SIC
close

Одино -вполь

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
BSP135L6433HTMA1 Infineon Technologies BSP135L6433HTMA1 -
RFQ
 ECAD 8359 0,00000000 Infineon Technologies SIPMOS® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-SOT223-4-21 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 600 120 май (таблица) 0, 10 В. 45OM @ 120MA, 10 В 1 В @ 94 мк 4,9 NC @ 5 V ± 20 В. 146 pf @ 25 v Rershymicehenipe 1,8 yt (tat)
SI7411DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7411DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5353 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 1212-8 SI7411 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® 1212-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 7.5A (TA) 1,8 В, 4,5 В. 19mohm @ 11.4a, 4,5 1В @ 300 мк 41 NC @ 4,5 ± 8 v - 1,5 yt (tat)
STW42N60M2-EP STMicroelectronics STW42N60M2-EP 8.7500
RFQ
 ECAD 600 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STW42 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 600 34a (TC) 10 В 87mohm @ 17a, 10 В 4,75 Е @ 250 мк 55 NC @ 10 V ± 25 В 2370 pf @ 100 v - 250 yt (TC)
FD70N20PWD onsemi FD70N20PWD -
RFQ
 ECAD 6070 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо - Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 FD70 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 с - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 200 70A (TA) - - - -
NP110N055PUG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP110N055PUG-E1-AY -
RFQ
 ECAD 3593 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Управо 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 55 110A (TC) 10 В 2,4mohm @ 55a, 10 В 4 В @ 250 мк 380 NC @ 10 V ± 20 В. 25700 PF @ 25 V - 1,8 yt (ta), 288w (tc)
NVTFWS002N04CLTAG onsemi NVTFWS002N04CLTAG 2.0100
RFQ
 ECAD 7052 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn NVTFWS002 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-WDFN (3,3x3,3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 40 28A (TA), 142a (TC) 4,5 В, 10. 2,2mohm @ 50a, 10 В 2V @ 90 мк 49 NC @ 10 V ± 20 В. 2940 PF @ 25 V - 3,2 yt (ta), 85 yt (tc)
STW68N60M6 STMicroelectronics STW68N60M6 11.2100
RFQ
 ECAD 132 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M6 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STW68 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-17554 Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 600 63a (TC) 0, 10 В. 41mohm @ 31.5a, 10v 4,75 Е @ 250 мк 106 NC @ 10 V ± 25 В 4360 pf @ 100 v - 390 Вт (TC)
GSFC0213 Good-Ark Semiconductor GSFC0213 0,4800
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 ХOroShyй poluprovowodonyk - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0080 3000 П-канал 20 5.8a (TC) 1,5 В, 4,5 В. 33MOHM @ 4A, 4,5 1В @ 250 мк 25 NC @ 4,5 ± 10 В. 2100 pf @ 15 v - 1,56 м (TC)
P3M06060L8 PN Junction Semiconductor P3M06060L8 10.3800
RFQ
 ECAD 5762 0,00000000 PN Junction Semiconductor P3m Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер Sicfet (kremniewый karbid) Потери СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 4237-P3M06060L8TR 1 N-канал 650 40a 15 79mohm @ 20a, 15v 2.4V @ 5ma (typ) +20, -8 В. - 188 Вт
IRFR010 Vishay Siliconix IRFR010 -
RFQ
 ECAD 8887 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRFR010 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRFR010 Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 50 8.2a (TC) 10 В 200 месяцев @ 4,6a, 10 4 В @ 250 мк 10 NC @ 10 V ± 20 В. 250 pf @ 25 v - 25 yt (tc)
SI5473DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5473DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8297 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-SMD, Плоскин С.С. SI5473 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1206-8 Chipfet ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 12 5.9a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 27 месяцев @ 5,9а, 4,5 1В @ 250 мк 32 NC @ 4,5 ± 8 v - 1,3 yt (tat)
NVMFS5832NLT1G onsemi NVMFS5832NLT1G -
RFQ
 ECAD 6458 0,00000000 OnSemi * Lenta и катахка (tr) Управо NVMFS5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500
DMNH6042SK3-13 Diodes Incorporated DMNH6042SK3-13 0,2741
RFQ
 ECAD 3198 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 DMNH6042 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 25a (TC) 4,5 В, 10. 50mohm @ 6a, 10v 3 В @ 250 мк 8,8 NC @ 10 V ± 20 В. 492 PF @ 25 V - 2W (TA)
PML260SN,118 NXP USA Inc. PML260SN, 118 0,3600
RFQ
 ECAD 6829 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-vdfn oTkrыTAIN МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN3333-8 СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 636 N-канал 200 8.8a (TC) 6 В, 10 В. 294mohm @ 2,6a, 10 4 В @ 1MA 13,3 NC @ 10 V ± 20 В. 657 PF @ 30 V - 50 yt (tc)
SI4890DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4890Dy-T1-E3 1.3466
RFQ
 ECAD 9915 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI4890 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 11a (TA) 4,5 В, 10. 12mohm @ 11a, 10 В 800 мв 250 мка (мин) 20 NC @ 5 V ± 25 В - 2,5 yt (tat)
FDP2552_NL Fairchild Semiconductor FDP2552_NL 1.0000
RFQ
 ECAD 2939 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 150 5a (ta), 37a (TC) 10 В 36mohm @ 16a, 10v 4 В @ 250 мк 51 NC @ 10 V ± 20 В. 2800 pf @ 25 v - 150 Вт (TC)
SQJA04EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJA04EP-T1_BE3 1.1900
RFQ
 ECAD 4084 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 742-SQJA04EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 75A (TC) 10 В 6,2 мома @ 10a, 10v 3,5 В @ 250 мк 55 NC @ 10 V ± 20 В. 3500 pf @ 25 v - 68 Вт (ТС)
FDMC86320 Fairchild Semiconductor FDMC86320 -
RFQ
 ECAD 7757 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-mlp (3,3x3,3) СКАХАТА 0000.00.0000 1 N-канал 80 10.7a (ta), 22a (TC) 8 В, 10 В. 11,7mohm @ 10,7a, 10v 4,5 -50 мк 41 NC @ 10 V ± 20 В. 2640 pf @ 40 v - 2,3 yt (ta), 40 yt (tc)
US5U30TR Rohm Semiconductor US5U30TR 0,2604
RFQ
 ECAD 4998 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 6-SMD (5 проводока), Плоскин С.С. US5U30 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Tumt5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 1a (ta) 2,5 В, 4,5 В. 390mom @ 1a, 4,5 2V @ 1MA 2.1 NC @ 4,5 ± 12 В. 150 pf @ 10 v Диджотки (Иолировананн) 1 yt (tta)
SI4368DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4368DY-T1-E3 2.5500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI4368 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 17a (TA) 4,5 В, 10. 3,2 мома @ 25a, 10 1,8 В @ 250 мк 80 NC @ 4,5 ± 12 В. 8340 PF @ 15 V - 1,6 yt (tat)
HUFA76429S3S onsemi HUFA76429S3S -
RFQ
 ECAD 9214 0,00000000 OnSemi Ultrafet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB HUFA76 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 60 47a (TC) 4,5 В, 10. 22mohm @ 47a, 10v 3 В @ 250 мк 46 NC @ 10 V ± 16 В. 1480 pf @ 25 v - 110 yt (tc)
FDMA86151L onsemi FDMA86151L 1.2400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o FDMA86151 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-микрофон (2x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 3.3a ​​(TA) 4,5 В, 10. 88mom @ 3,3a, 10 В 3 В @ 250 мк 7.3 NC @ 10 V ± 20 В. 450 pf @ 50 v - 2,4 yt (tat)
IPI60R125CP Infineon Technologies IPI60R125CP -
RFQ
 ECAD 8389 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO262-3-1 СКАХАТА 0000.00.0000 1 N-канал 600 25a (TC) 10 В 125mohm @ 16a, 10v 3,5- прри 1,1 мая 70 NC @ 10 V ± 20 В. 2500 pf @ 100 v - 208W (TC)
PSMN130-200D,118-NEX Nexperia USA Inc. PSMN130-200D, 118-nex -
RFQ
 ECAD 6879 0,00000000 Nexperia USA Inc. Трентмос ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 200 20А (TC) 10 В 130mohm @ 25a, 10v 4 В @ 1MA 65 NC @ 10 V ± 20 В. 2470 pf @ 25 v - 150 Вт (TC)
NTD3055-150G onsemi NTD3055-150G -
RFQ
 ECAD 3089 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NTD30 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 60 9А (тат) 10 В 150mohm @ 4,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 15 NC @ 10 V ± 20 В. 280 pf @ 25 v - 1,5 м (та), 28,8 st (TJ)
STS4DNFS30L STMicroelectronics STS4DNFS30L -
RFQ
 ECAD 1290 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) STS4D МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 4a (TC) 5 В, 10 В. 55mohm @ 2a, 10 В 1В @ 250 мк 9 NC @ 5 V ± 16 В. 330 pf @ 25 v Диджотки (Иолировананн) 2W (TC)
SPS04N60C3AKMA1 Infineon Technologies SPS04N60C3AKMA1 0,6000
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Infineon Technologies * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
IPB407N30NATMA1 Infineon Technologies IPB407N30NATMA1 10.0800
RFQ
 ECAD 463 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IPB407 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 300 44a (TC) 10 В 40,7mohm @ 44a, 10 В 4 В @ 270 мк 87 NC @ 10 V ± 20 В. 7180 pf @ 100 v - 300 м (TC)
SFW9Z34TM Fairchild Semiconductor SFW9Z34TM 0,6400
RFQ
 ECAD 36 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 800 П-канал 60 18а (TC) 10 В 140mohm @ 9a, 10 В 4 В @ 250 мк 38 NC @ 10 V ± 30 v 1155 PF @ 25 V - 3,8 Вт (ТА), 82 Вт (TC)
IXTP1N100 IXYS Ixtp1n100 2.8555
RFQ
 ECAD 2656 0,00000000 Ixys - Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Ixtp1 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 1000 1.5a (TC) 10 В 11om @ 1a, 10v 4,5 В @ 25 мк 14,5 NC @ 10 V ± 30 v 400 pf @ 25 v - 54W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть