SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
DMP3008SFG-13 Diodes Incorporated DMP3008SFG-13 0,2175
RFQ
 ECAD 8642 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn DMP3008 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH DMP3008SFG-13DI Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 30 8.6A (TA) 4,5 В, 10. 17mohm @ 10a, 10 В 2.1 h @ 250 мк 47 NC @ 10 V ± 20 В. 2230 pf @ 15 v - 900 м
IXKC23N60C5 IXYS IXKC23N60C5 11.5880
RFQ
 ECAD 7539 0,00000000 Ixys Coolmos ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru Isoplus220 ™ IXKC23 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Isoplus220 ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 23a (TC) 10 В 100mohm @ 18a, 10 В 3,9 В @ 1,2 мая 80 NC @ 10 V ± 20 В. 2800 pf @ 100 v - -
IPD30N06S2-15 Infineon Technologies IPD30N06S2-15 -
RFQ
 ECAD 7998 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Пркрэно -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IPD30N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3-11 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 55 30А (TC) 10 В 14,7mohm @ 30a, 10 В 4 w @ 80 мк 110 NC @ 10 V ± 20 В. 1485 PF @ 25 V - 136W (TC)
IPA028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA028N08N3GXKSA1 -
RFQ
 ECAD 7935 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- IPA028 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 80 89a (TC) 6 В, 10 В. 2,8mohm @ 89a, 10v 3,5 -пр. 270 мк 206 NC @ 10 V ± 20 В. 14200 pf @ 40 v - 42W (TC)
IXTA32P05T-TRL IXYS IXTA32P05T-TRL 1.7646
RFQ
 ECAD 6930 0,00000000 Ixys Renchp ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IXTA32 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 (D2PAK) - Rohs3 DOSTISH 238-IXTA32P05T-TRLTR Ear99 8541.29.0095 800 П-канал 50 32A (TC) 10 В 39mohm @ 16a, 10v 4,5 -50 мк 46 NC @ 10 V ± 15 В. 1975 PF @ 25 V - 83W (TC)
IPN70R900P7SATMA1 Infineon Technologies IPN70R900P7SATMA1 0,7800
RFQ
 ECAD 7992 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ P7 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA IPN70R900 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-SOT223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 700 6А (TC) 10 В 900mohm @ 1.1a, 10 В 3,5- 60 мк 6,8 NC @ 10 V ± 16 В. 211 pf @ 400 - 6,5 yt (tc)
AOT15S65L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT15S65L 2.8200
RFQ
 ECAD 230 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Amos ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 AOT15 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 650 15a (TC) 10 В 290mohm @ 7,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 17,2 NC @ 10 V ± 30 v 841 pf @ 100 v - 208W (TC)
SI7872DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7872DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2380 0,00000000 Виаликоеникс Little Foot® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 Dual SI7872 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,4 м PowerPak® SO-8 Dual СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 2 н-канала 30 6,4а 22mohm @ 7,5a, 10 В 3 В @ 250 мк 11NC @ 4,5 - Logiчeskichй yrowenhe
SQM100N04-2M7_GE3 Vishay Siliconix SQM100N04-2M7_GE3 1.7342
RFQ
 ECAD 3935 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SQM100 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 (D²PAK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 40 100a (TC) 10 В 2,7mohm @ 30a, 10 В 3,5 В @ 250 мк 145 NC @ 10 V ± 20 В. 7910 PF @ 25 V - 157 Вт (ТС)
PHM2230DLS/1X Nexperia USA Inc. PHM2230DLS/1X -
RFQ
 ECAD 4882 0,00000000 Nexperia USA Inc. - МАССА Управо - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1727-PHM2230DLS/1x Управо 1
MCH5815-TL-E Sanyo MCH5815-TL-E 0,1200
RFQ
 ECAD 129 0,00000000 САНО * МАССА Актифен MCH5815 - - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8542.39.0001 3000 -
IRFR120NTRRPBF International Rectifier IRFR120NTRRPBF -
RFQ
 ECAD 9869 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 145 N-канал 100 9.4a (TC) 10 В 210mohm @ 5.6a, 10 4 В @ 250 мк 25 NC @ 10 V ± 20 В. 330 pf @ 25 v - 48 Вт (TC)
PJA3404-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3404-AU_R1_000A1 0,4700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3404 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 5.6a (TA) 4,5 В, 10. 30mohm @ 5.6a, 10 В 2.1 h @ 250 мк 7,8 NC @ 10 V ± 20 В. 343 PF @ 15 V - 1,25 мкт (таблица)
BLF7G27LS-100,118 Ampleon USA Inc. BLF7G27LS-100,118 -
RFQ
 ECAD 4641 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 65 ШASCI SOT-502B BLF7 2,5 -е ~ 2,7 -е. LDMOS SOT502B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934064592118 Ear99 8541.29.0095 100 28А 900 млн 20 Вт 18 дБ - 28
NTD80N02G onsemi NTD80N02G -
RFQ
 ECAD 6740 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NTD80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 24 80a (TC) 4,5 В, 10. 5,8mohm @ 80a, 10 В 3 В @ 250 мк 42 NC @ 4,5 ± 20 В. 2600 pf @ 20 v - 75W (TC)
PJMF390N65EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF390N65EC_T0_00001 3.1600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Panjit International Inc. - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка PJMF390 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ito-220ab-f СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-PJMF390N65EC_T0_00001 Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 650 10a (TC) 10 В 390MOHM @ 5A, 10V 4 В @ 250 мк 19 NC @ 10 V ± 30 v 726 PF @ 400 - 29,5 yt (tc)
HUF75329S3 onsemi HUF75329S3 -
RFQ
 ECAD 1031 0,00000000 OnSemi Ultrafet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB HUF75 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 N-канал 55 49a (TC) 10 В 24mohm @ 49a, 10 В 4 В @ 250 мк 75 NC @ 20 V ± 20 В. 1060 pf @ 25 v - 128W (TC)
BUZ60BU Harris Corporation Buz60bu 9.8400
RFQ
 ECAD 200 0,00000000 ХArrISCORPORAHINE * МАССА Актифен BUZ60 - - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 0000.00.0000 1 -
SPU30P06P Infineon Technologies SPU30P06P -
RFQ
 ECAD 6749 0,00000000 Infineon Technologies SIPMOS® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА Spu30p МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO251-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 П-канал 60 30А (TC) 10 В 75mohm @ 21.5a, 10v 4 В @ 1,7 мая 48 NC @ 10 V ± 20 В. 1535 PF @ 25 V - 125W (TC)
IXFH10N100Q IXYS IXFH10N100Q -
RFQ
 ECAD 7476 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Q Class Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixfh10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-247AD (IXFH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 1000 10a (TC) 10 В 1,2 ом @ 5a, 10 4,5 Е @ 4MA 155 NC @ 10 V ± 20 В. 4000 pf @ 25 v - 300 м (TC)
ALD110808ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110808ASCL 8.9544
RFQ
 ECAD 6140 0,00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® Трубка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) Пефер 16 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) ALD110808 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 500 м 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1014-1025 Ear99 8541.21.0095 50 4 n-канала 10,6 В. 12 май, 3 мая 500OM @ 4,8в. 810 м. При 1 мка - 2,5pf @ 5V -
TSM4425CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4425CS RLG -
RFQ
 ECAD 4211 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH TSM4425CSRLG Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 30 11a (TC) 4,5 В, 10. 12mohm @ 11a, 10 В 3 В @ 250 мк 64 NC @ 10 V ± 20 В. 3680 pf @ 8 v - 2,5 yt (tat)
FQP8N60C onsemi FQP8N60C 2.3900
RFQ
 ECAD 930 0,00000000 OnSemi QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FQP8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 2166-FQP8N60C-488 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 7.5A (TC) 10 В 1,2 ОМ @ 3,75A, 10 В 4 В @ 250 мк 36 NC @ 10 V ± 30 v 1255 PF @ 25 V - 147W (TC)
MRF6S27085HR3 NXP USA Inc. MRF6S27085HR3 -
RFQ
 ECAD 2562 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 68 В ШASCI SOT-957A MRF6 2,66 г LDMOS Ni-780H-2L СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 250 - 900 млн 20 Вт 15,5db - 28
IXTX200N10L2 IXYS IXTX200N10L2 36.1500
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 Ixys Илинген L2 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ IXTX200 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Plus247 ™ -3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 100 200a (TC) 10 В 11mohm @ 100a, 10 В 4,5 Е @ 3MA 540 NC @ 10 V ± 20 В. 23000 pf @ 25 v - 1040 yt (tc)
NTD4804N-35G onsemi NTD4804N-35G -
RFQ
 ECAD 6783 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru До 251-3 лиды, Ипак NTD48 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 30 14.5a (TA), 124a (TC) 4,5 В, 11,5 В. 4mohm @ 30a, 10 В 2,5 -50 мк 40 NC @ 4,5 ± 20 В. 4490 pf @ 12 v - 1,43 yt (ta), 107w (tc)
APT10045LLLG Microchip Technology Apt10045lllg 26.5800
RFQ
 ECAD 4617 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 7® Трубка Актифен Чereз dыru 264-3, 264AA APT10045 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 264 [L] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 1000 23a (TC) 450mom @ 11.5a, 10 В 5 w @ 2,5 мая 154 NC @ 10 V 4350 pf @ 25 v -
RS1E170GNTB Rohm Semiconductor RS1E170GNTB 0,6300
RFQ
 ECAD 6593 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn Rs1e МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-HSOP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2500 N-канал 30 17a (ta), 40a (TC) 4,5 В, 10. 6,7mohm @ 17a, 10v 2,5 h @ 1ma 12 NC @ 10 V ± 20 В. 720 pf @ 15 v - 3W (TA), 23W (TC)
DMP22D4UFO-7B Diodes Incorporated DMP22D4UFO-7B 0,4400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-xfdfn DMP22 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) X2-DFN0604-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 П-канал 20 530 май (таблица) 1,5 В, 4,5 В. 1,9от @ 100ma, 4,5 1В @ 250 мк 0,4 NC @ 4,5 ± 8 v 28,7 PF @ 15 V - 820 мг (таблица)
STP11NM60FD STMicroelectronics STP11NM60FD 5,3000
RFQ
 ECAD 955 0,00000000 Stmicroelectronics Fdmesh ™ Трубка Актифен - Чereз dыru 220-3 STP11 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 11a (TC) 10 В 450Mom @ 5,5A, 10 В 5 w @ 250 мк 40 NC @ 10 V ± 30 v 900 pf @ 25 v - 160 Вт (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть