SIC
close

Odinoчnыepoletы, mosfet (44971)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
2SJ649-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ649-AZ -
RFQ
 ECAD 5190 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - МАССА Прохл 150 ° C (TJ) Чereз dыru До-220-3 Иолированая 2SJ649 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) До-220 Иолированая СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 П-канал 60 20А (TC) 4 В, 10 В. 48mohm @ 10a, 10v - 38 NC @ 10 V ± 20 В. 1900 PF @ 10 V - 2 Вт (TA), 25 yt (TC)
AOT10T60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT10T60L -
RFQ
 ECAD 7918 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 AOT10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 785-1635-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 10a (TC) 10 В 700mohm @ 5a, 10 В 5 w @ 250 мк 35 NC @ 10 V ± 30 v 1346 pf @ 100 v - 208W (TC)
IXTA76N25T-TRL IXYS Ixta76n25t-trl 4.0483
RFQ
 ECAD 7722 0,00000000 Ixys Поящь Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IXTA76 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 (D2PAK) - Rohs3 DOSTISH 238-IXTA76N25T-TRLTR Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 250 76A (TC) 10 В 39MOHM @ 38A, 10V 5V @ 1MA 92 NC @ 10 V ± 30 v 4500 pf @ 25 v - 460 yt (tc)
NTMFD4951NFT3G onsemi NTMFD4951NFT3G -
RFQ
 ECAD 8606 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер 8-Powertdfn NTMFD4951 - 8-dfn (5x6) dvoйnoйflag (so8fl-dvoйnый-asimmeTriчnый) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 - - - - - -
IPA65R225C7 Infineon Technologies IPA65R225C7 1.5700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ МАССА Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-111 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 650 7A (TC) 10 В 225mohm @ 4,8a, 10 В 4 w @ 240 мк 20 NC @ 10 V ± 20 В. 996 PF @ 400 - 29W (TC)
IRFU3704 Infineon Technologies IRFU3704 -
RFQ
 ECAD 8423 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ipak (DODU 251AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRFU3704 Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 20 75A (TC) 10 В 9,5mohm @ 15a, 10 В 3 В @ 250 мк 19 NC @ 4,5 ± 20 В. 1996 PF @ 10 V - 90 Вт (TC)
IRF7207TR Infineon Technologies IRF7207TR -
RFQ
 ECAD 1013 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 П-канал 20 5.4a (TC) 2,7 В, 4,5 В. 60mohm @ 5,4a, 4,5 700 мв 250 мка (мин) 22 NC @ 4,5 ± 12 В. 780 pf @ 15 v - 2,5 yt (TC)
VN4012L-G Microchip Technology VN4012L-G 2.0000
RFQ
 ECAD 647 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Симка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) VN4012 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 400 160 май (TJ) 4,5 В. 12om @ 100ma, 4,5 В 1,8 В @ 1MA ± 20 В. 110 pf @ 25 v - 1 yt (tc)
PMPB15XP,115 Nexperia USA Inc. PMPB15XP, 115 0,4900
RFQ
 ECAD 24 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka PMPB15 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN2020MD-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 12 8.2a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 19mohm @ 8.2a, 4,5 900 мВ @ 250 мк 100 NC @ 4,5 ± 12 В. 2875 PF @ 6 V - 1,7 yt (ta), 12,5 yt (tc)
IRF7475TRPBF Infineon Technologies IRF7475TRPBF -
RFQ
 ECAD 7654 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 12 11a (TA) 2,8 В, 4,5 В. 15mohm @ 8,8a, 4,5 2 В @ 250 мк 19 NC @ 4,5 ± 12 В. 1590 pf @ 6 v - 2,5 yt (tat)
DMP2040UVT-13 Diodes Incorporated DMP2040UVT-13 0,1027
RFQ
 ECAD 1445 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - - DMP2040 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10000 П-канал 20 5,5A (TA), 13A (TC) 2,5 В, 4,5 В. 38mohm @ 8.9a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 8,6 NC @ 4,5 ± 12 В. 834 PF @ 10 V - 1,2 yt (tat)
NVMFS5C410NLWFET1G onsemi NVMFS5C410NLWFET1G 2.2759
RFQ
 ECAD 1946 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-NVMFS5C410NLWFET1GTR Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 40 50a (ta), 330a (TC) 4,5 В, 10. 0,82mohm @ 50a, 10 В 2 В @ 250 мк 143 NC @ 10 V ± 20 В. 8862 PF @ 25 V - 3,8 Вт (ТА), 167W (TC)
PSMN012-60MSX Nexperia USA Inc. PSMN012-60MSX 0,8300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 -листь) PSMN012 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK33 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 60 53a (TA) 10 В 12mohm @ 15a, 10v 4 В @ 1MA 24,8 NC @ 10 V ± 20 В. 1625 PF @ 25 V - 75W (TA)
DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated DMTH6004SPS-13 0,7938
RFQ
 ECAD 6336 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn DMTH6004 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerDI5060-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 25a (ta), 100a (TC) 10 В 3,1mohm @ 50a, 10 В 4 В @ 250 мк 95,4 NC @ 10 V ± 20 В. 4556 PF @ 30 V - 2.1W (TA), 167W (TC)
AOT2904 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2904 -
RFQ
 ECAD 9946 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 AOT290 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 100 120A (TC) 6 В, 10 В. 4,4MOM @ 20a, 10 В 3,3 В @ 250 мк 135 NC @ 10 V ± 20 В. 7085 PF @ 50 V - 326W (TC)
AO3493 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3493 -
RFQ
 ECAD 1515 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, SOT-23-3 AO34 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 785-AO3493TR Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 3a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 80mohm @ 3a, 4,5 1В @ 250 мк 20 NC @ 4,5 ± 8 v 500 pf @ 10 v - 1,4 yt (tat)
TK5A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60W5, S5VX 1.5900
RFQ
 ECAD 7625 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Dtmosiv Трубка Активна 150 ° С Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220SIS - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 4.5a (TA) 10 В 950mohm @ 2,3a, 10 В 4,5 Е @ 230 мк 11,5 NC @ 10 V ± 30 v 370 pf @ 300 - 30 yt (tc)
IAUC120N04S6N009ATMA1 Infineon Technologies IAUC120N04S6N009ATMA1 2.7500
RFQ
 ECAD 8758 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn IAUC120 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TDSON-8-33 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 40 120A (TC) 7 В, 10 В. 0,9 м 3,4 Е @ 90 мк 115 NC @ 10 V ± 20 В. 7360 PF @ 25 V - 150 Вт (TC)
SIRS700DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRS700DP-T1-GE3 3.4300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Gen IV Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 30A (TA), 127a (TC) 7,5 В, 10. 3,5mohm @ 20a, 10 В 4 В @ 250 мк 130 NC @ 10 V ± 20 В. 5950 pf @ 50 v - 7,4 yt (ta), 132w (TC)
SQD50034E_GE3 Vishay Siliconix SQD50034E_GE3 1.6500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SQD50034 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 60 100a (TC) 10 В 3,9mohm @ 20a, 10 В 3,5 В @ 250 мк 90 NC @ 10 V ± 20 В. 6600 pf @ 25 v - 107W (TC)
FCP21N60N onsemi FCP21N60N -
RFQ
 ECAD 9054 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо - Чereз dыru 220-3 FCP21 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 - - - - -
FQD6N40TM Fairchild Semiconductor FQD6N40TM 1.0000
RFQ
 ECAD 4740 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 400 4.2a (TC) 10 В 115OM @ 2,1a, 10 В 5 w @ 250 мк 17 NC @ 10 V ± 30 v 620 PF @ 25 V - 2,5 yt (ta), 50 st (tc)
DMTH46M7SFVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ-13 0,7200
RFQ
 ECAD 4490 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 8-powervdfn DMTH46 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 (SWP) typ ux СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 40 16.3a (ta), 67.2a (TC) 10 В 7,4mohm @ 20a, 10 В 4 В @ 250 мк 14,8 NC @ 10 V ± 20 В. 1315 pf @ 20 v - 3,2 yt (ta), 54,5 yt (tc)
2N7002KCW Yangjie Technology 2N7002KCW 0,0190
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Активна 2N7002 - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-2N7002KCWTR Ear99 3000
MSC360SMA120S Microchip Technology MSC360SMA120S 7.2100
RFQ
 ECAD 210 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Активна MSC360 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-MSC360SMA120S Ear99 8541.29.0095 30
IPP100N06S3-04 Infineon Technologies IPP100N06S3-04 -
RFQ
 ECAD 9315 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IPP100N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 55 100a (TC) 10 В 4,4mohm @ 80a, 10 В 4 w @ 150 мк 314 NC @ 10 V ± 20 В. 14230 PF @ 25 V - 214W (TC)
AO7400 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO7400 0,4000
RFQ
 ECAD 422 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 AO740 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SC-70-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 1.7a (TA) 2,5 В, 10 В. 85mohm @ 1,5a, 10 1,4 В @ 250 мк 4,82 NC @ 4,5 ± 12 В. 390 PF @ 15 V - 350 мт (таблица)
BSO080P03NS3EGXUMA1 Infineon Technologies BSO080P03NS3EGXUMA1 -
RFQ
 ECAD 7772 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-DSO-8 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 30 12a (TA) 6 В, 10 В. 8mohm @ 14.8a, 10 ЕС 3,1 В @ 150 мк 81 NC @ 10 V ± 25 В 6750 PF @ 15 V - 1,6 yt (tat)
PJQ2463A-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJQ2463A-AU_R1_000A1 0,5600
RFQ
 ECAD 4278 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o PJQ2463 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN2020B-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-PJQ2463A-AU_R1_000A1DKR Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 60 3.2a (TA) 4,5 В, 10. 105mohm @ 3a, 10v 2,5 -50 мк 10 NC @ 10 V ± 20 В. 785 pf @ 30 v - 2W (TA)
APT50M75B2LLG Microchip Technology APT50M75B2LLG 21.0600
RFQ
 ECAD 7827 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 7® Трубка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ APT50M75 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) T-Max ™ [B2] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 500 57a (TC) 10 В 75mohm @ 28,5a, 10 В 5 w @ 2,5 мая 125 NC @ 10 V ± 30 v 5590 PF @ 25 V - 570 м (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть