SIC
close

Odinoчnыepoletы, mosfet (44971)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
G3404B Goford Semiconductor G3404B 0,4300
RFQ
 ECAD 15 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 5.6A 22mohm @ 4.2a, 10 В 2 В @ 250 мк 12.2 NC @ 10 V ± 20 В. 526 PF @ 15 V 1,2 Вт
IRF9540 Vishay Siliconix IRF9540 -
RFQ
 ECAD 6306 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRF9540 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRF9540 Ear99 8541.29.0095 50 П-канал 100 19a (TC) 10 В 200 месяцев @ 11A, 10V 4 В @ 250 мк 61 NC @ 10 V ± 20 В. 1400 pf @ 25 v - 150 Вт (TC)
GAN7R0-150LBEZ Nexperia USA Inc. GAN7R0-150LBEZ 4.2100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-VLGA Gan7r0 Ganfet (intrid galkina) 3-FCLGA (3,2x2,2) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0040 2500 N-канал 150 28А 5в 7mohm @ 10a, 5v 2.1V @ 5MA 7,6 NC @ 5 V +6 В, -4. 865 PF @ 85 V - 28 wt
IXTP08N100P IXYS Ixtp08n100p 2.9100
RFQ
 ECAD 287 0,00000000 Ixys Пола Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IXTP08 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 1000 800 май (TC) 10 В 20om @ 500 мА, 10 В 4 В @ 50 мк 11,3 NC @ 10 V ± 20 В. 240 pf @ 25 v - 42W (TC)
AOTF12N50_007 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF12N50_007 -
RFQ
 ECAD 9262 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Трубка Управо - - - AOTF12 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) - - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал - - - - - - -
NP80N04KHE-E1-AZ Renesas Electronics America Inc NP80N04KHE-E1-AZ -
RFQ
 ECAD 5511 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Управо - Rohs3 Продан Управо 0000.00.0000 3000 80a (TC)
FQI11N40TU onsemi FQI11N40TU -
RFQ
 ECAD 1266 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA FQI1 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 400 11.4a (TC) 10 В 480MOM @ 5,7A, 10 В 5 w @ 250 мк 35 NC @ 10 V ± 30 v 1400 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 147W (TC)
IPB029N06N3GE8187ATMA1 Infineon Technologies IPB029N06N3GE8187ATMA1 2.6200
RFQ
 ECAD 6760 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IPB029 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 60 120A (TC) 10 В 3,2 мома @ 100a, 10 4в @ 118 мк 165 NC @ 10 V ± 20 В. 13000 pf @ 30 v - 188W (TC)
AON6418 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6418 -
RFQ
 ECAD 4267 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. SDMOS ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powersmd, ploskie otwedonnina AON641 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (5x6) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 14a (ta), 36a (TC) 4,5 В, 10. 5mohm @ 20a, 10 В 1,8 В @ 250 мк 33 NC @ 10 V ± 20 В. 1229 PF @ 15 V - 6 Вт (TA), 25 -й (TC)
IRL3715ZSTRLPBF Infineon Technologies IRL3715ZSTRLPBF -
RFQ
 ECAD 5588 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 20 50a (TC) 4,5 В, 10. 11mohm @ 15a, 10 В 2,55 Е @ 250 мк 11 NC @ 4,5 ± 20 В. 870 pf @ 10 v - 45 Вт (TC)
IRF8714GTRPBF Infineon Technologies IRF8714GTRPBF -
RFQ
 ECAD 5194 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 30 14a (TA) 4,5 В, 10. 8,7mohm @ 14a, 10v 2,35 В @ 25 мк 12 NC @ 4,5 ± 20 В. 1020 PF @ 15 V - 2,5 yt (tat)
FDG312P onsemi FDG312P -
RFQ
 ECAD 5665 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 FDG312 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SC-88 (SC-70-6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 20 1.2a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 180mohm @ 1,2a, 4,5 1,5 В @ 250 мк 5 NC @ 4,5 ± 8 v 330 pf @ 10 v - 750 мг (таблица)
DMNH6021SPSWQ-13 Diodes Incorporated DMNH6021SPSWQ-13 0,3502
RFQ
 ECAD 1450 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 8-Powertdfn DMNH6021 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi5060-8 (typ ux) СКАХАТА DOSTISH 31-DMNH6021SPSWQ-13TR Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 44a (TC) 4,5 В, 10. 23mohm @ 12a, 10v 3 В @ 250 мк 20,1 NC @ 10 V ± 20 В. 1132 PF @ 30 V - 1,6
PSMN012-60MSX Nexperia USA Inc. PSMN012-60MSX 0,8300
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 -листь) PSMN012 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK33 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 60 53a (TA) 10 В 12mohm @ 15a, 10v 4 В @ 1MA 24,8 NC @ 10 V ± 20 В. 1625 PF @ 25 V - 75W (TA)
IXTU05N120 IXYS Ixtu05n120 -
RFQ
 ECAD 7859 0,00000000 Ixys - Трубка Управо - Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251ааа - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 1200 500 май (TC) - - - -
IXTH96P085T IXYS IXTH96P085T 8.1900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Ixys Renchp ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXTH96 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-247 (IXTH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 П-канал 85 96A (TC) 10 В 13mohm @ 500ma, 10 В 4 В @ 250 мк 180 NC @ 10 V ± 15 В. 13100 pf @ 25 v - 298W (TC)
STL51N3LLH5 STMicroelectronics STL51N3LLH5 0,7800
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ v Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn STL51 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerFlat ™ (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 51a (TC) 4,5 В, 10. 14,5mohm @ 6,3a, 10 В 2,5 -50 мк 5 NC @ 4,5 ± 22 В. 724 PF @ 25 V - 62,5 yt (TC)
IPA60R280P7SXKSA1 Infineon Technologies IPA60R280P7SXKSA1 1.5800
RFQ
 ECAD 480 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ P7 Трубка Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- IPA60R280 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-FP СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 12a (TC) 10 В 280mohm @ 3,8a, 10 В 4в @ 190 мк 18 NC @ 10 V ± 20 В. 761 PF @ 400 - 24 wt (tc)
FQP17N08 Fairchild Semiconductor FQP17N08 0,3100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 80 16.5a (TC) 10 В 115mohm @ 8.25a, 10 В 4 В @ 250 мк 15 NC @ 10 V ± 25 В 450 pf @ 25 v - 65W (TC)
FCPF11N65 onsemi FCPF11N65 -
RFQ
 ECAD 6263 0,00000000 OnSemi Superfet ™ Трубка Актифен - Чereз dыru 220-3- FCPF11 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 11a (TC) 380MOHM @ 5,5A, 10 В 5 w @ 250 мк 52 NC @ 10 V 1490 pf @ 25 v - 36W (TC)
IRF1405STRR Infineon Technologies IRF1405Strr -
RFQ
 ECAD 7863 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001564256 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 55 131a (TC) 10 В 5,3 мома @ 101a, 10 В 4 В @ 250 мк 260 NC @ 10 V ± 20 В. 5480 PF @ 25 V - 200 yt (tc)
TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX RFG 0,9000
RFQ
 ECAD 76 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM240 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 6.5a (TC) 4,5 В, 10. 24mohm @ 6a, 10v 2,5 -50 мк 4,1 NC @ 4,5 ± 20 В. 345 PF @ 25 V - 1,56 м (TC)
IRFR214PBF Vishay Siliconix IRFR214PBF 0,6159
RFQ
 ECAD 7829 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRFR214 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) *IRFR214PBF Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 250 2.2a (TC) 10 В 2OM @ 1,3а, 10 В 4 В @ 250 мк 8.2 NC @ 10 V ± 20 В. 140 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 25 yt (tc)
IXTA2N80 IXYS Ixta2n80 -
RFQ
 ECAD 5922 0,00000000 Ixys - Коробка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Ixta2 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-263AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 800 В 2а (TC) 10 В 6,2 ОМа @ 500 май, 10 В 5,5 В @ 250 мк 22 NC @ 10 V ± 20 В. 440 PF @ 25 V - 54W (TC)
IRF6655TR1 Infineon Technologies IRF6655TR1 -
RFQ
 ECAD 1918 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DirectFet ™ IзOTRIGHYSKIй SH МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DirectFet ™ SH СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 100 4.2a (ta), 19a (TC) 10 В 62mohm @ 5a, 10 В 4,8 В @ 25 мк 11,7 NC @ 10 V ± 20 В. 530 pf @ 25 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
SI4425FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4425FDY-T1-GE3 0,7100
RFQ
 ECAD 3274 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Gen IV Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SI4425 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 30 12,7A (TA), 18,3A (TC) 4,5 В, 10. 9,5mohm @ 10a, 10v 2,2 pri 250 мк 41 NC @ 10 V +16, -20v 1620 PF @ 15 V - 2,3 yt (ta), 4,8 yt (tc)
IRFB33N15D Infineon Technologies IRFB33N15D -
RFQ
 ECAD 1966 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRFB33N15D Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 150 33a (TC) 10 В 56mohm @ 20a, 10v 5,5 В @ 250 мк 90 NC @ 10 V ± 30 v 2020 PF @ 25 V - 3,8 yt (ta), 170 yt (tc)
PSMN7R0-100PS,127 NXP Semiconductors PSMN7R0-100PS, 127 -
RFQ
 ECAD 9099 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен - Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH 2156-PSMN7R0-100PS, 127-954 1 N-канал 100 100a (TC) 10 В 12mohm @ 15a, 10v 4 В @ 1MA 125 NC @ 10 V ± 20 В. 6686 PF @ 50 V - 269 Вт (TC)
SI2319DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2319DS-T1-GE3 0,7500
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2319 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 40 2.3a (TA) 10 В 82MOHM @ 3A, 10 В 3 В @ 250 мк 17 NC @ 10 V ± 20 В. 470 pf @ 20 v - 750 мг (таблица)
FDS7098N3 Fairchild Semiconductor FDS7098N3 0,5100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 14a (TA) 4,5 В, 10. 9mohm @ 14a, 10 В 3 В @ 250 мк 22 NC @ 5 V ± 20 В. 1587 PF @ 15 V - 3W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть