SIC
close

Одино -вполь

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
IRF7604TR Infineon Technologies IRF7604TR -
RFQ
 ECAD 8032 0,00000000 Infineon Technologies - Веса Управо Пефер 8-tssop, 8-мав (0,118 ", 3,00 мк) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Micro8 ™ СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 П-канал 20 3.6a (TA) 90mohm @ 2,4a, 4,5 700 мв 250 мка (мин) 20 NC @ 4,5 590 PF @ 15 V -
MCT06P02-TP Micro Commercial Co MCT06P02-TP -
RFQ
 ECAD 9251 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA MCT06 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 - 353-MCT06P02-TP Ear99 8541.29.0095 1 П-канал 20 6A 2,5 В, 4,5 В. 60mohm @ 6a, 4,5 900 мВ @ 250 мк 15 NC @ 4,5 ± 12 В. 740 pf @ 4 v - 3W
FDMS0312AS onsemi FDMS0312AS 0,6800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi PowerTrench®, Syncfet ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn FDMS0312 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-PQFN (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 18a (TA), 22a (TC) 4,5 В, 10. 5mohm @ 18a, 10v 3V @ 1MA 31 NC @ 10 V ± 20 В. 1815 PF @ 15 V - 2,5 yt (ta), 36 st (tc)
HUFA76419D3ST Fairchild Semiconductor HUFA76419D3ST 0,5300
RFQ
 ECAD 713 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 HUFA76419 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 713 N-канал 60 20А (TC) 4,5 В, 10. 37mohm @ 20a, 10 В 3 В @ 250 мк 27,5 NC @ 10 V ± 16 В. 900 pf @ 25 v - 75W (TC)
MCM1216-TP Micro Commercial Co MCM1216-TP -
RFQ
 ECAD 6724 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o MCM1216 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN2020-6J СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 12 16a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 21mohm @ 6,7a, 4,5 1В @ 250 мк 100 NC @ 8 V ± 8 v 2700 pf @ 10 v - 2,5 yt (ta), 18 yt (tc)
IRFU220PBF Vishay Siliconix IRFU220PBF 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА Irfu220 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251ааа СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) *Irfu220pbf Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 200 4.8a (TC) 10 В 800mohm @ 2,9a, 10 В 4 В @ 250 мк 14 NC @ 10 V ± 20 В. 260 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 42 st (tc)
PSMN1R7-30YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R7-30YL, 115 1.9700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 PSMN1R7 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 30 100a (TC) 4,5 В, 10. 1,7 мома @ 15a, 10 2.15V @ 1MA 77,9 NC @ 10 V ± 20 В. 5057 pf @ 12 v - 109 Вт (ТС)
ISC0803NLSATMA1 Infineon Technologies ISC0803NLSATMA1 1.2800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn ISC0803N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TDSON-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 100 8.8a (ta), 37a (TC) 4,5 В, 10. 16.9mohm @ 20a, 10v 2,3 - @ 18 мка 15 NC @ 10 V ± 20 В. 1000 pf @ 50 v - 2,5 yt (ta), 43 yt (tc)
IXFH12N120P IXYS Ixfh12n120p 17.4700
RFQ
 ECAD 3799 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polar Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXFH12 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-247AD (IXFH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -Ixfh12n120p Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 1200 12a (TC) 10 В 1,35OM @ 500 мА, 10 В 6,5 h @ 1ma 103 NC @ 10 V ± 30 v 5400 pf @ 25 v - 543W (TC)
GSFW02009 Good-Ark Semiconductor GSFW02009 0,2100
RFQ
 ECAD 19 0,00000000 ХOroShyй poluprovowodonyk - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-101, SOT-883 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-883 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0080 10000 П-канал 20 850 май (таблица) 1,8 В, 4,5 В. 640mom @ 550 мА, 4,5 1В @ 250 мк 0,8 NC @ 4,5 ± 12 В. 58 PF @ 10 V - 690 м
GSGQ6988 Good-Ark Semiconductor GSGQ6988 0,4500
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ХOroShyй poluprovowodonyk - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0080 3000 N-канал 65 7.4a (TA) 4,5 В, 10. 16mohm @ 3a, 10v 2,5 -50 мк 22 NC @ 10 V +20, -12 В. 1300 pf @ 30 v - 1,47 м (TC)
HAT2170H-EL-E Renesas Electronics America Inc HAT2170H-EL-E -
RFQ
 ECAD 6568 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 HAT2170 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 45A (TA) 7 В, 10 В. 4,2mohm @ 22,5a, 10 В 3V @ 1MA 62 NC @ 10 V ± 20 В. 4650 pf @ 10 v - 30 yt (tc)
STF7N52K3 STMicroelectronics STF7N52K3 1.7300
RFQ
 ECAD 977 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3 ™ Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- STF7N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220FP СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 525 6А (TC) 10 В 850MOHM @ 3A, 10V 4,5 -прри 50 мк 33 NC @ 10 V ± 30 v 870 pf @ 100 v - 25 yt (tc)
FDP12N50 onsemi FDP12N50 -
RFQ
 ECAD 7236 0,00000000 OnSemi Unifet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FDP12 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 500 11.5a (TC) 10 В 650MOHM @ 6A, 10V 5 w @ 250 мк 30 NC @ 10 V ± 30 v 1315 PF @ 25 V - 165W (TC)
PJP4NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJP4NA70_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 1815 0,00000000 Panjit International Inc. - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 PJP4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB - Rohs3 1 (neograniчennnый) 3757-PJP4NA70_T0_00001 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 700 4a (TA) 10 В 2.8om @ 2a, 10 В 4 В @ 250 мк 10,5 NC @ 10 V ± 30 v 514 PF @ 25 V - 100 yt (tc)
PJF2NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJF2NA60_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 7689 0,00000000 Panjit International Inc. - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- PJF2NA60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ito-220AB - Rohs3 1 (neograniчennnый) 3757-PJF2NA60_T0_00001 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 2а (тат) 10 В 4,4OM @ 1A, 10V 4 В @ 250 мк 5,7 NC @ 10 V ± 30 v 257 pf @ 25 v - 23W (TC)
AOTS21115C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTS21115C 0,4600
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-74, SOT-457 AOTS21115 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 6.6a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 40mohm @ 6,6a, 4,5 950 мВ @ 250 мк 17 NC @ 4,5 ± 8 v 930 pf @ 10 v - 2,5 yt (tat)
STW25N60M2-EP STMicroelectronics STW25N60M2-EP 3.5300
RFQ
 ECAD 3553 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STW25 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 600 N-канал 600 18а (TC) 10 В 188mohm @ 9a, 10v 4,75 Е @ 250 мк 29 NC @ 10 V ± 25 В 1090 pf @ 100 v - 150 yt (tc)
DMN2310UTQ-7 Diodes Incorporated DMN2310UTQ-7 0,0736
RFQ
 ECAD 2358 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-523 DMN2310 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-523 СКАХАТА DOSTISH 31-DMN2310UTQ-7TR Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 1.2a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 240MOHM @ 300MA, 4,5 950 мВ @ 250 мк 0,7 NC @ 4,5 ± 8 v 38 PF @ 10 V - 290 м
SI3493DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3493DDV-T1-GE3 0,3900
RFQ
 ECAD 22 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3493 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 8a (TC) 1,8 В, 4,5 В. 24mohm @ 7,5a, 4,5 1В @ 250 мк 30 NC @ 4,5 ± 8 v 1825 PF @ 10 V - 3,6 st (TC)
FDPF770N15A onsemi FDPF770N15A 1.5600
RFQ
 ECAD 376 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- FDPF770 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 150 10a (TC) 10 В 77mohm @ 10a, 10v 4 В @ 250 мк 11,2 NC @ 10 V ± 20 В. 765 PF @ 75 V - 21W (TC)
NTHL082N65S3F onsemi NTHL082N65S3F 10.5200
RFQ
 ECAD 3071 0,00000000 OnSemi Superfet® III Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 NTHL082 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 450 N-канал 650 40a (TC) 10 В 82mohm @ 20a, 10 В 5V @ 4MA 81 NC @ 10 V ± 30 v 3410 pf @ 400 - 313W (TC)
PJP6NA40_T0_00001 Panjit International Inc. PJP6NA40_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 2706 0,00000000 Panjit International Inc. - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 PJP6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB - Rohs3 1 (neograniчennnый) 3757-PJP6NA40_T0_00001 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 400 6a (TA) 10 В 950MOHM @ 3A, 10V 4 В @ 250 мк 11,4 NC @ 10 V ± 30 v 553 PF @ 25 V - 100 yt (tc)
NVMFS5885NLWFT3G onsemi NVMFS5885NLWFT3G -
RFQ
 ECAD 6376 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NVMFS5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 10.2a (TA) 4,5 В, 10. 15mohm @ 15a, 10 В 2,5 -50 мк 21 NC @ 10 V ± 20 В. 1340 pf @ 25 v - 3,7 yt (ta), 54W (TC)
AOWF11A60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF11A60 -
RFQ
 ECAD 6941 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. * Lenta и катахка (tr) Актифен AOWF11 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000
IRF6218PBF Infineon Technologies IRF6218PBF -
RFQ
 ECAD 3588 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 П-канал 150 27a (TC) 10 В 150mohm @ 16a, 10 В 5 w @ 250 мк 110 NC @ 10 V ± 20 В. 2210 pf @ 25 v - 250 yt (TC)
RRS070N03TB1 Rohm Semiconductor RRS070N03TB1 -
RFQ
 ECAD 7628 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 7A (TA) 28mohm @ 7a, 10 В - 11,6 NC @ 5 V 900 pf @ 10 v - -
SIE832DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE832DF-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5622 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 10-polarpak® (ы) SIE832 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 10-polarpak® (ы) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 40 50a (TC) 4,5 В, 10. 5,5 моама @ 14a, 10 В 3 В @ 250 мк 77 NC @ 10 V ± 20 В. 3800 pf @ 20 v - 5,2 yt (ta), 104w (tc)
FDS6675 onsemi FDS6675 -
RFQ
 ECAD 2179 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) FDS66 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 30 11a (TA) 4,5 В, 10. 14mohm @ 11a, 10v 3 В @ 250 мк 42 NC @ 5 V ± 20 В. 3000 pf @ 15 v - 2,5 yt (tat)
SQ4080EY-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ4080EY-T1_GE3 1.3300
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SQ4080 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 150 18а (TC) 10 В 85mohm @ 10a, 10 В 4 В @ 250 мк 33 NC @ 10 V ± 20 В. 1590 PF @ 75 V - 7,1 м (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть