SIC
close

Одино -вполь

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТИП ФЕТ Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
STW15N95K5 STMicroelectronics STW15N95K5 -
RFQ
 ECAD 2839 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STW15 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 950 12a (TC) 10 В 500mohm @ 6a, 10 В 5 w @ 100 мк 40 NC @ 10 V ± 30 v 900 pf @ 100 v - 170 Вт (TC)
PSMN005-55P,127 NXP USA Inc. PSMN005-55P, 127 -
RFQ
 ECAD 7457 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 PSMN0 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 55 75A (TC) 4,5 В, 10. 5,8 мома @ 25a, 10 В 2V @ 1MA 103 NC @ 5 V ± 15 В. 6500 pf @ 25 v - 230W (TC)
IXTA30N65X2 IXYS Ixta30n65x2 8.9736
RFQ
 ECAD 4909 0,00000000 Ixys Ультра x2 Трубка Актифен - - - Ixta30 - - - Rohs3 DOSTISH 238-IXTA30N65X2 Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
SQM50P04-09L_GE3 Vishay Siliconix SQM50P04-09L_GE3 2.6100
RFQ
 ECAD 651 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SQM50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 (D²PAK) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 800 П-канал 40 50a (TC) 4,5 В, 10. 9.4mohm @ 50a, 10v 2,5 -50 мк 145 NC @ 10 V ± 20 В. 6045 PF @ 10 V - 150 Вт (TC)
NTB75N03-006 onsemi NTB75N03-006 -
RFQ
 ECAD 2514 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB NTB75 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 30 75A (TC) 10 В 6,5mohm @ 37,5a, 10v 2 В @ 250 мк 75 NC @ 5 V ± 20 В. 5635 PF @ 25 V - 2,5 yt (ta), 125 yt (tc)
SIRA88DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA88DP-T1-GE3 0,4900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Gen IV Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 SIRA88 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 45,5a (TC) 4,5 В, 10. 6,7mohm @ 10a, 10v 2,4 В @ 250 мк 12,5 NC @ 4,5 +20, -16V 985 PF @ 15 V - 25 yt (tc)
SIDR5102EP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR5102EP-T1-RE3 2.9900
RFQ
 ECAD 4824 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Gen V. Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 SIDR5102 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8DC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 28.2a (TA), 126a (TC) 7,5 В, 10. 4,1mohm @ 20a, 10 В 4 В @ 250 мк 51 NC @ 10 V ± 20 В. 2850 pf @ 50 v - 7,5 yt (ta), 150 yt (tc)
STF8NK85Z STMicroelectronics STF8NK85Z -
RFQ
 ECAD 1243 0,00000000 Stmicroelectronics Supermesh ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- STF8N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 850 6.7a (TC) 10 В 1,4OM @ 3,35A, 10 В 4,5 -пр. 100 мк 60 NC @ 10 V ± 30 v 1870 PF @ 25 V - 35 Вт (TC)
FDPF085N10A onsemi FDPF085N10A 3.0100
RFQ
 ECAD 790 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- FDPF085 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 100 40a (TC) 10 В 8,5mohm @ 40a, 10 В 4 В @ 250 мк 40 NC @ 10 V ± 20 В. 2695 PF @ 50 V - 33,3 Вт (TC)
AONS36316 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Aons36316 0,6800
RFQ
 ECAD 9501 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powersmd, ploskie otwedonnina Aons363 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 28A (TA), 32A (TC) 4,5 В, 10. 4,1mohm @ 20a, 10 В 1,9 В @ 250 мк 42 NC @ 10 V ± 12 В. 2005 PF @ 15 V - 5W (TA), 26W (TC)
PSMN016-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN016-100BS, 118 1.6800
RFQ
 ECAD 165 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB PSMN016 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 100 57A (TJ) 10 В 16mohm @ 15a, 10v 4 В @ 1MA 49 NC @ 10 V ± 20 В. 2404 PF @ 50 V - 148W (TC)
FDD5N50UTF_WS onsemi FDD5N50UTF_WS -
RFQ
 ECAD 3815 0,00000000 OnSemi FRFET® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 FDD5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 500 3a (TC) 10 В 2OM @ 1,5A, 10 В 5 w @ 250 мк 15 NC @ 10 V ± 30 v 650 pf @ 25 v - 40 yt (tc)
PSMN015-110P,127 NXP USA Inc. PSMN015-110P, 127 -
RFQ
 ECAD 5936 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Актифен PSMN0 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000
FQP14N30 onsemi FQP14N30 -
RFQ
 ECAD 2132 0,00000000 OnSemi QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FQP14 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 300 14.4a (TC) 10 В 290mohm @ 7.2a, 10 5 w @ 250 мк 40 NC @ 10 V ± 30 v 1360 pf @ 25 v - 147W (TC)
BSC050N0LSG Infineon Technologies BSC050N0LSG 1.0000
RFQ
 ECAD 8581 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 5000
AOTF12N60FD Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF12N60FD -
RFQ
 ECAD 2998 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- AOTF12 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 600 12a (TC) 10 В 650MOHM @ 6A, 10V 4 В @ 250 мк 50 NC @ 10 V ± 30 v 2010 PF @ 25 V - 50 yt (tc)
FCPF190N60 onsemi FCPF190N60 3.9400
RFQ
 ECAD 3696 0,00000000 OnSemi Superfet® II Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- FCPF190 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 20.2a (TC) 10 В 199mohm @ 10a, 10v 3,5 В @ 250 мк 74 NC @ 10 V ± 20 В. 2950 pf @ 25 v - 39 Вт (ТС)
AUIRF9540N International Rectifier Auirf9540n 1.0400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Автомобиль, AEC-Q101 МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 П-канал 100 23a (TC) 10 В 117mohm @ 11a, 10v 4 В @ 250 мк 97 NC @ 10 V ± 20 В. 1300 pf @ 25 v - 140 Вт (TC)
BSS123-TP Micro Commercial Co BSS123-TP 0,2400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 100 170 мая TJ) 4,5 В, 10. 6om @ 170ma, 10 В 2,8 В @ 250 мк 2 NC @ 10 V ± 20 В. 60 PF @ 25 V - 350 м
FQD20N06TM Fairchild Semiconductor FQD20N06TM -
RFQ
 ECAD 4146 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА 0000.00.0000 1 N-канал 60 16.8a (TC) 10 В 63mohm @ 8.4a, 10 В 4 В @ 250 мк 15 NC @ 10 V ± 25 В 590 PF @ 25 V - 2,5 yt (ta), 38 yt (tc)
IXTA90N075T2 IXYS IXTA90N075T2 3.4400
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Ixys Trencht2 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IXTA90 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-263AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -IXTA90N075T2 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 75 90A (TC) 10 В 10mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 250 мк 54 NC @ 10 V ± 20 В. 3290 PF @ 25 V - 180 Вт (ТС)
G65P06F Goford Semiconductor G65P06F 1.1500
RFQ
 ECAD 196 0,00000000 Goford Semiconductor - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 П-канал 60 65A (TC) 10 В 18mohm @ 20a, 10 В 3,5 В @ 250 мк 75 NC @ 10 V ± 20 В. 6477 PF @ 25 V - 39 Вт (ТС)
IRLR3110ZTRPBF International Rectifier IRLR3110ZTRPBF -
RFQ
 ECAD 3091 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА 0000.00.0000 1 N-канал 100 42a (TC) 4,5 В, 10. 14mohm @ 38a, 10v 2,5 -пр. 100 мк 48 NC @ 4,5 ± 16 В. 3980 PF @ 25 V - 140 Вт (TC)
NTMFS4982NFT3G onsemi NTMFS4982NFT3G -
RFQ
 ECAD 6077 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NTMFS4982 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 30 26.5a (TA), 207a (TC) 4,5 В, 10. 1,3 мома @ 25a, 10 2.2V @ 1MA 84 NC @ 10 V ± 20 В. 6000 pf @ 15 v - 1,5 yt (tat)
AON6522_002 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6522_002 -
RFQ
 ECAD 7549 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powersmd, ploskie otwedonnina AON652 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (5x6) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 25 В 71A (TA), 200A (TC) 4,5 В, 10. 0,95MOHM @ 20A, 10 В 2 В @ 250 мк 145 NC @ 10 V ± 20 В. 7036 PF @ 15 V - 7,3 yt (ta), 83 yt (tc)
AON6202 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6202 -
RFQ
 ECAD 9677 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powersmd, ploskie otwedonnina AON62 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (5x6) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 21a (ta), 24a (TC) 4,5 В, 10. 5,5mohm @ 20a, 10 В 2,3 В @ 250 мк 33 NC @ 10 V ± 20 В. 2200 pf @ 15 v - 4,2 yt (ta), 35 yt (tc)
IXFP36N20X3 IXYS IXFP36N20x3 4.6800
RFQ
 ECAD 387 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IXFP36 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 200 36a (TC) 10 В 45mohm @ 18a, 10 В 4,5 Е @ 500 мк 21 NC @ 10 V ± 20 В. 1425 PF @ 25 V - 176W (TC)
SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies SPD06N80C3ATMA1 2.2400
RFQ
 ECAD 7251 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SPD06N80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 800 В 6a (TA) 10 В 900mohm @ 3,8a, 10 В 3,9 В @ 250 мк 41 NC @ 10 V ± 20 В. 785 pf @ 100 v - 83W (TC)
IRF7413ZPBF International Rectifier IRF7413ZPBF -
RFQ
 ECAD 8243 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 30 13a (TA) 10mohm @ 13a, 10 В 2,25 -пр. 250 мк 14 NC @ 4,5 ± 20 В. 1210 PF @ 15 V - 2,5 yt (tat)
YJQ40G10A Yangjie Technology YJQ40G10A 0,2650
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Yangjie Technology - Lenta и катахка (tr) Актифен - ROHS COMPRINT DOSTISH 4617-YJQ40G10ATR Ear99 5000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть