SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - oцenca Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
IPB60R145CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R145CFD7ATMA1 4.2100
RFQ
 ECAD 7472 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ CFD7 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IPB60R145 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-3-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 600 16a (TC) 10 В 145mohm @ 6,8a, 10 В 4,5 В @ 340 мк 31 NC @ 10 V ± 20 В. 1330 PF @ 400 - 83W (TC)
IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon Technologies IPD90N04S4L04ATMA1 1,6000
RFQ
 ECAD 4510 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IPD90 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3-313 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 90A (TC) 4,5 В, 10. 3,8MOM @ 90A, 10V 2.2V @ 35 мк 60 NC @ 10 V +20, -16V 4690 PF @ 25 V - 71 Вт (TC)
PD84010-E STMicroelectronics PD84010-E -
RFQ
 ECAD 9238 0,00000000 Stmicroelectronics - Трубка Управо 40 Powerso-10rf obnaжennannannannannannannannannannannannannannannemyghaneploщaudca (2 cformirowannnnыхprovoDA) PD84010 870 мг LDMOS Powerso-10rf (Сфорировананн С.С. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 8. 300 май 2W 16.3db - 7,5 В.
MRF5S19060MBR1 NXP USA Inc. MRF5S19060MBR1 -
RFQ
 ECAD 4918 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 65 ШASCI До-272BB MRF5 1,93 ~ 1,99 -е LDMOS 272 WB-4 СКАХАТА Rohs 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 500 - 750 май 12 14 дБ - 28
IRF40H210 International Rectifier IRF40H210 -
RFQ
 ECAD 9970 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet®, songrairfet ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-PQFN (5x6) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 40 100a (TC) 6 В, 10 В. 1,7mohm @ 100a, 10 В 3,7 В @ 150 мк 152 NC @ 10 V ± 20 В. 5406 PF @ 25 V - 125W (TC)
STP46N60M6 STMicroelectronics STP46N60M6 6.6600
RFQ
 ECAD 29 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ M6 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP46 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 36a (TC) 10 В 80mohm @ 18a, 10 В 4,75 Е @ 250 мк 53,5 NC @ 10 V ± 25 В 2340 pf @ 100 v - 250 yt (TC)
PMPB12R5UPEX Nexperia USA Inc. PMPB12R5UPEX 0,4600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka PMPB12 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN2020M-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 9.4a (TA) 1,5 В, 4,5 В. 14.4mohm @ 9.4a, 4,5 900 мВ @ 250 мк 38 NC @ 4,5 ± 10 В. 2000 PF @ 10 V - 1,9 м (та), 12,5 yt (tc)
DMN61D9UDW-7 Diodes Incorporated DMN61D9UDW-7 0,3800
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DMN61 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 320 м SOT-363 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 60 350 май 2om @ 50ma, 5 В 1В @ 250 мк 0,4nc пр. 4,5 28,5pf @ 30В -
UPA2746UT1A-E2-AY Renesas Electronics America Inc Upa2746ut1a-e2-ay 18500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000
AO4828 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4828 0,2311
RFQ
 ECAD 9849 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) AO482 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 60 - 56mohm @ 4,5a, 10 В 3 В @ 250 мк 10,5NC @ 10V 540pf @ 30v Logiчeskichй yrowenhe
STD52P3LLH6 STMicroelectronics Std52p3llh6 1.6400
RFQ
 ECAD 6433 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ H6 Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Std52 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 30 52a (TC) 4,5 В, 10. 12mohm @ 26a, 10v 2,5 -50 мк 33 NC @ 4,5 ± 20 В. 3350 pf @ 25 v - 70 Вт (TC)
IRFZ48S Vishay Siliconix Irfz48s -
RFQ
 ECAD 5163 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Irfz48 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *Irfz48s Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 60 50a (TC) 10 В 18mohm @ 43a, 10v 4 В @ 250 мк 110 NC @ 10 V ± 20 В. 2400 pf @ 25 v - 3,7 Вт (ТА), 190 Вт (TC)
NP90N04VLK-E1-AY Renesas Electronics America Inc Np90n04vlk-e1-ay 0,8260
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° С Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NP90N04 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 (MP-3ZP) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 559-NP90N04VLK-E1-LAYTR Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 90A (TC) 4,5 В, 10. 2,8mohm @ 45a, 10v 2,5 -50 мк 102 NC @ 10 V ± 20 В. 5700 pf @ 25 v - 1,2 yt (ta), 147w (TC)
IXFP7N60P3 IXYS Ixfp7n60p3 -
RFQ
 ECAD 6869 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IXFP7N60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 7A (TC) 10 В 1.15OM @ 500 май, 10 В 5V @ 1MA 13,3 NC @ 10 V ± 30 v 705 PF @ 25 V - 180 Вт (ТС)
DMP2008UFG-13 Diodes Incorporated DMP2008UFG-13 0,6100
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn DMP2008 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 14a (ta), 54a (TC) 1,5 В, 4,5 В. 8mohm @ 12a, 4,5 1В @ 250 мк 72 NC @ 4,5 ± 8 v 6909 PF @ 10 V - 2,4 Вт (TA), 41 st (TC)
NTTFS5C478NLTAG onsemi NTTFS5C478NLTAG 1.5600
RFQ
 ECAD 7904 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен - - - NTTFS5 - - - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 - - - - - - - -
SI5443DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5443DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5288 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-SMD, Плоскин С.С. SI5443 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1206-8 Chipfet ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 3.6a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 65mohm @ 3,6a, 4,5 600 мв 250 мка (мин) 14 NC @ 4,5 ± 12 В. - 1,3 yt (tat)
IPD50N03S4L06ATMA1 Infineon Technologies IPD50N03S4L06ATMA1 0,5518
RFQ
 ECAD 8228 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IPD50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3-11 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 50a (TC) 4,5 В, 10. 5,5mohm @ 50a, 10 В 2.2 w @ 20 мк 31 NC @ 10 V ± 16 В. 2330 pf @ 25 v - 56 Вт (TC)
DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated DMTH6004SPS-13 0,7938
RFQ
 ECAD 6336 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn DMTH6004 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerDI5060-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 25a (ta), 100a (TC) 10 В 3,1mohm @ 50a, 10 В 4 В @ 250 мк 95,4 NC @ 10 V ± 20 В. 4556 PF @ 30 V - 2.1W (TA), 167W (TC)
APT60M75JVR Microchip Technology APT60M75JVR 82.3510
RFQ
 ECAD 3362 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS V® Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc APT60M75 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Isotop® СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 600 62a (TC) 10 В 75mohm @ 500ma, 10 В 4V @ 5MA 1050 NC @ 10 V ± 30 v 19800 PF @ 25 V - 700 м (ТС)
AOT2904 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2904 -
RFQ
 ECAD 9946 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 AOT290 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 100 120A (TC) 6 В, 10 В. 4,4MOM @ 20a, 10 В 3,3 В @ 250 мк 135 NC @ 10 V ± 20 В. 7085 PF @ 50 V - 326W (TC)
MSCSM170AM029T6LIAG Microchip Technology MSCSM170AM029T6LIAG -
RFQ
 ECAD 1769 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Коробка Актифен СКАХАТА 150-MSCSM170AM029T6LIAG 1
AO3493 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3493 -
RFQ
 ECAD 1515 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-SMD, SOT-23-3 AO34 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 785-AO3493TR Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 3a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 80mohm @ 3a, 4,5 1В @ 250 мк 20 NC @ 4,5 ± 8 v 500 pf @ 10 v - 1,4 yt (tat)
FCP21N60N onsemi FCP21N60N -
RFQ
 ECAD 9054 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо - Чereз dыru 220-3 FCP21 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 - - - - -
CSD87334Q3DT Texas Instruments CSD87334Q3DT 1.6600
RFQ
 ECAD 7151 0,00000000 Тел Nexfet ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn CSD87334Q3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6 Вт 8-VSON (3,3x3,3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 250 2 n-kanalnый (dvoйnoй) 30 - 6mohm @ 12a, 8v 1,2- 250 мк 8.3nc @ 4,5 1260pf @ 15v -
IPB25N06S3L-22 Infineon Technologies IPB25N06S3L-22 -
RFQ
 ECAD 5746 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IPB25 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-3-2 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 55 25a (TC) 5 В, 10 В. 21,3mohm @ 17a, 10v 2.2 w @ 20 мк 47 NC @ 10 V ± 16 В. 2260 PF @ 25 V - 50 yt (tc)
IPDQ65R017CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R017CFD7XTMA1 21.6400
RFQ
 ECAD 5709 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 22-Powerbsop Module IPDQ65 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-HDSOP-22-1 - Rohs3 Ear99 8541.29.0095 750 N-канал 650 136a (TC) 10 В 17mohm @ 61.6a, 10v 4,5 -пр. 3,08 Ма 236 NC @ 10 V ± 20 В. 12338 PF @ 400 - 694W (TC)
TK5A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK5A60W5, S5VX 1.5900
RFQ
 ECAD 7625 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Dtmosiv Трубка Актифен 150 ° С Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220SIS - Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 4.5a (TA) 10 В 950mohm @ 2,3a, 10 В 4,5 Е @ 230 мк 11,5 NC @ 10 V ± 30 v 370 pf @ 300 - 30 yt (tc)
FQD6N40TM Fairchild Semiconductor FQD6N40TM 1.0000
RFQ
 ECAD 4740 0,00000000 Fairchild Semiconductor QFET® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252, (D-PAK) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 400 4.2a (TC) 10 В 115OM @ 2,1a, 10 В 5 w @ 250 мк 17 NC @ 10 V ± 30 v 620 PF @ 25 V - 2,5 yt (ta), 50 st (tc)
IXFT60N25Q IXYS Ixft60n25q -
RFQ
 ECAD 1624 0,00000000 Ixys Hiperfet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA IXFT60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-268AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 250 60a (TC) 10 В 47mohm @ 500ma, 10 В 4V @ 4MA 180 NC @ 10 V ± 20 В. 5100 pf @ 25 v - 360 Вт (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть