SIC
close

Одино -вполь

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
APT5017SVRG Microchip Technology APT5017SVRG 13.3800
RFQ
 ECAD 2486 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS V® Трубка Актифен Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA APT5017 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D3 [S] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 500 30А (TC) 170mohm @ 500ma, 10 В 4 В @ 1MA 300 NC @ 10 V 5280 PF @ 25 V -
IXFN100N50Q3 IXYS IXFN100N50Q3 60.1900
RFQ
 ECAD 7286 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Q3 Class Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc IXFN100 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-227B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -IXFN100N50Q3 Ear99 8541.29.0095 10 N-канал 500 82a (TC) 10 В 49mohm @ 50a, 10v 6,5 - @ 8ma 255 NC @ 10 V ± 30 v 13800 pf @ 25 v - 960 yt (TC)
STH130N8F7-2 STMicroelectronics STH130N8F7-2 -
RFQ
 ECAD 4087 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ F7 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STH130 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) H2PAK-2 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 80 110A (TC) 10 В 5mohm @ 55a, 10 В 4,5 -50 мк 60 NC @ 10 V ± 20 В. 4500 pf @ 25 v - 205W (TC)
IRF530S Vishay Siliconix IRF530S -
RFQ
 ECAD 4348 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRF530 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRF530S Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 100 14a (TC) 10 В 160mohm @ 8.4a, 10 В 4 В @ 250 мк 26 NC @ 10 V ± 20 В. 670 PF @ 25 V - 3,7 yt (ta), 88 yt (tc)
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ50S06M3L (T6L1, NQ 1.9400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee U-MOSVI Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 TJ50S06 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DPAK+ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 П-канал 60 50a (TA) 6 В, 10 В. 13,8mohm @ 25a, 10 В 3V @ 1MA 124 NC @ 10 V +10, -20v 6290 PF @ 10 V - 90 Вт (TC)
IRFZ34S Vishay Siliconix Irfz34s -
RFQ
 ECAD 8353 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRFZ34 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *Irfz34s Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 60 30А (TC) 10 В 50mohm @ 18a, 10 В 4 В @ 250 мк 46 NC @ 10 V ± 20 В. 1200 pf @ 25 v - 3,7 yt (ta), 88 yt (tc)
NVMTS6D0N15MC onsemi NVMTS6D0N15MC 2.5766
RFQ
 ECAD 6711 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFNW (8,3x8,4) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-NVMTS6D0N15MCTR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 150 18A (TA), 128a (TC) 10 В 6,4mohm @ 69a, 10 В 4,5 В 379 мк 58 NC @ 10 V ± 20 В. 4815 PF @ 75 V - 5W (TA), 237W (TC)
HUFA76629D3ST onsemi HUFA76629D3ST -
RFQ
 ECAD 6444 0,00000000 OnSemi Ultrafet ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 HUFA76 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 100 20А (TC) 4,5 В, 10. 52mohm @ 20a, 10 В 3 В @ 250 мк 46 NC @ 10 V ± 16 В. 1285 PF @ 25 V - 110 yt (tc)
SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR106DP-T1-RE3 1.7800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Gen IV Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 SэR106 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 16.1a (TA), 65,8a (TC) 7,5 В, 10. 8mohm @ 15a, 10v 3,4 В @ 250 мк 64 NC @ 10 V ± 20 В. 3610 pf @ 50 v - 3,2 yt (ta), 83,3 yt (tc)
BUK7M11-40HX Nexperia USA Inc. Buk7m11-40hx 0,9600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 -листь) Buk7m11 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK33 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 40 35A (TA) 10 В 11mohm @ 10a, 10v 3,6 В @ 1MA 16 NC @ 10 V +20, -10. 1022 PF @ 25 V - 50 yt (tta)
IRLU110PBF Vishay Siliconix IRLU110PBF 1.4900
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА IRLU110 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251ааа СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) *IRLU110PBF Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 100 4.3a (TC) 4В, 5 В. 540MOHM @ 2.6A, 5V 2 В @ 250 мк 6.1 NC @ 5 V ± 10 В. 250 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 25 yt (tc)
IPB156N22NFDATMA1 Infineon Technologies IPB156N22NFDATMA1 8.2400
RFQ
 ECAD 726 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ FD Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IPB156 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-3-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 220 72A (TC) 10 В 15,6mohm @ 50a, 10 В 4 В @ 270 мк 87 NC @ 10 V ± 20 В. 6930 PF @ 110 V - 300 м (TC)
FDMS8880 onsemi FDMS8880 -
RFQ
 ECAD 8906 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn FDMS88 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-PQFN (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 13.5a (ta), 21a (TC) 4,5 В, 10. 8,5mohm @ 13,5a, 10 2,5 -50 мк 33 NC @ 10 V ± 20 В. 1585 PF @ 15 V - 2,5 yt (ta), 42 st (tc)
BUK7Y65-100EX Nexperia USA Inc. BUK7Y65-100EX 0,8100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q100, Trenchmos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 Buk7y65 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 100 19a (TC) 10 В 65mohm @ 5a, 10v 4 В @ 1MA 17,8 NC @ 10 V ± 20 В. 1023 PF @ 25 V - 64W (TC)
TSM4NC60CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NC60CI C0G -
RFQ
 ECAD 3023 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ito-220AB - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 4a (TC) 10 В 2,5OM @ 1,3а, 10 В 4 В @ 250 мк 18 NC @ 10 V ± 30 v 654 PF @ 50 V - 40 yt (tc)
IRF7413ZTR Infineon Technologies IRF7413ZTR -
RFQ
 ECAD 4632 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001551338 Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 30 13a (TA) 4,5 В, 10. 10mohm @ 13a, 10 В 2,25 -пр. 250 мк 14 NC @ 4,5 ± 20 В. 1210 PF @ 15 V - 2,5 yt (tat)
IRFI7536GPBF Infineon Technologies IRFI7536GPBF -
RFQ
 ECAD 6732 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220 Full Pack СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 60 86A (TC) 10 В 3,4MOM @ 75A, 10 В 4 w @ 150 мк 195 NC @ 10 V ± 20 В. 6600 pf @ 48 - 75W (TC)
AO4435L_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4435L_101 -
RFQ
 ECAD 2076 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) AO44 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 П-канал 30 10.5a (TA) 5 В, 20 В. 14mohm @ 11a, 20В 3 В @ 250 мк 24 NC @ 10 V ± 25 В 1400 pf @ 15 v - 3,1 yt (tat)
SI4446DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4446DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2257 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI4446 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 3.9a (TA) 4,5 В, 10. 40mohm @ 5.2a, 10 В 1,6 В @ 250 мк 12 NC @ 4,5 ± 12 В. 700 pf @ 20 v - 1,1 yt (tat)
NTE222 NTE Electronics, Inc NTE222 15.0200
RFQ
 ECAD 100 0,00000000 NTE Electronics, Inc. - Симка Актифен -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN CAN BAN МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 122 СКАХАТА Rohs3 2368-NTE222 Ear99 8541.21.0095 1 N-канал 25 В 50 май (TJ) - - 4 w @ 20 мк - 3300 pf @ 15 v - 360 мт (TA), 1,2 мт (TC)
STB150NF55T4 STMicroelectronics STB150NF55T4 4.2300
RFQ
 ECAD 4535 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STB150 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 55 120A (TC) 10 В 6mohm @ 60a, 10v 4 В @ 250 мк 190 NC @ 10 V ± 20 В. 4400 pf @ 25 v - 300 м (TC)
NVBG060N090SC1 onsemi NVBG060N090SC1 19.0600
RFQ
 ECAD 660 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-8, D²PAK (7 голов + TAB), TO-263CA NVBG060 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2PAK-7 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 900 5.8a (ta), 44a (TC) 15 84mohm @ 20a, 15в 4,3 В @ 5MA 88 NC @ 15 V +19, -10 1800 PF @ 450 - 3,6 yt (ta), 211w (tc)
SFT1450-H onsemi SFT1450-H -
RFQ
 ECAD 5098 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА SFT145 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ipak/tp СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 40 21a (TA) 10 В 28mohm @ 10,5a, 10 В - 14.4 NC @ 10 V ± 20 В. 715 pf @ 20 v - 1W (TA), 23W (TC)
DMN2300UFD-7 Diodes Incorporated DMN2300UFD-7 0,3600
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-udfn DMN2300 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) X1-DFN1212-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 1.21A (TA) 1,5 В, 4,5 В. 200 мам @ 900 май, 4,5 950 мВ @ 250 мк 2 NC @ 4,5 ± 8 v 67,62 PF @ 25 V - 470 м
SCH1333-TL-H onsemi SCH1333-TL-H -
RFQ
 ECAD 8425 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 SCH133 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-Sch - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 5000 П-канал 20 2а (тат) 1,8 В, 4,5 В. 130mohm @ 1a, 4,5 - 3,3 NC @ 4,5 ± 10 В. 250 pf @ 10 v - 800 мт (таблица)
DMN68M7SCT Diodes Incorporated DMN68M7SCT 1.0990
RFQ
 ECAD 8708 0,00000000 Дидж - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 DMN68 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА DOSTISH 31-DMN68M7SCT Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 68 В 100a (TC) 10 В 8mohm @ 20a, 10v 3 В @ 250 мк 72,9 NC @ 10 V ± 20 В. 4260 pf @ 30 v - 125W (TC)
FQD5N60CTM_F080 onsemi Fqd5n60ctm_f080 -
RFQ
 ECAD 2947 0,00000000 OnSemi QFET® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 FQD5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 600 2.8a (TC) 10 В 2,5OM @ 1,4a, 10 В 4 В @ 250 мк 19 NC @ 10 V ± 30 v 670 PF @ 25 V - 2,5 yt (ta), 49 yt (tc)
AOB14N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB14N50 1.1117
RFQ
 ECAD 3458 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB AOB14 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 (D2PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 500 14a (TC) 10 В 380MOHM @ 7A, 10V 4,5 -50 мк 51 NC @ 10 V ± 30 v 2297 PF @ 25 V - 278W (TC)
NVMFS5C430NWFAFT1G onsemi NVMFS5C430NWFAFT1G 2.8200
RFQ
 ECAD 1752 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NVMFS5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 40 35A (TA), 185a (TC) 10 В 1,7 мома @ 50a, 10 3,5 В @ 250 мк 47 NC @ 10 V ± 20 В. 3300 pf @ 25 v - 3,8 Вт (ТА), 106W (ТС)
PMV28ENER Nexperia USA Inc. PMV28ENER 0,3900
RFQ
 ECAD 21 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 4.4a (TA) 4,5 В, 10. 37mohm @ 4.4a, 10v 2,5 -50 мк 8 NC @ 10 V ± 20 В. 266 pf @ 15 v - 660 мг (TA), 8,3 st (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть