SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
IRFR18N15DTRRP Infineon Technologies IRFR18N15DTRRP -
RFQ
ECAD 9372 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001566908 Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 150 18а (TC) 10 В 125mohm @ 11a, 10v 5,5 В @ 250 мк 43 NC @ 10 V ± 30 v 900 pf @ 25 v - 110 yt (tc)
FDMC0310AS Fairchild Semiconductor FDMC0310AS 1.0000
RFQ
ECAD 5497 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench®, Syncfet ™ МАССА Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-mlp (3,3x3,3) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 30 19A (TA), 21a (TC) 4,5 В, 10. 4.4mohm @ 19a, 10v 3V @ 1MA 52 NC @ 10 V ± 20 В. 3165 PF @ 15 V - 2.4W (TA), 36W (TC)
PMV50XPAR Nexperia USA Inc. PMV50xpar 0,4400
RFQ
ECAD 8984 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 3.6a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 60mohm @ 3,6a, 4,5 1В @ 250 мк 12 NC @ 4,5 ± 10 В. 744 pf @ 20 v - 490 мт (TA), 4,63 st (TC)
SUD40N02-08-E3 Vishay Siliconix SUD40N02-08-E3 -
RFQ
ECAD 6021 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SUD40 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 20 40a (TC) 2,5 В, 4,5 В. 8,5mohm @ 20a, 4,5 600 мв 250 мка (мин) 35 NC @ 4,5 ± 12 В. 2660 pf @ 20 v - 8,3 yt (ta), 71 st (tc)
IRL3716 Infineon Technologies IRL3716 -
RFQ
ECAD 4857 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 20 180a (TC) 4,5 В, 10. 4mohm @ 90a, 10v 3 В @ 250 мк 79 NC @ 4,5 ± 20 В. 5090 PF @ 10 V - 210 Вт (TC)
AUIRFR3504TRL Infineon Technologies AUIRFR3504TRL -
RFQ
ECAD 7724 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK (DO 252AA) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001520330 Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 40 56A (TC) 10 В 9.2mohm @ 30a, 10 В 4 В @ 250 мк 71 NC @ 10 V ± 20 В. 2150 pf @ 25 v - 140 Вт (TC)
YJD40N04A Yangjie Technology YJD40N04A 0,1450
RFQ
ECAD 250 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Активна - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-YJD40N04ATR Ear99 2500
PHX45NQ11T,127 NXP USA Inc. PHX45NQ11T, 127 -
RFQ
ECAD 9593 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка PHX45 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 110 30.4a (TC) 10 В 25mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 1MA 61 NC @ 10 V ± 20 В. 2600 pf @ 25 v - 62,5 yt (TC)
IRFH5106TR2PBF Infineon Technologies IRFH5106TR2PBF -
RFQ
ECAD 7478 0,00000000 Infineon Technologies - Веса Управо Пефер 8-powervdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-PQFN (5x6) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 N-канал 60 21a (ta), 100a (TC) 5,6mohm @ 50a, 10 В 4 В @ 250 мк 75 NC @ 10 V 3090 PF @ 25 V -
APT17F100B Microchip Technology APT17F100B 9.9900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 APT17F100 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-247 [B] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 1000 17a (TC) 10 В 800MOM @ 9A, 10 В 5V @ 1MA 150 NC @ 10 V ± 30 v 4845 PF @ 25 V - 625W (TC)
IRLR8113TR Infineon Technologies IRLR8113TR -
RFQ
ECAD 4221 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001558970 Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 30 94a (TC) 4,5 В, 10. 6mohm @ 15a, 10v 2,25 -пр. 250 мк 32 NC @ 4,5 ± 20 В. 2920 pf @ 15 v - 89 Вт (ТС)
STD17NF25 STMicroelectronics STD17NF25 1.7300
RFQ
ECAD 8409 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 STD17 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 250 17a (TC) 10 В 165mohm @ 8,5a, 10 4 В @ 250 мк 29,5 NC @ 10 V ± 20 В. 1000 pf @ 25 v - 90 Вт (TC)
IRF7603TRPBF Infineon Technologies IRF7603TRPBF -
RFQ
ECAD 1987 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Micro8 ™ СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 30 5.6a (TA) 4,5 В, 10. 35mohm @ 3,7a, 10 1В @ 250 мк 27 NC @ 10 V ± 20 В. 520 PF @ 25 V - 1,8 yt (tat)
IRF3205ZL Infineon Technologies IRF3205ZL -
RFQ
ECAD 4655 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 262 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRF3205ZL Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 55 75A (TC) 10 В 6,5mohm @ 66a, 10v 4 В @ 250 мк 110 NC @ 10 V ± 20 В. 3450 pf @ 25 v - 170 Вт (TC)
NDB4050 onsemi NDB4050 -
RFQ
ECAD 7568 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB NDB405 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 50 15a (TC) 10 В 100mohm @ 7,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 17 NC @ 10 V ± 20 В. 450 pf @ 25 v - 50 yt (tc)
STW10NK60Z STMicroelectronics STW10NK60Z 42000
RFQ
ECAD 236 0,00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Трубка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STW10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 600 10a (TC) 10 В 750mom @ 4,5a, 10 В 4,5 -50 мк 70 NC @ 10 V ± 30 v 1370 pf @ 25 v - 156 Вт (ТС)
IXFP130N15X3 IXYS IXFP130N15x3 9.6000
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Трубка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IXFP130 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -Ixfp130n15x3 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 150 130a (TC) 10 В 9mohm @ 65a, 10v 4,5 -пр. 1,5 мая 80 NC @ 10 V ± 20 В. 5230 pf @ 25 v - 390 Вт (TC)
SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2316DS-T1-E3 0,8200
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2316 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 2.9a (TA) 4,5 В, 10. 50mohm @ 3,4a, 10 В 800 мв 250 мка (мин) 7 NC @ 10 V ± 20 В. 215 PF @ 15 V - 700 мт (таблица)
2N6782U Microsemi Corporation 2N6782U -
RFQ
ECAD 3623 0,00000000 Microsemi Corporation - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 18-CLCC МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 18-ulcc (9.14x7.49) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 100 3.5a (TC) 10 В 600mhom @ 2,25A, 10 4 В @ 250 мк 8.1 NC @ 10 V ± 20 В. - 800 мт (TA), 15 st (TC)
IPP60R170CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R170CFD7XKSA1 3.6600
RFQ
ECAD 8934 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ CFD7 Трубка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IPP60R170 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 14a (TC) 10 В 170mohm @ 6a, 10v 4,5 В 300 мк 28 NC @ 10 V ± 20 В. 1199 PF @ 400 - 75W (TC)
IXTH6N150 IXYS IXTH6N150 11.9200
RFQ
ECAD 4890 0,00000000 Ixys - Трубка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXTH6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-247 (IXTH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 1500 6А (TC) 10 В 3,5 ОМ @ 500 май, 10 В 5 w @ 250 мк 67 NC @ 10 V ± 20 В. 2230 pf @ 25 v - 540 yt (tc)
FQP9P25 onsemi FQP9P25 1.0019
RFQ
ECAD 4643 0,00000000 OnSemi QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FQP9 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 П-канал 250 9.4a (TC) 10 В 620MOM @ 4,7A, 10 В 5 w @ 250 мк 38 NC @ 10 V ± 30 v 1180 PF @ 25 V - 120 Вт (TC)
SIL03N10-TP Micro Commercial Co SIL03N10-TP -
RFQ
ECAD 9530 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 SIL03N10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-6L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 353-SIL03N10-TPTR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 3a (TA) 4,5 В, 10. 120MOHM @ 3A, 10V 2,5 -50 мк 19,2 NC @ 10 V ± 20 В. 810 pf @ 50 v - 1,5
NVMFS5C460NLT1G onsemi NVMFS5C460NLT1G -
RFQ
ECAD 3695 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NVMFS5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 40 78a (TC) 4,5 В, 10. 4,5mohm @ 35a, 10 В 2 В @ 250 мк 23 NC @ 10 V ± 20 В. 1300 pf @ 25 v - 3,6 yt (ta), 50 yt (tc)
DMT8012LSS-13 Diodes Incorporated DMT8012LSS-13 0,8700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DMT8012 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 80 9.7a (TA) 4,5 В, 10. 16,5mohm @ 12a, 10 В 3 В @ 250 мк 34 NC @ 10 V ± 20 В. 1949 PF @ 40 V - 1,5 yt (tat)
IRF1405PBF Infineon Technologies IRF1405PBF 3.0500
RFQ
ECAD 15 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRF1405 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 55 169a (TC) 10 В 5,3 мома @ 101a, 10 В 4 В @ 250 мк 260 NC @ 10 V ± 20 В. 5480 PF @ 25 V - 330W (TC)
SFF9250L onsemi SFF9250L -
RFQ
ECAD 1794 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack SFF925 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) To-3pf СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 П-канал 200 12.6a (TC) 230mom @ 6.3a, 5в 2 В @ 250 мк 120 NC @ 5 V ± 20 В. 3250 pf @ 25 v - 90 Вт (TC)
IRFL9110TR Vishay Siliconix IRFL9110TR -
RFQ
ECAD 7383 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA IRFL9110 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 100 1.1a (TC) 10 В 1,2 ОМА @ 660MA, 10 В 4 В @ 250 мк 8,7 NC @ 10 V ± 20 В. 200 pf @ 25 v - 2W (TA), 3,1 st (TC)
SIRA20DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA20DP-T1-RE3 1.5800
RFQ
ECAD 9 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 SIRA20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 25 В 81.7a (ta), 100a (TC) 4,5 В, 10. 0,58mohm @ 20a, 10 В 2.1 h @ 250 мк 200 NC @ 10 V +16 В, -12 В. 10850 PF @ 10 V - 6,25 yt (ta), 104w (tc)
DMT69M5LCG-13 Diodes Incorporated DMT69M5LCG-13 0,2725
RFQ
ECAD 5403 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) V-dfn3333-8 (typ b) СКАХАТА DOSTISH 31-DMT69M5LCG-13TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 14.6a (ta), 52.1a (TC) 4,5 В, 10. 8,3mohm @ 13,5a, 10v 2,5 -50 мк 28,4 NC @ 10 V ± 20 В. 1406 pf @ 30 v - 1,37 мкт (таблица)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе