SIC
close

Одино -вполь

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
IXTT88N15 IXYS IXTT88N15 -
RFQ
 ECAD 1994 0,00000000 Ixys - Коробка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Ixtt88 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-268AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 150 88a (TC) 10 В 22mohm @ 44a, 10v 4 В @ 250 мк 170 NC @ 10 V ± 20 В. 4000 pf @ 25 v - 400 м (TC)
SIR188LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR188LDP-T1-RE3 1.5700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Gen IV Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 742-SIR188LDP-T1-RE3TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 25,8A (TA), 93,6A (TC) 4,5 В, 10. 3,75mohm @ 15a, 10 2,5 -50 мк 52 NC @ 10 V ± 20 В. 2300 pf @ 30 v - 5 Вт (TA), 65,7 st (TC)
IXFT24N80P IXYS Ixft24n80p 11.5687
RFQ
 ECAD 4269 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polar Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA IXFT24 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-268AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 800 В 24а (TC) 10 В 400mohm @ 12a, 10 В 5V @ 4MA 105 NC @ 10 V ± 30 v 7200 pf @ 25 v - 650 Вт (TC)
PSMN017-30EL,127 Nexperia USA Inc. PSMN017-30EL, 127 -
RFQ
 ECAD 3587 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA PSMN017 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 30 32A (TC) 4,5 В, 10. 17mohm @ 10a, 10 В 2.15V @ 1MA 10,7 NC @ 10 V ± 20 В. 552 PF @ 15 V - 47W (TC)
BSS670T116 Rohm Semiconductor BSS670T116 0,5000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ROHM Semiconductor Optimos® Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SST3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 650 май (таблица) 2,5 В, 10 В. 680mom @ 650ma, 10 В 2 w @ 10 мк ± 20 В. 47 pf @ 30 v - 200 мт (таблица)
NVMFS5H600NLWFT1G onsemi NVMFS5H600NLWFT1G 2.0418
RFQ
 ECAD 6135 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен NVMFS5 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-NVMFS5H600NLWFT1GTR 1500 35A (TA), 250A (TC)
FCB20N60-F085 Fairchild Semiconductor FCB20N60-F085 -
RFQ
 ECAD 8057 0,00000000 Fairchild Semiconductor Automotive, AEC-Q101, Superfet ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 600 20А (TC) 198mohm @ 20a, 10v 5 w @ 250 мк 102 NC @ 10 V ± 30 v 3080 pf @ 25 v - 341W (TC)
FDS8842NZ onsemi FDS8842NZ 1.6300
RFQ
 ECAD 16 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) FDS8842 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 14.9a (TA) 4,5 В, 10. 7mohm @ 14.9a, 10v 3 В @ 250 мк 73 NC @ 10 V ± 20 В. 3845 PF @ 15 V - 2,5 yt (tat)
RQ5L035GNTCL Rohm Semiconductor RQ5L035GNTCL 0,7800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер SC-96 RQ5L035 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TSMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 3.5a (TA) 4,5 В, 10. 50mohm @ 3,5a, 10 В 2,7 В @ 50 мк 7.3 NC @ 10 V ± 20 В. 375 PF @ 30 V - 700 мт (таблица)
MMFTN4520 Diotec Semiconductor MMFTN4520 0,1276
RFQ
 ECAD 7824 0,00000000 DIOTEC Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 (TO-236) СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 2796-MMFTN4520TR 8541.21.0000 3000 N-канал 150 1a (ta) 4,5 В, 10. 380MOHM @ 1A, 10V 3 В @ 250 мк 3,8 NC @ 10 V ± 20 В. 164 PF @ 75 V - 960 м
PMZB550UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB550UNEYL 0,4800
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-xfdfn PMZB550 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN1006B-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10000 N-канал 30 590 май (таблица) 1,5 В, 4,5 В. 670mohm @ 590ma, 4,5 950 мВ @ 250 мк 1.1 NC @ 4,5 ± 8 v 30,3 pf @ 15 v - 310 мт (TA), 1,67 st (TC)
SI3129DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3129DV-T1-GE3 0,6800
RFQ
 ECAD 9953 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 742-SI3129DV-T1-GE3TR Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 80 3.8a (ta), 5.4a (TC) 4,5 В, 10. 82,7mohm @ 3,8a, 10 В 2,5 -50 мк 18 NC @ 10 V ± 20 В. 805 pf @ 40 v - 2W (TA), 4,2 st (TC)
SI2310A UMW Si2310a 0,5000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Герметихан Герметихан Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 3a (TA) 4,5 В, 10. 80mohm @ 3a, 10v 3 В @ 250 мк 10 NC @ 4,5 ± 20 В. 780 pf @ 25 v - 1,38 yt (tat)
STI400N4F6 STMicroelectronics STI400N4F6 5.0400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ VI Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA STI400N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 40 120A (TC) 10 В 1,7 мома @ 60а, 10 4,5 -50 мк 377 NC @ 10 V ± 20 В. 20000 PF @ 25 V - 300 м (TC)
STI20N65M5 STMicroelectronics STI20N65M5 3.0100
RFQ
 ECAD 4470 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ V. Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA STI20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 650 18а (TC) 10 В 190mohm @ 9a, 10v 5 w @ 250 мк 36 NC @ 10 V ± 25 В 1434 pf @ 100 v - 130 Вт (TC)
IRFI730GPBF Vishay Siliconix IRFI730GPBF 2.1600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка IRFI730 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) *IRFI730GPBF Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 400 3.7a (TC) 10 В 1om @ 2,1a, 10 В 4 В @ 250 мк 38 NC @ 10 V ± 20 В. 700 pf @ 25 v - 35 Вт (TC)
SQJ433EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ433EP-T1_BE3 1.4100
RFQ
 ECAD 3015 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 742-SQJ433EP-T1_BE3TR Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 30 75A (TC) 4,5 В, 10. 8,1mohm @ 16a, 10v 2,5 -50 мк 108 NC @ 10 V ± 20 В. 4877 PF @ 15 V - 83W (TC)
FQB11N40TM onsemi FQB11N40TM -
RFQ
 ECAD 3947 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB FQB1 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 400 11.4a (TC) 10 В 480MOM @ 5,7A, 10 В 5 w @ 250 мк 35 NC @ 10 V ± 30 v 1400 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 147W (TC)
RJK6012DPP-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK6012DPP-E0#T2 -
RFQ
 ECAD 1382 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Пркрэно 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 600 10А (таблица) 10 В 920mohm @ 5a, 10v - 30 NC @ 10 V ± 30 v 1100 pf @ 25 v - 30 yt (tc)
YJS4447B Yangjie Technology YJS4447B 0,3010
RFQ
 ECAD 400 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-yjs4447btr Ear99 4000
DMN3404L-7-50 Diodes Incorporated DMN3404L-7-50 0,0758
RFQ
 ECAD 5538 0,00000000 Дидж - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3404 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 СКАХАТА 31-DMN3404L-7-50 Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 4.2a (TA) 3 В, 10 В. 28mohm @ 5,8a, 10 В 2 В @ 250 мк 16 NC @ 10 V ± 20 В. 498 PF @ 15 V - 720 м
FDS7779Z Fairchild Semiconductor FDS7779Z -
RFQ
 ECAD 2035 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 30 16a (TA) 4,5 В, 10. 7,2 мома @ 16a, 10v 3 В @ 250 мк 98 NC @ 10 V ± 25 В 3800 pf @ 15 v - 2,5 yt (tat)
DMTH3002LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH3002LPSQ-13 0,5592
RFQ
 ECAD 6944 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi5060-8 (Typ k) - DOSTISH 31-DMTH3002LPSQ-13TR Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 240A (TC) 4,5 В, 10. 1,6mohm @ 25a, 10 В 2V @ 1MA 77 NC @ 10 V ± 16 В. 5000 pf @ 15 v - 1,2 yt (ta), 136w (tc)
RJK0395DPA-WS#J53 Renesas Electronics America Inc RJK0395DPA-WS#J53 0,5500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1
IXFC24N50 IXYS IXFC24N50 -
RFQ
 ECAD 2811 0,00000000 Ixys Hiperfet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru Isoplus220 ™ IXFC24N50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Isoplus220 ™ СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 500 21a (TC) 10 В 230mom @ 12a, 10 В 4V @ 4MA 135 NC @ 10 V ± 20 В. 4200 pf @ 25 v - 230W (TC)
TSM60NB380CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB380CH 2.1663
RFQ
 ECAD 8075 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 251 (ipak) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 1801-TSM60NB380CH Ear99 8541.29.0095 15 000 N-канал 600 9.5a (TC) 10 В 380mom @ 2,85A, 10 В 4 В @ 250 мк 19,4 NC @ 10 V ± 30 v 795 pf @ 100 v - 83W (TC)
IRLD120 Vishay Siliconix Irld120 -
RFQ
 ECAD 5157 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 4-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) Irld120 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 4-hvmdip СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *Irld120 Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 100 1.3a (TA) 4 В, 5V 270mohm @ 780ma, 5V 2 В @ 250 мк 12 NC @ 5 V ± 10 В. 490 PF @ 25 V - 1,3 yt (tat)
STL24N65M2 STMicroelectronics STL24N65M2 1.5922
RFQ
 ECAD 4995 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M2 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn STL24 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerFlat ™ (8x8) HV - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 650 14a (TC) 10 В 250mohm @ 7a, 10 В 4 В @ 250 мк 29 NC @ 10 V ± 25 В 1060 pf @ 100 v - 125W (TC)
IRFB4310GPBF Infineon Technologies IRFB4310GPBF -
RFQ
 ECAD 3919 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001564018 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 100 130a (TC) 10 В 7mohm @ 75a, 10v 4 В @ 250 мк 250 NC @ 10 V ± 20 В. 7670 pf @ 50 v - 300 м (TC)
NTD4810NT4G onsemi NTD4810NT4G -
RFQ
 ECAD 9448 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NTD48 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 9a (ta), 54a (TC) 4,5 В, 11,5 В. 10mohm @ 30a, 10 В 2,5 -50 мк 11 NC @ 4,5 ± 20 В. 1350 pf @ 12 v - 1,4 yt (ta), 50 st (tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть