SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн NoMerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МООНТАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
ON5238,118 NXP USA Inc. ON5238,118 -
RFQ
 ECAD 6850 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо Пефер TO-263-5, D²PAK (4 головы + вкладка), до 263BB ON52 - - D2Pak - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934056900118 Ear99 8541.29.0095 800 - - - - -
IRF7331TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7331TRPBF-1 -
RFQ
 ECAD 8473 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IRF733 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W (TA) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001555168 Ear99 8541.29.0095 4000 2 n-канал (Дзонано) 20 7A (TA) 30mohm @ 7a, 4,5 1,2- 250 мк 20nc @ 4,5 1340pf @ 16v -
DMC2025UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMC2025UFDBQ-7 0,1294
RFQ
 ECAD 1889 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka DMC2025 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 700 мт (таблица) U-dfn2020-6 (typ b) СКАХАТА DOSTISH 31-DMC2025UFDBQ-7TR Ear99 8541.29.0095 3000 Не 20 6a (ta), 3,5a (TA) 25mohm @ 4a, 4,5 v, 75mohm @ 2,9a, 4,5 1 В @ 250 мка, 1,4 pri 250 мк 12.3nc @ 10V, 15NC @ 8V 486pf @ 10v, 642pf @ 10v -
PSMN016-100BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN016-100BS, 118 1.6800
RFQ
 ECAD 165 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB PSMN016 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 100 57A (TJ) 10 В 16mohm @ 15a, 10v 4 В @ 1MA 49 NC @ 10 V ± 20 В. 2404 PF @ 50 V - 148W (TC)
IXTH24N65X2 IXYS Ixth24n65x2 6,4000
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Ixys Ультра x2 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXTH24 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-247 (IXTH) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 650 24а (TC) 10 В 145mohm @ 12a, 10 В 5 w @ 250 мк 36 NC @ 10 V ± 30 v 2060 PF @ 25 V - 390 Вт (TC)
IPB80N06S2L11ATMA2 Infineon Technologies IPB80N06S2L11ATMA2 2.5200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IPB80N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-3-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 55 80a (TC) 4,5 В, 10. 10,7mohm @ 40a, 10 В 2V @ 93 мка 80 NC @ 10 V ± 20 В. 2075 PF @ 25 V - 158W (TC)
FDY4001CZ onsemi FDY4001CZ -
RFQ
 ECAD 7846 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 FDY40 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 446 м SOT-563F СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N и п-канал 20 200 май, 150 матов 5OM @ 200 мА, 4,5 В 1,5 В @ 250 мк 1.1NC @ 4,5 60pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
DMC2450UV-7 Diodes Incorporated DMC2450UV-7 0,4600
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 DMC2450 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 450 м SOT-563 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N и п-канал 20 1.03a, 700 май 480MOHM @ 200MA, 5V 900 мВ @ 250 мк 0,5NC пр. 4,5 37.1pf @ 10 a. -
NTD5865NL-1G onsemi NTD5865NL-1G -
RFQ
 ECAD 8318 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА NTD58 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I-pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 60 46A (TC) 4,5 В, 10. 16mohm @ 20a, 10 В 2 В @ 250 мк 29 NC @ 10 V ± 20 В. 1400 pf @ 25 v - 71 Вт (TC)
NP80N04NLG-S18-AY NEC Corporation Np80n04nlg-s18-ay 1.8400
RFQ
 ECAD 750 0,00000000 NEC Corporation - Трубка Управо 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 262 СКАХАТА Neprigodnnый Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 40 80a (TC) 4,8mohm @ 40a, 10 В 2,5 -50 мк 135 NC @ 10 V 6900 pf @ 25 v - 1,8 yt (ta), 115w (TC)
TSM150P03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P03PQ33 RGG 1.6100
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn TSM150 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-pdfn (3,1x3,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 П-канал 30 36a (TC) 4,5 В, 10. 15mohm @ 10a, 10v 2,5 -50 мк 29,3 NC @ 10 V ± 20 В. 1829 PF @ 15 V - 27,8 Вт (TC)
IRF723 Harris Corporation IRF723 0,7800
RFQ
 ECAD 79 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 350 2.8a (TC) 10 В 2,5OM @ 1,8A, 10 В 4 В @ 250 мк 20 NC @ 10 V ± 20 В. 360 pf @ 25 v - 50 yt (tc)
RJK0374DSP-01#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0374DSP-01#J0 0,8900
RFQ
 ECAD 265 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 2500
UPA2713GR-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2713GR-E1-A 0,6100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 2500
SIPC36AN10X1SA2 Infineon Technologies SIPC36AN10x1SA2 -
RFQ
 ECAD 3128 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 1 -
IRF3706S Infineon Technologies IRF3706S -
RFQ
 ECAD 1990 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRF3706S Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 20 77a (TC) 2,8 В, 10 В. 8,5mohm @ 15a, 10 В 2 В @ 250 мк 35 NC @ 4,5 ± 12 В. 2410 pf @ 10 v - 88 Вт (ТС)
IRFSL3006PBF Infineon Technologies IRFSL3006PBF 64700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA IRFSL3006 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 262 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 60 195a (TC) 10 В 2,5mohm @ 170a, 10 В 4 В @ 250 мк 300 NC @ 10 V ± 20 В. 8970 pf @ 50 v - 375W (TC)
PJP35N06A_T0_00001 Panjit International Inc. PJP35N06A_T0_00001 0,8000
RFQ
 ECAD 168 0,00000000 Panjit International Inc. - Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 PJP35 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-PJP35N06A_T0_00001 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 60 4.7a (ta), 35a (TC) 4,5 В, 10. 21mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 28 NC @ 10 V ± 20 В. 1680 pf @ 20 v - 2W (TA), 104W (TC)
SPU07N60C3BKMA1 Infineon Technologies SPU07N60C3BKMA1 -
RFQ
 ECAD 7731 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА SPU07N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO251-3-21 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 650 7.3a (TC) 10 В 600 мм @ 4,6a, 10 3,9 В @ 350 мк 27 NC @ 10 V ± 20 В. 790 PF @ 25 V - 83W (TC)
RFP3055 onsemi RFP3055 -
RFQ
 ECAD 8757 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 RFP30 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 N-канал 60 12a (TC) 10 В 150mohm @ 12a, 10v 4 В @ 250 мк 23 NC @ 20 V ± 20 В. 300 pf @ 25 v - 53 Вт (TC)
SUM40014M-GE3 Vishay Siliconix Sum40014m-Ge3 3.4900
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Виаликоеникс - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-7, D²PAK (6 SVINOW + nwaudka) Sum40014 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263-7 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 40 200a (TC) 0,99 МОЛ 2,4 В @ 250 мк 275 NC @ 10 V ± 20 В. 15780 PF @ 20 V - 375W (TC)
MRF24G300HSR5 NXP USA Inc. MRF24G300HSR5 136.8900
RFQ
 ECAD 153 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 125 Пефер Ni-780S-4L MRF24 2,4 -е ~ 2,5 -е. МОСС Ni-780S-4L СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 2 n-канал (Дзонано) - 300 Вт 15.3db - 48
STB10N95K5 STMicroelectronics STB10N95K5 3.5300
RFQ
 ECAD 2190 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5 ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STB10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 950 8a (TC) 10 В 800mohm @ 4a, 10v 5 w @ 100 мк 22 NC @ 10 V ± 30 v 630 pf @ 100 v - 130 Вт (TC)
DMN3016LFDF-7-90 Diodes Incorporated DMN3016LFDF-7-90 0,1703
RFQ
 ECAD 3877 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka DMN3016 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) U-DFN2020-6 (Typ F) СКАХАТА DOSTISH 31-DMN3016LFDF-7-90TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 10А (таблица) 4,5 В, 10. 12mohm @ 11a, 10 В 2 В @ 250 мк 25,1 NC @ 10 V ± 20 В. 1415 PF @ 15 V - 730 мг (таблица)
PJS6421_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6421_S1_00001 0,4600
RFQ
 ECAD 47 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 PJS6421 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-23-6 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 7.4a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 26mohm @ 5a, 4,5 1В @ 250 мк 16,5 NC @ 4,5 ± 10 В. 1620 PF @ 15 V - 2W (TA)
IXFH60N60X3 IXYS Ixfh60n60x3 12.4900
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X3 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IXFH60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 238-IXFH60N60x3 Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 600 60a (TC) 10 В 51mohm @ 30a, 10 В 5V @ 4MA 51 NC @ 10 V ± 20 В. 3450 pf @ 25 v - 625W (TC)
IPP045N10N3GHKSA1 Infineon Technologies IPP045N10N3GHKSA1 -
RFQ
 ECAD 7501 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Ipp045n МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP000457560 Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 100 100a (TC) 6 В, 10 В. 4,5mohm @ 100a, 10 В 3,5 -150 мк 117 NC @ 10 V ± 20 В. 8410 pf @ 50 v - 214W (TC)
FDH055N15A onsemi FDH055N15A 7,6000
RFQ
 ECAD 26 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 FDH055 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 150 158a (TC) 10 В 5,9 моама @ 120a, 10 В 4 В @ 250 мк 92 NC @ 10 V ± 20 В. 9445 PF @ 75 V - 429W (TC)
SI3473DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3473DV-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2506 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SI3473 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-й стоп СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 12 5.9a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 23mohm @ 7,9a, 4,5 1В @ 250 мк 33 NC @ 4,5 ± 8 v - 1,1 yt (tat)
IXTP76N25T IXYS Ixtp76n25t 6.2100
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Ixys Поящь Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IXTP76 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 250 76A (TC) 10 В 39mohm @ 500ma, 10 В 5V @ 1MA 92 NC @ 10 V ± 30 v 4500 pf @ 25 v - 460 yt (tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть