SIC
close

Одино -вполь

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
FQP4N90C onsemi FQP4N90C -
RFQ
 ECAD 1399 0,00000000 OnSemi QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FQP4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 900 4a (TC) 10 В 4,2om @ 2a, 10 В 5 w @ 250 мк 22 NC @ 10 V ± 30 v 960 pf @ 25 v - 140 Вт (TC)
SFT1443-TL-H onsemi SFT1443-TL-H -
RFQ
 ECAD 4332 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SFT144 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DPAK/TP-FA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 700 N-канал 100 9А (тат) 4 В, 10 В. 225MOHM @ 3A, 10V 2,6 В @ 1MA 9,8 NC @ 10 V ± 20 В. 490 pf @ 20 v - 1W (TA), 19W (TC)
NTLUS4C16NTAG onsemi Ntlus4c16ntag -
RFQ
 ECAD 5847 0,00000000 OnSemi µCOOL ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-powerufdfn Ntlus4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-udfn (1,6x1,6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 9.4a (TA) 1,8 В, 10 В. 11.4mohm @ 8a, 10v 1,1 В @ 250 мк 7,5 NC @ 4,5 ± 12 В. 690 PF @ 15 V - 2,37.
GT023N10M Goford Semiconductor GT023N10M 2.2195
RFQ
 ECAD 2797 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 - ROHS COMPRINT DOSTISH 3141-GT023N10MTR Ear99 8541.29.0000 800 N-канал 100 140a (TC) 10 В 2,7mohm @ 20a, 10 В 4,3 -пса 250 мк 90 NC @ 10 V ± 20 В. 8050 pf @ 50 v - 500 м (TC)
IPTG039N15NM5ATMA1 Infineon Technologies IPTG039N15NM5ATMA1 8.0100
RFQ
 ECAD 2280 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powersmd, krыlo чaйky МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-HSOG-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1800 N-канал 150 21a (ta), 190a (TC) 8 В, 10 В. 3,9mohm @ 50a, 10 В 4,6- 243 мка 93 NC @ 10 V ± 20 В. 7300 pf @ 75 - 3,8 yt (ta), 319 yt (tc)
FQP50N06L onsemi FQP50N06L 1,7000
RFQ
 ECAD 126 0,00000000 OnSemi QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FQP50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 60 52.4a (TC) 5 В, 10 В. 21mohm @ 26.2a, 10 В 2,5 -50 мк 32 NC @ 5 V ± 20 В. 1630 PF @ 25 V - 121W (TC)
IPI200N15N3 G Infineon Technologies IPI200N15N3 G. -
RFQ
 ECAD 4096 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA IPI200N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO262-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 150 50a (TC) 8 В, 10 В. 20mohm @ 50a, 10 В 4в @ 90 мк 31 NC @ 10 V ± 20 В. 1820 PF @ 75 V - 150 Вт (TC)
AOK9N90 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK9N90 3.3333
RFQ
 ECAD 7400 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 AOK9 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 240 N-канал 900 9А (TC) 10 В 1,3 О МОМ @ 4,5A, 10 В 4,5 -50 мк 58 NC @ 10 V ± 30 v 2560 PF @ 25 V - 368W (TC)
IRFR9014 Vishay Siliconix IRFR9014 -
RFQ
 ECAD 9841 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRFR9014 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRFR9014 Ear99 8541.29.0095 75 П-канал 60 5.1a (TC) 10 В 500mhom @ 3,1a, 10 В 4 В @ 250 мк 12 NC @ 10 V ± 20 В. 270 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 25 yt (tc)
3LN01S-TL-E onsemi 3LN01S-TL-E -
RFQ
 ECAD 1143 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 3LN01 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Smcp СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 150 май (таблица) 1,5 В, 4 В 3,7 ОМ @ 80ma, 4V - 158 NC @ 10 V ± 10 В. 7 pf @ 10 v - 150 м. (ТАК)
2SJ599(0)-ZK-E1-AY Renesas Electronics America Inc 2sj599 (0) -zk-e1-ay -
RFQ
 ECAD 6442 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Управо СКАХАТА Rohs3 Продан Ear99 8541.29.0095 3000 -
MGSF1P02LT1 onsemi MGSF1P02LT1 -
RFQ
 ECAD 5025 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MGSF1 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 20 750 май (таблица) 4,5 В, 10. 350MOHM @ 1,5A, 10 В 2,4 В @ 250 мк ± 20 В. 130 pf @ 5 v - 400 мг (таблица)
IRFPC48 Vishay Siliconix IRFPC48 -
RFQ
 ECAD 6967 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IRFPC48 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-247AC СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 600 8.9a (TC) 10 В 820MOHM @ 5,3A, 10 В 4 В @ 250 мк 110 NC @ 10 V ± 20 В. 1800 pf @ 25 v - 170 Вт (TC)
STI175N4F6AG STMicroelectronics STI175N4F6AG -
RFQ
 ECAD 7980 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ F6 Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA STI175N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 40 120A (TC) 10 В 2,7mohm @ 60a, 10 В 4,5 -50 мк 130 NC @ 10 V ± 20 В. 7735 pf @ 20 v - 190 Вт (ТС)
SPP100N04S2L-03 Infineon Technologies SPP100N04S2L-03 -
RFQ
 ECAD 9783 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 SPP100N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-1 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 40 100a (TC) 4,5 В, 10. 3,3 мома @ 80а, 10 2 В @ 250 мк 230 NC @ 10 V ± 20 В. 8000 pf @ 25 v - 300 м (TC)
STP33N60M2 STMicroelectronics STP33N60M2 4.8800
RFQ
 ECAD 5915 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Plus Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP33 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 26a (TC) 10 В 125mohm @ 13a, 10v 4 В @ 250 мк 45,5 NC @ 10 V ± 25 В 1781 pf @ 100 v - 190 Вт (ТС)
STP21NM50N STMicroelectronics STP21NM50N -
RFQ
 ECAD 9573 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP21N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-4820-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 500 18а (TC) 10 В 190mohm @ 9a, 10v 4 В @ 250 мк 65 NC @ 10 V ± 25 В 1950 PF @ 25 V - 140 Вт (TC)
IXFN27N80Q IXYS Ixfn27n80q -
RFQ
 ECAD 6167 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Q Class Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc Ixfn27 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-227B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 N-канал 800 В 27a (TC) 10 В 320mom @ 500ma, 10 В 4,5 Е @ 4MA 170 NC @ 10 V ± 20 В. 7600 pf @ 25 v - 520W (TC)
IRFF211 Harris Corporation IRFF211 1.1600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-205AF METAL CAN МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-205AF (TO-39) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 150 2.2a (TC) 10 В 1,5 ОМ @ 1,25а, 10 В 4 В @ 250 мк 7,5 NC @ 10 V ± 20 В. 135 PF @ 25 V - 15W (TC)
PH1955L,115 NXP USA Inc. PH1955L, 115 -
RFQ
 ECAD 7442 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 PH19 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 55 40a (TC) 4,5 В, 10. 17,3mohm @ 25a, 10 В 2V @ 1MA 18 NC @ 5 V ± 15 В. 1992 PF @ 25 V - 75W (TC)
AOU2N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Aou2n60 0,2634
RFQ
 ECAD 2852 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Трубка В аспекте -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА Aou2 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 600 2а (TC) 10 В 4,4OM @ 1A, 10V 4,5 -50 мк 11 NC @ 10 V ± 30 v 325 PF @ 25 V - 56,8 м (TC)
IPD90N06S404ATMA1 Infineon Technologies IPD90N06S404ATMA1 -
RFQ
 ECAD 5955 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IPD90 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3-11 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 90A (TC) 10 В 3,8MOM @ 90A, 10V 4в @ 90 мк 128 NC @ 10 V ± 20 В. 10400 pf @ 25 v - 150 Вт (TC)
IXTA3N150HV IXYS IXTA3N150HV 11.1600
RFQ
 ECAD 3399 0,00000000 Ixys - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Ixta3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-263AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 1500 3a (TC) 10 В 7,3 ОМА @ 1,5A, 10 В 5 w @ 250 мк 38,6 NC @ 10 V ± 30 v 1375 PF @ 25 V - 250 yt (TC)
FQA170N06 onsemi FQA170N06 7.2400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 FQA170 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 вечера СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2156-FQA170N06 Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 60 170a (TC) 10 В 5,6mohm @ 85a, 10 В 4 В @ 250 мк 290 NC @ 10 V ± 25 В 9350 pf @ 25 v - 375W (TC)
SI7858ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI785888ADP-T1-E3 2.7500
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 SI7858 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 12 20А (тат) 2,5 В, 4,5 В. 2,6mohm @ 29a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 80 NC @ 4,5 ± 8 v 5700 pf @ 6 v - 1,9 yt (tat)
BUK9Y22-100E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y22-100E, 115 1.3300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 BUK9Y22 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 100 49a (TC) 5в 21,5mohm @ 15a, 10 В 2.1V @ 1MA 35,8 NC @ 5 V ± 10 В. 4640 PF @ 25 V - 147W (TC)
IRL6342TRPBF Infineon Technologies IRL6342TRPBF 0,5900
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IRL6342 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 30 9.9a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 14.6mohm @ 9,9a, 4,5 1,1 - 10 мк 11 NC @ 4,5 ± 12 В. 1025 PF @ 25 V - 2,5 yt (tat)
FDD6296 Fairchild Semiconductor FDD6296 0,4300
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 697 N-канал 30 15a (ta), 50a (TC) 4,5 В, 10. 8,8mohm @ 15a, 10 В 3 В @ 250 мк 31,5 NC @ 10 V ± 20 В. 1440 PF @ 15 V - 3,8 yt (ta), 52 yt (tc)
MCP90N06Y-BP Micro Commercial Co MCP90N06Y-BP 1.1100
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 MCP90 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220AB (H) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 353-MCP90N06Y-BP Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 60 90A 4,5 В, 10. 7,5mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 34 NC @ 10 V ± 20 В. 2000 PF @ 35 V - 83 Вт
FDP15N65 onsemi FDP15N65 -
RFQ
 ECAD 2820 0,00000000 OnSemi Unifet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FDP15 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 15a (TC) 10 В 440MOM @ 7,5A, 10 В 5 w @ 250 мк 63 NC @ 10 V ± 30 v 3095 PF @ 25 V - 250 yt (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть