SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
BLF7G24L-140,118 Ampleon USA Inc. BLF7G24L-140,118 -
RFQ
 ECAD 4174 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 65 ШASCI SOT-502A BLF7G24 2,3 Гер LDMOS SOT502A СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934064993118 Ear99 8541.29.0075 100 28А 1,3 а 30 st 18,5db - 28
UF28150J MACOM Technology Solutions UF28150J 484.8750
RFQ
 ECAD 2218 0,00000000 Macom Technology Solutions - Поднос Актифен 65 - UF28150 100 мг ~ 500 мгц МОСС - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 1465-1210 Ear99 8541.29.0075 10 2 n-канал (Дзонано) 16A 400 май 150 Вт 8 дБ - 28
DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated DMN2019UT-13 0,4000
RFQ
 ECAD 35 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) DMN2019 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 780 м 8-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2500 2 n-kanalnый (dvoйnoй) obhщiй kanolyзaцip 20 5.4a 18,5mohm @ 7a, 10 В 950 мВ @ 250 мк 8,8NC @ 4,5 143pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
DMP2021UTSQ-13 Diodes Incorporated DMP2021UTSQ-13 0,3616
RFQ
 ECAD 7771 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DMP2021 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 20 7.4a (ta), 18a (TC) 1,8 В, 4,5 В. 16mohm @ 4,5a, 4,5 1В @ 250 мк 59 NC @ 8 V ± 10 В. 2760 pf @ 15 v - 1,3 yt (tat)
DMP2075UFDB-13 Diodes Incorporated DMP2075UFDB-13 0,1114
RFQ
 ECAD 6550 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka DMP2075 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 700 мт (таблица) U-dfn2020-6 (typ b) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 20 3.8a (TA) 75mohm @ 2,9a, 4,5 1,4 В @ 250 мк 8,8NC @ 4,5 642pf @ 10 a. -
NDS7002A onsemi NDS7002A 0,3500
RFQ
 ECAD 1980 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 NDS7002 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 280 мА (таблица) 5 В, 10 В. 2OM @ 500 мА, 10 В 2,5 -50 мк ± 20 В. 50 PF @ 25 V - 300 мт (таблица)
IRF9Z34STRL Vishay Siliconix IRF9Z34Strl -
RFQ
 ECAD 5321 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRF9 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 П-канал 60 18а (TC) 10 В 140mohm @ 11a, 10v 4 В @ 250 мк 34 NC @ 10 V ± 20 В. 1100 pf @ 25 v - 3,7 yt (ta), 88 yt (tc)
IRL7833LPBF Infineon Technologies IRL7833LPBF -
RFQ
 ECAD 4311 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 262 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 30 150a (TC) 4,5 В, 10. 3,8mohm @ 38a, 10v 2,3 В @ 250 мк 47 NC @ 4,5 ± 20 В. 4170 PF @ 15 V - 140 Вт (TC)
ZXMN2A14FTA Diodes Incorporated Zxmn2a14fta 0,5800
RFQ
 ECAD 23 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN2 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 20 3.4a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 60mohm @ 3,4a, 4,5 700 мв 250 мка (мин) 6,6 NC @ 4,5 ± 12 В. 544 PF @ 10 V - 1 yt (tta)
NTMFS5C410NT1G onsemi NTMFS5C410NT1G 6.0700
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NTMFS5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 40 46A (TA), 300A (TC) 10 В 0,92mohm @ 50a, 10 3,5 В @ 250 мк 86 NC @ 10 V ± 20 В. 6100 pf @ 25 v - 3,9 yt (ta), 166w (tc)
BUK7K6R8-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK7K6R8-40E, 115 1.7300
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOT-1205, 8-LFPAK56 Buk7k6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 64W LFPAK56D СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 2 n-канал (Дзонано) 40 40a 6,8mohm @ 20a, 10v 4 В @ 1MA 28.9nc @ 10V 1947pf @ 25V -
IPZ65R019C7XKSA1 Infineon Technologies IPZ65R019C7XKSA1 26.9500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ C7 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-4 IPZ65R019 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO247-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 650 75A (TC) 10 В 19mohm @ 58.3a, 10v 4 w @ 2,92 мая 215 NC @ 10 V ± 20 В. 9900 pf @ 400 - 446W (TC)
SIHW73N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHW73N60E-GE3 6.6456
RFQ
 ECAD 1202 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 SIHW73 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 480 N-канал 600 73a (TC) 10 В 39mohm @ 36a, 10v 4 В @ 250 мк 362 NC @ 10 V ± 20 В. 7700 pf @ 100 v - 520W (TC)
DMN3060LVT-13 Diodes Incorporated DMN3060LVT-13 0,1185
RFQ
 ECAD 2921 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 DMN3060 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 830 м TSOT-23-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH DMN3060LVT-13DI Ear99 8541.21.0095 10000 2 n-канал (Дзонано) 30 3.6a (TA) 60mohm @ 3,1a, 10 В 1,8 В @ 250 мк 11.3nc @ 10V 395pf @ 15v -
FDJ1028N onsemi FDJ1028N -
RFQ
 ECAD 9473 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-75-6 FLMP FDJ1028 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,5 SC75-6 FLMP СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 20 3.2a 90mohm @ 3,2а, 4,5 1,5 В @ 250 мк 3NC @ 4,5 200pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
SI7110DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7110DN-T1-E3 18500
RFQ
 ECAD 8508 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 1212-8 SI7110 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® 1212-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 20 13.5a (TA) 4,5 В, 10. 5,3 мома @ 21.1a, 10v 2,5 -50 мк 21 NC @ 4,5 ± 20 В. - 1,5 yt (tat)
IAUZ40N10S5L120ATMA1 Infineon Technologies IAUZ40N10S5L120ATMA1 0,6886
RFQ
 ECAD 6955 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TSDSON-8-33 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 100 46A (TJ) 4,5 В, 10. 12mohm @ 20a, 10v 2,2- 27 мк 22,6 NC @ 10 V ± 20 В. 1589 PF @ 50 V - 62W (TC)
IRF7468PBF Infineon Technologies IRF7468PBF -
RFQ
 ECAD 9898 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001559918 Ear99 8541.29.0095 95 N-канал 40 9.4a (TA) 4,5 В, 10. 15,5mohm @ 9,4a, 10 В 2 В @ 250 мк 34 NC @ 4,5 ± 12 В. 2460 pf @ 20 v - 2,5 yt (tat)
MMRF1008HSR5 NXP USA Inc. MMRF1008HSR5 -
RFQ
 ECAD 7453 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 100 ШASCI Ni-780S MMRF1 1,03 -ggц LDMOS Ni-780S - Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 935311734178 Ear99 8541.29.0075 50 - 100 май 275 Вт 20.3db - 50
AON6260L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6260L -
RFQ
 ECAD 4390 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо - - - AON62 - - - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 - - - - - - - -
SPP47N10 Infineon Technologies SPP47N10 -
RFQ
 ECAD 7807 0,00000000 Infineon Technologies SIPMOS® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 SPP47N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-1 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP000012415 Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 100 47a (TC) 10 В 33MOHM @ 33A, 10V 4 В @ 2MA 105 NC @ 10 V ± 20 В. 2500 PF @ 25 V - 175W (TC)
HUFA76629D3ST onsemi HUFA76629D3ST -
RFQ
 ECAD 6444 0,00000000 OnSemi Ultrafet ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 HUFA76 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 100 20А (TC) 4,5 В, 10. 52mohm @ 20a, 10 В 3 В @ 250 мк 46 NC @ 10 V ± 16 В. 1285 PF @ 25 V - 110 yt (tc)
IRFP450LC Vishay Siliconix IRFP450LC -
RFQ
 ECAD 3800 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IRFP450 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-247AC СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRFP450LC Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 500 14a (TC) 10 В 400mohm @ 8.4a, 10 В 4 В @ 250 мк 74 NC @ 10 V ± 30 v 2200 pf @ 25 v - 190 Вт (ТС)
IRF734PBF Vishay Siliconix IRF734PBF -
RFQ
 ECAD 7243 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRF734 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRF734PBF Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 450 4.9a (TC) 10 В 1,2 ОМ @ 2,9A, 10 В 4 В @ 250 мк 45 NC @ 10 V ± 20 В. 680 PF @ 25 V - 74W (TC)
IRFL024NTRPBF Infineon Technologies IRFL024NTRPBF 0,8100
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA IRFL024 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 55 2.8a (TA) 10 В 75mohm @ 2,8a, 10 В 4 В @ 250 мк 18,3 NC @ 10 V ± 20 В. 400 pf @ 25 v - 1 yt (tta)
IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies IRLHS6242TRPBF 0,6300
RFQ
 ECAD 149 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-powervdfn IRLHS6242 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-pqfn (2x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 20 10a (ta), 12a (TC) 2,5 В, 4,5 В. 11,7mohm @ 8,5a, 4,5 1,1 - 10 мк 14 NC @ 4,5 ± 12 В. 1110 pf @ 10 v - 1,98 yt (ta), 9,6 yt (tc)
RJK0225DNS-00#J5 Renesas RJK0225DNS-00#J5 -
RFQ
 ECAD 9419 0,00000000 RerneзAs - МАССА Управо 150 ° С Пефер 8-powervdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-hvson (3x3,3) - 2156-RJK0225DNS-00#J5 1 N-канал 25 В 30А (ТА) 4,5 В, 10. 7,2 мома @ 15a, 10 В 2,5 h @ 1ma 8,5 NC @ 4,5 +16 В, -12 В. 2310 pf @ 10 v - 30
NVMFS6B03NLWFT1G onsemi Nvmfs6b03nlwft1g -
RFQ
 ECAD 5651 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NVMFS6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 100 145a (TC) 4,5 В, 10. 4mohm @ 20a, 10 В 3 В @ 250 мк 9,4 NC @ 10 V ± 16 В. 5320 PF @ 25 V - 3,9 yt (ta), 198w (TC)
AUIRFS3307Z International Rectifier AUIRFS3307Z -
RFQ
 ECAD 4605 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 75 120A (TC) 10 В 5,8 мома @ 75a, 10 В 4 w @ 150 мк 110 NC @ 10 V ± 20 В. 4750 pf @ 50 v - 230W (TC)
FCPF067N65S3 onsemi FCPF067N65S3 6.9300
RFQ
 ECAD 52 0,00000000 OnSemi Superfet® III Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- FCPF067 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 44a (TC) 10 В 67mohm @ 22a, 10 В 4,5- прри 4,4 мая 78 NC @ 10 V ± 30 v 3090 pf @ 400 - 46W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть