SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Raboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
IRFI9520N Vishay Siliconix IRFI9520N -
RFQ
 ECAD 2239 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка IRFI9520 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) *Irfi9520n Ear99 8541.29.0095 50 П-канал 100 5.5a (TC) 10 В 480MOHM @ 4A, 10V 4 В @ 250 мк 27 NC @ 10 V ± 20 В. 350 pf @ 25 v - 30 yt (tc)
BUK7108-40AIE,118 Nexperia USA Inc. BUK7108-40AIE, 118 -
RFQ
 ECAD 4262 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-5, D²PAK (4 головы + вкладка), до 263BB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 40 75A (TC) 10 В 8mohm @ 50a, 10 В 4 В @ 1MA 84 NC @ 10 V ± 20 В. 3140 PF @ 25 V О том, как 221 Вт (ТС)
SI7390DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7390DP-T1-GE3 1.2191
RFQ
 ECAD 2476 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 SI7390 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 9А (тат) 4,5 В, 10. 9,5mohm @ 15a, 10 В 3 В @ 250 мк 15 NC @ 4,5 ± 20 В. - 1,8 yt (tat)
IRF7752TR Infineon Technologies IRF7752TR -
RFQ
 ECAD 5128 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) IRF775 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1 Вт 8-tssop СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 2 n-канал (Дзонано) 30 4.6a 30mohm @ 4,6a, 10 В 2 В @ 250 мк 9NC @ 4,5 861PF @ 25V Logiчeskichй yrowenhe
R5207ANDTL Rohm Semiconductor R5207Andtl 1.0419
RFQ
 ECAD 5617 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) В аспекте 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 R5207 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) CPT3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 525 7A (TA) 10 В 1OM @ 3,5A, 10 В 4,5 Е @ 1MA 13 NC @ 10 V ± 30 v 500 pf @ 25 v - 40 yt (tc)
MFT2N2A2S323 Meritek MFT2N2A2S323 -
RFQ
 ECAD 5807 0,00000000 Meritek - Lenta и катахка (tr) Актифен МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) - ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) 2997-MFT2N2A2S323TR Ear99 8532.25.0020 10 N-канал 20 6.5a (TA) 4,7 NC @ 10 V 470 pf @ 10 v
MRF6S21100NR1 Freescale Semiconductor MRF6S21100NR1 57.3200
RFQ
 ECAD 336 0,00000000 Freescale Semiconductor - МАССА Актифен 68 В Пефер ДО-270AB 2,11 ~ 2,17 гг. LDMOS 270 WB-4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 0000.00.0000 1 10 мк 1,05 а 23 wt 14.5db - 28
AOK20S60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK20S60L 2.8477
RFQ
 ECAD 4223 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Amos ™ Трубка Прохл -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 AOK20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 240 N-канал 600 20А (TC) 10 В 199mohm @ 10a, 10v 4,1 В @ 250 мк 19,8 NC @ 10 V ± 30 v 1038 pf @ 100 v - 266W (TC)
STE60N105DK5 STMicroelectronics Ste60n105dk5 -
RFQ
 ECAD 2229 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ DK5 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Иотоп Ste60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Иотоп СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 100 N-канал 1050 46A (TC) 10 В 120mohm @ 23a, 10 В 5 w @ 100 мк 204 NC @ 10 V ± 30 v 6675 pf @ 100 v - 680 Вт (TC)
NTK3142PT1H Sanyo NTK3142PT1H 0,0200
RFQ
 ECAD 20 0,00000000 САНО * МАССА Актифен NTK3142 - - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8542.39.0001 4000 -
A2G22S251-01SR3 NXP USA Inc. A2G22S251-01SR3 85 8978
RFQ
 ECAD 8111 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 125 Пефер Ni-400S-2S A2G22 1 805 ~ 2,2 -е. LDMOS Ni-400S-2S СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 935313179528 Ear99 8541.29.0075 250 - 200 май 52dbm 17,7db - 48
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 Infineon Technologies IPZ40N04S5L7R4ATMA1 0,9500
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC -Q101, Optimos ™ -5 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn IPZ40N04 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TSDSON-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 40 40a (TC) 4,5 В, 10. 7,4mohm @ 20a, 10 В 2 w @ 10 мк 17 NC @ 10 V ± 16 В. 920 PF @ 25 V - 34W (TC)
BUK9Y12-80E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y12-80E, 115 -
RFQ
 ECAD 6558 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер SC-100, SOT-669 BUK9Y12 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934067028115 Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 80 - - - - -
STL60P4LLF6 STMicroelectronics STL60P4LLF6 1.6400
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ F6 Lenta и катахка (tr) Актифен 175 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn STL60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerFlat ™ (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 40 60a (TC) 4,5 В, 10. 14mohm @ 6,5a, 10 В 1в @ 250 мка (мин) 34 NC @ 4,5 ± 20 В. 3525 PF @ 25 V - 100 yt (tc)
PMXB120EPEZ Nexperia USA Inc. PMXB120EPEZ 0,3800
RFQ
 ECAD 46 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o PMXB120 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN1010D-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 П-канал 30 2.4a (TA) 4,5 В, 10. 120mohm @ 2,4a, 10 В 2,5 -50 мк 11 NC @ 10 V ± 20 В. 309 pf @ 15 v - 400 мт (TA), 8,3 st (TC)
PSMN5R6-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN5R6-100BS, 118 2.8300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB PSMN5R6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 100 100a (TC) 10 В 5,6mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 1MA 141 NC @ 10 V ± 20 В. 8061 pf @ 50 v - 306 yt (tc)
DMC2053UFDBQ-13 Diodes Incorporated DMC2053UFDBQ-13 0,1109
RFQ
 ECAD 9328 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka DMC2053 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 820 мг (таблица) U-dfn2020-6 (typ b) СКАХАТА DOSTISH 31-DMC2053UFDBQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10000 N и п-канал 20 4.6a (ta), 3.1a (ta) 35mohm @ 5a, 4,5 -n, 75mohm @ 3,5a, 4,5 1В @ 250 мк 7,7NC @ 10V, 12.7nc @ 8V 369pf @ 10v, 440pf @ 10v -
NTMFD5C466NT1G onsemi NTMFD5C466NT1G 1.6300
RFQ
 ECAD 900 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен - - NTMFD5 - - - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 - - - - - - - -
PTFC270101M-V1-R0 Wolfspeed, Inc. PTFC270101M-V1-R0 -
RFQ
 ECAD 5948 0,00000000 Wolfspeed, Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 65 Пефер 10-ldfn otkrыtaiNe-oploщadka 900 мг ~ 2,7 ггц LDMOS PG-Son-10 СКАХАТА ROHS COMPRINT 3 (168 чASOW) Ear99 8541.29.0075 1000 10 мк 120 май 10 st 20,5db - 28
BUK7Y25-80E/GFX NXP USA Inc. BUK7Y25-80E/GFX -
RFQ
 ECAD 6852 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 Бук7 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 80 39a (TC) 10 В 25mohm @ 10a, 10v 4 В @ 1MA 25,9 NC @ 10 V ± 20 В. 1800 pf @ 25 v - 95W (TC)
AUIRF2805 International Rectifier AUIRF2805 2.0000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 55 75A (TC) 10 В 4,7mohm @ 104a, 10v 4 В @ 250 мк 230 NC @ 10 V ± 20 В. 5110 pf @ 25 V - 330W (TC)
IRLBA3803P Infineon Technologies IRLBA3803P -
RFQ
 ECAD 4279 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru ДО-273AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Super-220 ™ (TO-273AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *Irlba3803p Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 30 179a (TC) 5mohm @ 71a, 10v 1В @ 250 мк 140 NC @ 4,5 5000 pf @ 25 v - 270 Вт (TC)
DMT2004UFG-7 Diodes Incorporated DMT2004UFG-7 0,6100
RFQ
 ECAD 3407 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn DMT2004 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 24 70A (TC) 2,5 В, 10 В. 5mohm @ 12a, 10 В 1,45 Е @ 250 мк 53,7 NC @ 10 V ± 12 В. 1683 PF @ 15 V - 2,3
FQP30N06 onsemi FQP30N06 1.5100
RFQ
 ECAD 3788 0,00000000 OnSemi QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FQP30 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 60 30А (TC) 10 В 40mohm @ 15a, 10 В 4 В @ 250 мк 25 NC @ 10 V ± 25 В 945 PF @ 25 V - 79 Вт (ТС)
NTMFS5C410NLTT1G onsemi NTMFS5C410NLTT1G 5.6800
RFQ
 ECAD 999 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NTMFS5 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 40 50a (ta), 330a (TC) 4,5 В, 10. 0,9 м 2 В @ 250 мк 143 NC @ 10 V ± 20 В. 8862 PF @ 25 V - 3,8 Вт (ТА), 167W (TC)
SIHG70N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHG70N60EF-GE3 8.8305
RFQ
 ECAD 3473 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 SIHG70 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 600 70A (TC) 10 В 38MOHM @ 35A, 10V 4 В @ 250 мк 380 NC @ 10 V ± 30 v 7500 pf @ 100 v - 520W (TC)
AUIRFS4115 Infineon Technologies Auirfs4115 -
RFQ
 ECAD 5324 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Auirfs4115 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001520256 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 150 99a (TC) 10 В 12.1mohm @ 62a, 10v 5 w @ 250 мк 120 NC @ 10 V ± 20 В. 5270 PF @ 50 V - 375W (TC)
SIRA88DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA88DP-T1-GE3 0,4900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Gen IV Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 SIRA88 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 45,5a (TC) 4,5 В, 10. 6,7mohm @ 10a, 10v 2,4 В @ 250 мк 12,5 NC @ 4,5 +20, -16V 985 PF @ 15 V - 25 yt (tc)
2SJ166-L-A Renesas Electronics America Inc 2SJ166-LA -
RFQ
 ECAD 5600 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1
BUK98150-55,135 NXP USA Inc. BUK98150-55,135 -
RFQ
 ECAD 2989 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA BUK98 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SC-73 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 55 5.5a (TC) 5в 150mohm @ 5a, 5v 2V @ 1MA ± 10 В. 330 pf @ 25 v - 8,3 Вт (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть