SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш
RJK5033DPP-M0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK5033DPP-M0#T2 2.9300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- RJK5033 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220fl СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH -1161-RJK5033DPP-M0#T2 Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 500 6a (TA) 10 В 1,3 О МОМ @ 3А, 10 В - ± 30 v 600 pf @ 25 v - 27,4W (TC)
ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies ISS55EP06LMXTSA1 0,4000
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 ISS55EP06 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-SOT23-3-5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 60 180ma (TA) 4,5 В, 10. 5,5OM @ 180ma, 10 В 2 В @ 11 мк 0,59 NC @ 10 V ± 20 В. 18 pf @ 30 v - 400 мг (таблица)
IRF7707 Infineon Technologies IRF7707 -
RFQ
 ECAD 9685 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-tssop СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 100 П-канал 20 7A (TA) 2,5 В, 4,5 В. 22mohm @ 7a, 4,5 1,2- 250 мк 47 NC @ 4,5 ± 12 В. 2361 PF @ 15 V - 1,5 yt (tat)
STWA67N60DM6 STMicroelectronics STWA67N60DM6 6.6739
RFQ
 ECAD 5820 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 STWA67 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Долин. - Rohs3 DOSTISH 497-stwa67n60dm6 Ear99 8541.29.0095 600 N-канал 600 58a (TC) 10 В 54mohm @ 23,5a, 10 В 4,75 Е @ 250 мк 72,5 NC @ 10 V ± 25 В 3400 pf @ 100 v - 431W (TC)
FQD18N20V2TM onsemi FQD18N20V2TM 1,3000
RFQ
 ECAD 2815 0,00000000 OnSemi QFET® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 FQD18N20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 200 15a (TC) 10 В 140mohm @ 7,5a, 10 В 5 w @ 250 мк 26 NC @ 10 V ± 30 v 1080 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 83 yt (tc)
FDMC8030 onsemi FDMC8030 1.4400
RFQ
 ECAD 2554 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn FDMC80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 800 м 8-Power33 (3x3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 40 12A 10mohm @ 12a, 10 В 2,8 В @ 250 мк 30NC @ 10V 1975pf @ 20v Logiчeskichй yrowenhe
STP7N95K3 STMicroelectronics STP7N95K3 3.1400
RFQ
 ECAD 499 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP7N95 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-8792-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 950 7.2a (TC) 10 В 1,35OM @ 3,6A, 10 5 w @ 100 мк 34 NC @ 10 V ± 30 v 1031 pf @ 100 v - 150 Вт (TC)
IXTF1N450 IXYS Ixtf1n450 101.4600
RFQ
 ECAD 7133 0,00000000 Ixys - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru i4 -pac ™ -5 (3 проводника) Ixtf1 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ISOPLUS I4-PAC ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 4500 В. 900 май (TC) 10 В 85OM @ 50MA, 10 В 6,5 -50 мк 40 NC @ 10 V ± 20 В. 1730 PF @ 25 V - 160 Вт (TC)
TA9410E Tagore Technology TA9410E 70.0000
RFQ
 ECAD 105 0,00000000 Tagore Technology - Поднос Актифен 50 Пефер 8-vdfn oTkrыTAIN 20 мг ~ 3 ggц Ghanemet 8-qfn (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8542.33.0001 1 30A 25 Вт 17 ДБ -
GTRB226002FC-V1-R0 Wolfspeed, Inc. GTRB226002FC-V1-R0 154 4796
RFQ
 ECAD 3406 0,00000000 Wolfspeed, Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 48 Пефер H-37248C-4 GTRB226002 2,11 ggц ~ 2,2gц Хemt H-37248C-4 - 1697-GTRB226002FC-V1-R0TR 50 - - 450 Вт 15 дБ -
2SK3800VR Sanken 2SK3800vr -
RFQ
 ECAD 7717 0,00000000 САНКЕН - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-х Годо СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2SK3800VR DK Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 40 70A (TA) 10 В 6mohm @ 35a, 10v 4 В @ 1MA ± 20 В. 5100 pf @ 10 v - 80 Вт (TC)
IXFN30N110P IXYS Ixfn30n110p -
RFQ
 ECAD 4225 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polar Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc Ixfn30 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-227B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 N-канал 1100 25a (TC) 10 В 360mohm @ 15a, 10 В 6,5 h @ 1ma 235 NC @ 10 V ± 30 v 13600 pf @ 25 v - 695W (TC)
IXTA15P15T IXYS IXTA15P15T -
RFQ
 ECAD 5874 0,00000000 Ixys Renchp ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IXTA15 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-263AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 П-канал 150 15a (TC) 10 В 240MOM @ 7A, 10 В 4,5 -50 мк 48 NC @ 10 V ± 15 В. 3650 pf @ 25 v - 150 Вт (TC)
SIHF35N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHF35N60EF-GE3 3.3325
RFQ
 ECAD 4348 0,00000000 Виаликоеникс Эp МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- SIHF35 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220 Full Pack СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 600 32A (TC) 10 В 97mohm @ 17a, 10v 4 В @ 250 мк 134 NC @ 10 V ± 30 v 2568 pf @ 100 v - 39 Вт (ТС)
NTJD4158CT2G onsemi NTJD4158CT2G -
RFQ
 ECAD 3807 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 NTJD4158 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 270 м SC-88/SC70-6/SOT-363 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N и п-канал 30 В, 20 В. 250 май, 880 мая 1,5 ОМ @ 10ma, 4,5 1,5 -пр. 100 мк 1,5NC @ 5V 33PF @ 5V Logiчeskichй yrowenhe
BLC9H10XS-505AZ Ampleon USA Inc. BLC9H10XS-505AZ 94 8300
RFQ
 ECAD 43 0,00000000 Ampleon USA Inc. * Поднос Пркрэно Пефер SOT-1273-1 BLC9 SOT1273-1 - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 20
CSD17579Q3AT Texas Instruments CSD17579Q3AT 1.2200
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Тел Nexfet ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn CSD17579 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-VSONP (3x3.3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 250 N-канал 30 20А (тат) 4,5 В, 10. 10,2mohm @ 8a, 10 В 1,9 В @ 250 мк 15 NC @ 10 V ± 20 В. 998 PF @ 15 V - 3,2 yt (ta), 29w (TC)
FDP7042L Fairchild Semiconductor FDP7042L 0,6600
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Актифен -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 30 50a (TA) 4,5 В, 10. 7,5mohm @ 25a, 10 В 2 В @ 250 мая 51 NC @ 4,5 ± 12 В. 2418 PF @ 15 V - 83W (TA)
IRFP451 Harris Corporation IRFP451 3.6000
RFQ
 ECAD 538 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 450 14a (TC) 10 В 400mohm @ 7,9a, 10v 4 В @ 250 мк 130 NC @ 10 V ± 20 В. 2000 PF @ 25 V - 180 Вт (ТС)
IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB040N08NF2SATMA1 2.9800
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 Infineon Technologies Strongirfet ™ 2 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IPB040N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 448-IPB040N08NF2SATMA1DKR Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 50 107a (TC) 6 В, 10 В. 4mohm @ 80a, 10v 3,8 В @ 85 мк 81 NC @ 10 V ± 20 В. 3800 pf @ 40 v - 150 Вт (TC)
IRLU8729-701PBF International Rectifier IRLU8729-701PBF 0,3200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Pg-to-251-3-21 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 944 N-канал 30 58a (TC) 8,9mohm @ 25a, 10 В 2,35 В @ 25 мк 16 NC @ 4,5 ± 20 В. 1350 pf @ 15 v - 55W (TC)
NVMFS5113PLT1G onsemi NVMFS5113PLT1G 2.8700
RFQ
 ECAD 8906 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NVMFS5113 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 П-канал 60 10a (ta), 64a (TC) 4,5 В, 10. 14mohm @ 17a, 10 В 2,5 -50 мк 83 NC @ 10 V ± 20 В. 4400 pf @ 25 v - 3,8 Вт (ТА), 150 Вт (TC)
FDFMA2P853T onsemi FDFMA2P853T -
RFQ
 ECAD 4545 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 ", Ирина 3,90 мм), 7 Изо FDFMA2 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 7 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 3a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 120mohm @ 3a, 4,5 1,3 Е @ 250 мк 6 NC @ 4,5 ± 8 v 435 PF @ 10 V Диджотки (Иолировананн) 1,4 yt (tat)
PHD16N03LT,118 NXP USA Inc. PhD16N03LT, 118 -
RFQ
 ECAD 5240 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 PhD16 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 16a (TC) 4,5 В, 10. 67mohm @ 16a, 10v 2V @ 1MA 8,5 NC @ 10 V ± 15 В. 210 pf @ 30 v - 32,6 м (TC)
MCH6421-TL-E onsemi MCH6421-TL-E 0,6000
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 6-SMD, Плоскильлид MCH6421 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-MCPH СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 20 5.5a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 38mohm @ 2a, 4,5 1,3 h @ 1ma 5,1 NC @ 4,5 ± 12 В. 410 pf @ 10 v - 1,5 yt (tat)
ALD310708PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD310708PCL 8.6100
RFQ
 ECAD 3247 0,00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD®, Zero Threshold ™ Трубка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C. Чereз dыru 16-Dip (0,300 ", 7,62 ММ) ALD310708 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 500 м 16-pdip СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1014-1297 Ear99 8541.21.0095 50 4 p-каанал, oortwttvuющ-ypara 8в - - 780 м. При 1 мка - 2,5pf @ 5V -
DMN61D8LVT-13 Diodes Incorporated DMN61D8LVT-13 0,1512
RFQ
 ECAD 8503 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 DMN61 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 820 м TSOT-26 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 2 n-канал (Дзонано) 60 630 май 1,8OM @ 150 мА, 5 В 2V @ 1MA 0,74NC @ 5V 12.9pf @ 12V Logiчeskichй yrowenhe
SSM6N62TU,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N62TU, LXHF 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° С Пефер 6-SMD, Плоскильлид SSM6N62 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 500 мг (таблица) UF6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.21.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 20 800 май (таблица) 85mohm @ 800ma, 4,5 1V @ 1MA 2NC @ 4,5 177pf @ 10v Logiчeskichй зaTwor, privod 1,2 В
NTD4913NT4G onsemi NTD4913NT4G -
RFQ
 ECAD 7119 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NTD49 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 7.7A (TA), 32A (TC) 4,5 В, 10. 10,5mohm @ 30a, 10 В 2,2 pri 250 мк 13 NC @ 10 V ± 20 В. 1013 PF @ 15 V - 1,36 м (та), 24 Вт (TC)
IRF723 Harris Corporation IRF723 0,7800
RFQ
 ECAD 79 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 350 2.8a (TC) 10 В 2,5OM @ 1,8A, 10 В 4 В @ 250 мк 20 NC @ 10 V ± 20 В. 360 pf @ 25 v - 50 yt (tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть