SIC
close

Одино -вполь

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Верный Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
CSD15380F3T Texas Instruments CSD15380F3T 0,9400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Тел Femtofet ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-xfdfn CSD15380 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 3-пикопар СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 250 N-канал 20 500 май (таблица) 2,5 В, 8 В 1190MOHM @ 100MA, 8V 1,35 -пр. 2,5 мк 0,281 NC @ 10 V 10 В 10,5 pf @ 10 v - 500 мг (таблица)
H7N1002LS-E Renesas Electronics America Inc H7N1002LS-E -
RFQ
 ECAD 2261 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-83 H7N1002 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ldpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 100 75A (TA) 4,5 В, 10. 10mohm @ 37.5a, 10v - 155 NC @ 10 V ± 20 В. 9700 pf @ 10 v - 100 yt (tc)
PJQ4460AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4460AP-AU_R2_000A1 0,4900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn PJQ4460 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN3333-8 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-PJQ4460AP-AU_R2_000A1CT Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 3.7a (ta), 11a (TC) 4,5 В, 10. 72mohm @ 6a, 10v 2,5 -50 мк 9,3 NC @ 10 V ± 20 В. 509 pf @ 15 v - 2,4 Вт (TA), 23,8 st (TC)
CSD18502KCS Texas Instruments CSD18502KCS 2.6400
RFQ
 ECAD 159 0,00000000 Тел Nexfet ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 CSD18502 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 40 100a (TC) 4,5 В, 10. 2,9mohm @ 100a, 10v 2.1 h @ 250 мк 62 NC @ 10 V ± 20 В. 4680 pf @ 20 v - 259 Вт (TC)
STSJ100NH3LL STMicroelectronics Stsj100nh3ll -
RFQ
 ECAD 6496 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ iii Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). Stsj100n МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 SOIC-EP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 100a (TC) 4,5 В, 10. 3,5mohm @ 12,5a, 10v 1В @ 250 мк 40 NC @ 4,5 ± 16 В. 4450 pf @ 25 v - 3 Вт (TA), 70 st (TC)
IRLZ24NSTRLPBF Infineon Technologies Irlz24nstrlpbf 1.4500
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRLZ24 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 55 18а (TC) 4 В, 10 В. 60mohm @ 11a, 10 В 2 В @ 250 мк 15 NC @ 5 V ± 16 В. 480 pf @ 25 v - 3,8 yt (ta), 45 yt (tc)
SI2323DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2323DDS-T1-GE3 0,5900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 Si2323 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 5.3a (TC) 1,8 В, 4,5 В. 39mohm @ 4,1a, 4,5 1В @ 250 мк 36 NC @ 8 V ± 8 v 1160 pf @ 10 v - 960 мт (TA), 1,7 st (TC)
BUK753R8-80E,127 Nexperia USA Inc. BUK753R8-80E, 127 -
RFQ
 ECAD 7891 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 80 120A (TC) 10 В 4mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 1MA 169 NC @ 10 V ± 20 В. 12030 PF @ 25 V - 349W (TC)
NTD5407NT4G onsemi NTD5407NT4G -
RFQ
 ECAD 2647 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NTD54 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 7.6A (TA), 38A (TC) 5 В, 10 В. 26mohm @ 20a, 10v 3,5 В @ 250 мк 20 NC @ 10 V ± 20 В. 1000 pf @ 32 - 2,9 yt (ta), 75 Вт (TC)
PJQ5542-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5542-AU_R2_002A1 1.6400
RFQ
 ECAD 8883 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен PJQ5542 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3000
IPS65R600E6AKMA1 Infineon Technologies IPS65R600E6AKMA1 -
RFQ
 ECAD 5455 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ E6 Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru До 251-3 лиды, Ипак IPS65R МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO251-3-11 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 650 7.3a (TC) 10 В 600mohm @ 2,1a, 10 В 3,5 В @ 210 мк 23 NC @ 10 V ± 20 В. 440 pf @ 100 v - 63W (TC)
R8006KND3TL1 Rohm Semiconductor R8006KND3TL1 3.4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 R8006 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 800 В 6a (TA) 10 В 900mohm @ 3a, 10v 4,5 Е @ 4MA 22 NC @ 10 V ± 20 В. 650 pf @ 100 v - 83W (TC)
IPP50R140CPHKSA1 Infineon Technologies IPP50R140CPHKSA1 -
RFQ
 ECAD 2520 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IPP50R МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 550 23a (TC) 10 В 140mohm @ 14a, 10v 3,5 В @ 930 мк 64 NC @ 10 V ± 20 В. 2540 pf @ 100 v - 192W (TC)
FDB8453LZ Fairchild Semiconductor FDB8453LZ 0,6700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 40 16.1a (ta), 50a (TC) 4,5 В, 10. 7mohm @ 17,6a, 10v 3 В @ 250 мк 66 NC @ 10 V ± 20 В. 3545 PF @ 20 V - 3,1 yt (ta), 66w (tc)
SI4890BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4890BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6520 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI4890 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 16a (TC) 4,5 В, 10. 12mohm @ 10a, 10 В 2,6 В @ 250 мк 33 NC @ 10 V ± 25 В 1535 PF @ 15 V - 2,5 yt (ta), 5,7 yt (tc)
IRFHM831TRPBF Infineon Technologies IRFHM831TRPBF -
RFQ
 ECAD 5705 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PQFN (3x3) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 30 14a (ta), 40a (TC) 4,5 В, 10. 7,8mohm @ 12a, 10 В 2,35 В @ 25 мк 16 NC @ 10 V ± 20 В. 1050 PF @ 25 V - 2,5 yt (ta), 27 yt (tc)
APT50M65LFLLG Microchip Technology APT50M65LFLLG 28.4300
RFQ
 ECAD 2340 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 7® Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA APT50M65 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 264 [L] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 500 67A (TC) 10 В 65mohm @ 33,5a, 10 В 5 w @ 2,5 мая 141 NC @ 10 V ± 30 v 7010 pf @ 25 V - 694W (TC)
APTM10DAM02G Microchip Technology APTM10DAM02G 234.3620
RFQ
 ECAD 3308 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SP6 APTM10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SP6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 100 495A (TC) 10 В 2,5mohm @ 200a, 10 В 4 w @ 10ma 1360 NC @ 10 V ± 30 v 40000 PF @ 25 V - 1250 Вт (TC)
DMN55D0UTQ-7 Diodes Incorporated DMN55D0UTQ-7 0,4000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 DMN55 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-523 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 50 160 май (таблица) 2,5 В, 4 В. 4om @ 100ma, 4 В 1В @ 250 мк ± 12 В. 25 pf @ 10 v - 200 мт (таблица)
2SK4089LS onsemi 2SK4089LS -
RFQ
 ECAD 6247 0,00000000 OnSemi - Симка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- 2SK4089 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220FI (LS) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 100 N-канал 650 8.5a (TC) 10 В 720mohm @ 6a, 10v - 45,4 NC @ 10 V ± 30 v 1200 pf @ 30 v - 2w (ta), 40 yt (tc)
SIHB24N65ET1-GE3 Vishay Siliconix SIHB24N65ET1-GE3 3.7126
RFQ
 ECAD 2884 0,00000000 Виаликоеникс ЭN Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SIHB24 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 650 24а (TC) 10 В 145mohm @ 12a, 10 В 4 В @ 250 мк 122 NC @ 10 V ± 30 v 2740 pf @ 100 v - 250 yt (TC)
FDA20N50 Fairchild Semiconductor FDA20N50 3.1900
RFQ
 ECAD 80 0,00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ Трубка Управо Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 вечера СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 500 22a (TC) 230mom @ 11a, 10v 5 w @ 250 мк 59,5 NC @ 10 V 3120 PF @ 25 V -
SI7850DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7850DP-T1-GE3 2.0000
RFQ
 ECAD 2541 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 SI7850 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 6.2a (TA) 4,5 В, 10. 22mohm @ 10.3a, 10v 3 В @ 250 мк 27 NC @ 10 V ± 20 В. - 1,8 yt (tat)
TQM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM033NB04CR RLG 4.7400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 8-Powertdfn TQM033 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-pdfnu (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 21a (ta), 121a (TC) 7 В, 10 В. 3,3mohm @ 21a, 10v 3,8 В @ 250 мк 87 NC @ 10 V ± 20 В. 4917 pf @ 20 v - 3,1 yt (ta), 107w (tc)
DMN6069SFVWQ-13 Diodes Incorporated DMN6069SFVWQ-13 0,1790
RFQ
 ECAD 4709 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 8-powervdfn DMN6069 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 (SWP) typ ux СКАХАТА DOSTISH 31-DMN6069SFVWQ-13TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 4A (TA), 14A (TC) 4,5 В, 10. 69mohm @ 3a, 10v 3 В @ 250 мк 14 NC @ 10 V ± 20 В. 740 pf @ 30 v - 2,5 yt (tat)
STD1NK80Z-1 STMicroelectronics STD1NK80Z-1 -
RFQ
 ECAD 5882 0,00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА STD1NK80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251 (ipak) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 800 В 1a (TC) 10 В 16om @ 500ma, 10 В 4,5 -прри 50 мк 7,7 NC @ 10 V ± 30 v 160 pf @ 25 v - 45 Вт (TC)
SIPC08N60C3X1SA1 Infineon Technologies SIPC08N60C3X1SA1 -
RFQ
 ECAD 4889 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен SIPC08 - Rohs3 2 (1 годы) DOSTISH SP000014687 0000.00.0000 1 -
AON6224 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6224 0,6174
RFQ
 ECAD 2150 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powersmd, ploskie otwedonnina AON62 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 34a (TC) 4,5 В, 10. 12mohm @ 20a, 10v 2,4 В @ 250 мк 50 NC @ 10 V ± 20 В. 2420 pf @ 50 v - 56,5 м (TC)
SPD07N20 Infineon Technologies SPD07N20 -
RFQ
 ECAD 1200 0,00000000 Infineon Technologies SIPMOS® Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SPD07N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 200 7A (TC) 10 В 400mohm @ 4,5a, 10 В 4 В @ 1MA 31,5 NC @ 10 V ± 20 В. 530 pf @ 25 v - 40 yt (tc)
SIDR680DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR680DP-T1-RE3 2.9200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Gen IV Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8DC СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 742-SIDR680DP-T1-RE3TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 80 32,8A (TA), 100A (TC) 7,5 В, 10. 2,9mohm @ 20a, 10 В 3,4 В @ 250 мк 105 NC @ 10 V ± 20 В. 5150 pf @ 40 v - 6,25 yt (ta), 125w (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть