SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
IRFH5220TRPBF Infineon Technologies IRFH5220TRPBF -
RFQ
 ECAD 4753 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-vqfn otkrыtaiNav-o МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PQFN (5x6) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001570846 Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 200 3.8a (ta), 20a (tc) 10 В 99,9 МО 5 w @ 100 мк 30 NC @ 10 V ± 20 В. 1380 pf @ 50 v - 3,6 yt (ta), 8,3 yt (tc)
SIRA52ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRA52ADP-T1-RE3 1.4400
RFQ
 ECAD 380 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Gen IV Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 SIRA52 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 40 41.6a (TA), 131a (TC) 4,5 В, 10. 1,63mohm @ 15a, 10 В 2,4 В @ 250 мк 100 NC @ 10 V +20, -16V 5500 pf @ 20 v - 4,8 yt (ta), 48 yt (tc)
FDC636P onsemi FDC636P -
RFQ
 ECAD 7749 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 FDC636 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Supersot ™ -6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 2.8a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 130mohm @ 2,8a, 4,5 1В @ 250 мк 8,5 NC @ 4,5 ± 8 v 390 PF @ 10 V - 1,6 yt (tat)
BUK9Y21-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y21-40E, 115 0,7000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 BUK9Y21 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 40 33a (TC) 5в 17mohm @ 10a, 10 В 2.1V @ 1MA 7 NC @ 5 V ± 10 В. 824 PF @ 25 V - 45 Вт (TC)
RSJ10HN06TL Rohm Semiconductor RSJ10HN06TL -
RFQ
 ECAD 3100 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB RSJ10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LPTS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 60 100a (TA) 4 В, 10 В. 4,2mohm @ 50a, 10 В 2,5 h @ 1ma 202 NC @ 10 V ± 20 В. 11000 pf @ 10 v - 100 yt (tc)
MSCSM120AM042T6LIAG Microchip Technology MSCSM120AM042T6LIAG 771.2600
RFQ
 ECAD 9051 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул MSCSM120 Карбид Кремния (sic) 2 031 Кст (TC) - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-MSCSM120AM042T6LIAG Ear99 8541.29.0095 1 2 n kanal 1200 В (1,2 К.) 495A (TC) 5,2 мома @ 240a, 20 2,8 В @ 18ma 1392NC @ 20V 18100pf @ 1000v -
SISS5808DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS5808DN-T1-GE3 1.6600
RFQ
 ECAD 9195 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 1212-8s SISS5808 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® 1212-8s СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 80 18.3a (TA), 66.6a (TC) 7,5 В, 10. 119mohm @ 3,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 24 NC @ 10 V ± 20 В. 1210 pf @ 40 v - 5 Вт (TA), 65,7 st (TC)
MRFX600HSR5 NXP Semiconductors MRFX600HSR5 138,9000
RFQ
 ECAD 9931 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Актифен 179 Пефер Ni-780S-4L 1,8 мг ~ 400 мг LDMOS (DVOйNOй) Ni-780S-4L - 2156-MRFX600HSR5 2 2 n-канал 10 мк 100 май 600 Вт 26.4db @ 230MHz - 65
SFP9634 onsemi SFP9634 -
RFQ
 ECAD 9929 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 SFP963 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 П-канал 250 5А (TC) 10 В 1,3om @ 2,5A, 10 В 4 В @ 250 мк 37 NC @ 10 V ± 30 v 975 PF @ 25 V - 70 Вт (TC)
PTVA102001EA-V1-R2 Wolfspeed, Inc. PTVA102001EA-V1-R2 156.9692
RFQ
 ECAD 8897 0,00000000 Wolfspeed, Inc. * Lenta и катахка (tr) Актифен PTVA102001 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 250
FDP18N50 onsemi FDP18N50 2.8400
RFQ
 ECAD 3918 0,00000000 OnSemi Unifet ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FDP18 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 500 18а (TC) 10 В 265mohm @ 9a, 10v 5 w @ 250 мк 60 NC @ 10 V ± 30 v 2860 PF @ 25 V - 235W (TC)
PJQ4465AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4465AP-AU_R2_000A1 0,8900
RFQ
 ECAD 5895 0,00000000 Panjit International Inc. Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn PJQ4465 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN3333-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 П-канал 60 5a (ta), 15a (TC) 4,5 В, 10. 48mohm @ 5a, 10v 2,5 -50 мк 22 NC @ 10 V ± 20 В. 1256 PF @ 30 V - 2w (ta), 20 yt (tc)
BSP315 Siemens BSP315 -
RFQ
 ECAD 3307 0,00000000 SIMENS - МАССА Управо 150 ° С Пефер 261-4, 261AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 1 П-канал 50 1A - - - - - 1,8
IPAN60R650CEXKSA1 Infineon Technologies IPAN60R650CEXKSA1 1.3500
RFQ
 ECAD 3332 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Трубка Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- IPan60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-FP СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 600 9.9a (TC) 10 В 650mom @ 2,4a, 10 В 3,5 @ 200 мк 20,5 NC @ 10 V ± 20 В. 440 pf @ 100 v - 28W (TC)
FDPF20N50 onsemi FDPF20N50 2.9100
RFQ
 ECAD 925 0,00000000 OnSemi Unifet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- FDPF20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 500 20А (TC) 10 В 230mom @ 10a, 10 В 5 w @ 250 мк 59,5 NC @ 10 V ± 30 v 3120 PF @ 25 V - 38,5 м (TC)
JANTX2N6784 Microsemi Corporation Jantx2n6784 -
RFQ
 ECAD 6203 0,00000000 Microsemi Corporation ВОЗДЕЛА, MIL-PRF-19500/556 МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-205AF METAL CAN МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Не 39 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 200 2.25a (TC) 10 В 1,6 ОМ @ 2,25A, 10 В 4 В @ 250 мк 8,6 NC @ 10 V ± 20 В. - 800 мт (TA), 15 st (TC)
FQI17N08LTU Fairchild Semiconductor FQI17N08LTU 0,3700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak (262) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 80 16.5a (TC) 5 В, 10 В. 100mohm @ 8.25a, ​​10 В 2 В @ 250 мк 11,5 NC @ 5 V ± 20 В. 520 PF @ 25 V - 3,75 yt (ta), 65 yt (tc)
RJU003N03T106 Rohm Semiconductor RJU003N03T106 0,4700
RFQ
 ECAD 176 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 RJU003 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) UMT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 30 300 май (таблица) 2,5 В, 4,5 В. 1,1 в 300 май, 4,5 1,5 h @ 1ma ± 12 В. 24 pf @ 10 v - 200 мт (таблица)
RJK5013DPP-E0#T2 Renesas RJK5013DPP-E0#T2 4.9400
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 RerneзAs - МАССА Управо 150 ° С Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220FP - Rohs DOSTISH 2156-RJK5013DPP-E0#T2 Ear99 8541.29.0095 61 N-канал 500 14a (TA) 10 В 465MOHM @ 7A, 10V 4,5 Е @ 1MA 38 NC @ 10 V ± 30 v 1450 PF @ 25 V - 30 yt (tc)
IRFH3707TR2PBF Infineon Technologies IRFH3707TR2PBF -
RFQ
 ECAD 1400 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-PQFN (3x3) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 N-канал 30 12A (TA), 29A (TC) 4,5 В, 10. 12.4mohm @ 12a, 10v 2,35 В @ 25 мк 8.1 NC @ 4,5 ± 20 В. 755 PF @ 15 V - 2,8 Вт (ТАК)
STD100N10LF7AG STMicroelectronics STD100N10LF7AG -
RFQ
 ECAD 8678 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ F7 Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Std10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK (DO 252) - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 100 80a (TC) 4,5 В, 10. 9mohm @ 40a, 10 В 2,5 -50 мк 73 NC @ 10 V ± 20 В. 4000 pf @ 25 v - 125W (TC)
IXFH4N100Q IXYS Ixfh4n100q -
RFQ
 ECAD 3313 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Q Class Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixfh4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-247AD (IXFH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 1000 4a (TC) 10 В 3OM @ 2A, 10 В 5 w @ 1,5 мая 39 NC @ 10 V ± 20 В. 1050 PF @ 25 V - 150 Вт (TC)
IXFK52N60Q2 IXYS IXFK52N60Q2 -
RFQ
 ECAD 5358 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Q2 Class Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA Ixfk52 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-264AA (IXFK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 600 52a (TC) 10 В 115mohm @ 500ma, 10 В 4,5 Е @ 8ma 198 NC @ 10 V ± 30 v 6800 pf @ 25 v - 735W (TC)
DMN10H170SFG-7 Diodes Incorporated DMN10H170SFG-7 0,5800
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn DMN10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2000 N-канал 100 2.9A (TA), 8,5A (TC) 4,5 В, 10. 122mohm @ 3,3a, 10 В 3 В @ 250 мк 14,9 NC @ 10 V ± 20 В. 870,7 PF @ 25 V - 940 м
FCA47N60F_SN00171 onsemi FCA47N60F_SN00171 -
RFQ
 ECAD 2517 0,00000000 OnSemi Superfet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 FCA47 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 вечера - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 600 47a (TC) 10 В 73mohm @ 23.5a, 10v 5 w @ 250 мк 270 NC @ 10 V ± 30 v 8000 pf @ 25 v - 417 Вт
SIA417DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA417DJ-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 9100 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SC-70-6 SIA417 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SC-70-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 8в 12a (TC) 1,2 В, 4,5 В. 23mohm @ 7a, 4,5 1В @ 250 мк 32 NC @ 5 V ± 5 В. 1600 pf @ 4 v - 3,5 yt (ta), 19 st (tc)
SH8M70TB1 Rohm Semiconductor SH8M70TB1 -
RFQ
 ECAD 6862 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SH8M70 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N и п-канал 250 3а, 2,5а 1.63OM @ 1,5A, 10 В 4 В @ 1MA 5.2NC @ 10V 180pf @ 25v -
FDA16N50 onsemi FDA16N50 -
RFQ
 ECAD 7564 0,00000000 OnSemi Unifet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 FDA16 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 вечера СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 500 16.5a (TC) 10 В 380mom @ 8.3a, 10 В 5 w @ 250 мк 45 NC @ 10 V ± 30 v 1945 PF @ 25 V - 205W (TC)
FDMA0104 onsemi FDMA0104 -
RFQ
 ECAD 2899 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o FDMA01 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-микрофон (2x2) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 20 9.4a (TA) 14,5mohm @ 9.4a, 4,5 1В @ 250 мк 17,5 NC @ 4,5 1680 PF @ 10 V - 1,9 yt (tat)
CPH6340-TL-E Sanyo CPH6340-TL-E -
RFQ
 ECAD 8911 0,00000000 САНО * МАССА Актифен CPH6340 - - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть