAD 1960 0,00000000 МИКРОМЕР СО Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2310 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА 353-SI2310AHE3-TP Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 60 3A 4,5 В, 10. 100mohm @ 3a, 10v 2 В @ 250 мк 10.27 NC @ 10 V ± 20 В. 409 pf @ 10 v - 1,2 Вт
IPP60R600P6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R600P6XKSA1 -
RFQ
 ECAD 2330 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ P6 Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Ipp60r МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 600 7.3a (TC) 10 В 600 мм @ 2,4a, 10 В 4,5 - @ 200 мк 12 NC @ 10 V ± 20 В. 557 pf @ 100 v - 63W (TC)
DMT5012LFVW-13 Diodes Incorporated DMT5012LFVW-13 0,2006
RFQ
 ECAD 9930 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 8-powervdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 (SWP) typ ux СКАХАТА DOSTISH 31-DMT5012LFVW-13TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 50 11.7a (ta), 51.4a (TC) 4,5 В, 10. 13mohm @ 10a, 10v 2,3 В @ 250 мк 17,6 NC @ 10 V ± 20 В. 738 PF @ 30 V - 2,7 Вт (TA), 51,4W (TC)
IPD90N04S3H4ATMA1 Infineon Technologies IPD90N04S3H4ATMA1 1.0810
RFQ
 ECAD 5619 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IPD90 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3-11 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 90A (TC) 10 В 4,3mohm @ 90a, 10v 4 В @ 65 мк 60 NC @ 10 V ± 20 В. 3900 pf @ 25 v - 115W (TC)
STI175N4F6AG STMicroelectronics STI175N4F6AG -
RFQ
 ECAD 7980 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ F6 Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA STI175N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 40 120A (TC) 10 В 2,7mohm @ 60a, 10 В 4,5 -50 мк 130 NC @ 10 V ± 20 В. 7735 pf @ 20 v - 190 Вт (ТС)
SI7810DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7810DN-T1-GE3 1.5100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 1212-8 SI7810 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® 1212-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 3.4a (TA) 6 В, 10 В. 62mohm @ 5,4a, 10 4,5 -50 мк 17 NC @ 10 V ± 20 В. - 1,5 yt (tat)
STD11NM60N STMicroelectronics Std11nm60n -
RFQ
 ECAD 8849 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Std11 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 600 10a (TC) 10 В 450MOHM @ 5A, 10V 4 В @ 250 мк 31 NC @ 10 V ± 25 В 850 pf @ 50 v - 90 Вт (TC)
FDS7096N3 onsemi FDS7096N3 -
RFQ
 ECAD 8122 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) FDS70 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 14a (TA) 4,5 В, 10. 9mohm @ 14a, 10 В 3 В @ 250 мк 22 NC @ 5 V ± 20 В. 1587 PF @ 15 V - 3W (TA)
SI2301CDS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-E3 0,3900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2301 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 3.1a (TC) 2,5 В, 4,5 В. 112mohm @ 2,8a, 4,5 1В @ 250 мк 10 NC @ 4,5 ± 8 v 405 PF @ 10 V - 860 мт (TA), 1,6 st (TC)
SI4862DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4862DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9308 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI4862 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 16 17a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 3,3mohm @ 25a, 4,5 600 мв 250 мка (мин) 70 NC @ 4,5 ± 8 v - 1,6 yt (tat)
IPI60R250CP Infineon Technologies IPI60R250CP 1.5700
RFQ
 ECAD 474 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO262 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 600 12a (TC) 10 В 250mohm @ 7,8a, 10 В 3,5 В 520 мк 35 NC @ 10 V ± 20 В. 1200 pf @ 100 v - 104W (TC)
STS5N15F3 STMicroelectronics STS5N15F3 2.6600
RFQ
 ECAD 470 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ iii Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) STS5N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 150 5А (TC) 10 В 57mohm @ 2,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 29 NC @ 10 V ± 20 В. 1300 pf @ 25 v - 2,5 yt (TC)
35N06 UMW 35N06 0,8900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Герметихан Герметихан Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 (DPAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 2500 N-канал 60 35A (TC) 4,5 В, 10. 29mohm @ 19a, 10v 2 В @ 250 мк 21,2 NC @ 10 V ± 20 В. 939 pf @ 30 v - 36,2 Вт (TC)
2SK3377(0)-Z-E2-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3377 (0) -Z-E2-AZ -
RFQ
 ECAD 4215 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Управо СКАХАТА Rohs3 Продан Ear99 8541.29.0095 3000 20А (TJ)
IPU60R950C6AKMA1 Infineon Technologies IPU60R950C6AKMA1 -
RFQ
 ECAD 3498 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ C6 Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА IPU60R МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO251-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 600 4.4a (TC) 10 В 950mohm @ 1,5a, 10 В 3,5 В @ 130 мк 13 NC @ 10 V ± 20 В. 280 pf @ 100 v - 37W (TC)
IXTA05N100-TRL IXYS IXTA05N100-TRL 3.1142
RFQ
 ECAD 5744 0,00000000 Ixys - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IXTA05 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 (D2PAK) - Rohs3 DOSTISH 238-IXTA05N100-TRLTR Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 1000 750 май (TC) 10 В 17OM @ 375MA, 10 В 4,5 -50 мк 7,8 NC @ 10 V ± 30 v 260 pf @ 25 v - 40 yt (tc)
SQJ474EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ474EP-T1_BE3 0,9800
RFQ
 ECAD 3488 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 742-SQJ474EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 26a (TC) 4,5 В, 10. 30mohm @ 10a, 10 В 2,5 -50 мк 30 NC @ 10 V ± 20 В. 1100 pf @ 25 v - 45 Вт (TC)
AOT2906 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2906 -
RFQ
 ECAD 3330 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ Трубка Управо Чereз dыru 220-3 AOT290 ДО-220 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 122a (TC)
PSMN7R0-100PS127 NXP Semiconductors PSMN7R0-100PS127 -
RFQ
 ECAD 7709 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki * МАССА Актифен СКАХАТА 0000.00.0000 1
IPP120N06NGAKSA1 Infineon Technologies IPP120N06NGAKSA1 -
RFQ
 ECAD 5715 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IPP120N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 60 75A (TC) 10 В 12mohm @ 75a, 10v 4в @ 94 мка 62 NC @ 10 V ± 20 В. 2100 pf @ 30 v - 158W (TC)
NP82N04MDG-S18-AY Renesas Electronics America Inc Np82n04mdg-s18-ay 2.1600
RFQ
 ECAD 700 0,00000000 Renesas Electronics America Inc Автомобиль, AEC-Q101 Трубка Управо 175 ° С Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 900 N-канал 40 82a (TC) 4,2mohm @ 41a, 10 В 2,5 -50 мк 150 NC @ 10 V ± 20 В. 9000 pf @ 25 v - 1,8 yt (ta), 143w (TC)
AO3413 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3413 0,4300
RFQ
 ECAD 32 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, SOT-23-3 AO34 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 3a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 97mohm @ 3a, 4,5 1В @ 250 мк 6,1 NC @ 4,5 ± 8 v 540 pf @ 10 v - 1,4 yt (tat)
AON7430L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7430L -
RFQ
 ECAD 4134 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn AON743 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN-EP (3x3) - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 30 9a (ta), 20a (TC) 4,5 В, 10. 12mohm @ 20a, 10v 2,5 -50 мк 17 NC @ 10 V ± 20 В. 910 pf @ 15 V - 1,7 yt (ta), 25 yt (tc)
IPB65R125C7ATMA1 Infineon Technologies IPB65R125C7ATMA1 -
RFQ
 ECAD 4611 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ C7 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IPB65R МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 650 18a (TA) 10 В 125mohm @ 8.9a, 10 ЕС 4в @ 440 мк 35 NC @ 10 V ± 20 В. 1670 PF @ 400 - 101 Вт (TC)
STW25N60M2-EP STMicroelectronics STW25N60M2-EP 3.5300
RFQ
 ECAD 3553 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STW25 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 600 N-канал 600 18а (TC) 10 В 188mohm @ 9a, 10v 4,75 Е @ 250 мк 29 NC @ 10 V ± 25 В 1090 pf @ 100 v - 150 Вт (TC)
SI2333CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2333CDS-T1-BE3 0,6200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 12 5.1a (ta), 7.1a (TC) 1,8 В, 4,5 В. 35mohm @ 5,1a, 4,5 1В @ 250 мк 25 NC @ 4,5 ± 8 v 1225 PF @ 6 V - 1,25 мкт (ТА), 2,5 st (TC)
STD4NK50ZT4 STMicroelectronics Std4nk50zt4 1.3300
RFQ
 ECAD 7886 0,00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Std4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 500 3a (TC) 10 В 2,7 ОМ @ 1,5A, 10 В 4,5 -прри 50 мк 12 NC @ 10 V ± 30 v 310 PF @ 25 V - 45 Вт (TC)
NTMS4800NR2G onsemi NTMS4800NR2G -
RFQ
 ECAD 7684 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) NTMS48 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2500 N-канал 30 4.9a (TA) 4,5 В, 10. 20mohm @ 7,5a, 10 В 3 В @ 250 мк 7,7 NC @ 4,5 ± 20 В. 940 pf @ 25 v - 750 мг (таблица)
IRFHP8321TRPBF Infineon Technologies IRFHP8321TRPBF -
RFQ
 ECAD 7302 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо - - - - - - 1 (neograniчennnый) DOSTISH IRFHP8321TRPBFTR Ear99 8541.29.0095 4000 - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть