SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Манера В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
STD30NF06LT4 STMicroelectronics STD30NF06LT4 1.5600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 STD30 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 35A (TC) 5 В, 10 В. 28mohm @ 18a, 10 В 2,5 -50 мк 31 NC @ 5 V ± 20 В. 1600 pf @ 25 v - 70 Вт (TC)
IRFB4610PBF Infineon Technologies IRFB4610PBF 2.4000
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRFB4610 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 100 N-канал 100 73a (TC) 10 В 14mohm @ 44a, 10v 4 w @ 100 мк 140 NC @ 10 V ± 20 В. 3550 pf @ 50 v - 190 Вт (ТС)
BLF8G10LS-270V,112 NXP USA Inc. BLF8G10LS-270V, 112 79 6700
RFQ
 ECAD 13 0,00000000 NXP USA Inc. - Трубка Актифен 65 SOT-1244B BLF8 871,5 мг ~ 891,5 мгги LDMOS CDFM6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 0000.00.0000 5 - 2 а 67 Вт 19.5db - 28
FCPF11N60T Fairchild Semiconductor Fcpf11n60t -
RFQ
 ECAD 9096 0,00000000 Fairchild Semiconductor Superfet ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- FCPF11 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 N-канал 600 11a (TC) 10 В 380MOHM @ 5,5A, 10 В 5 w @ 250 мк 52 NC @ 10 V ± 30 v 1490 pf @ 25 v - 36W (TC)
RF1K4909096 Fairchild Semiconductor RF1K4909096 0,6200
RFQ
 ECAD 60 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) RF1K4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W (TA) 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 2500 2 n-канал (Дзонано) 12 3.5a (TA) 50mohm @ 3,5a, 5в 2 В @ 250 мк 25NC @ 10V 750pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
C3M0280090D Wolfspeed, Inc. C3M0280090D 6.2500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Wolfspeed, Inc. C3M ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 C3M0280090 Sicfet (kremniewый karbid) 247-3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 900 11.5a (TC) 15 360mohm @ 7,5a, 15 3,5 В @ 1,2 мая 9,5 NC @ 15 V +18V, -8V 150 pf @ 600 - 54W (TC)
IRLZ14S Vishay Siliconix Irlz14s -
RFQ
 ECAD 6817 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRLZ14 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *Irlz14s Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 60 10a (TC) 4 В, 5V 200 месяцев @ 6a, 5v 2 В @ 250 мк 8.4 NC @ 5 V ± 10 В. 400 pf @ 25 v - 3,7 y (ta), 43 yt (tc)
SI7222DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI722222DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7562 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 1212-8 Dual Si7222 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 17,8 PowerPak® 1212-8 Dual СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 40 6A 42mohm @ 5,7a, 10 В 1,6 В @ 250 мк 29NC @ 10V 700pf @ 20 a. -
HS8K11TB Rohm Semiconductor HS8K11TB 0,6300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 8-udfn oTkrыtaiNA-anploщadka HS8K11 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W HSML3030L10 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 30 7., 11А 17,9mohm @ 7a, 10 В 2,5 h @ 1ma 11.1NC @ 10V 500pf @ 15v Logiчeskichй yrowenhe
IPG20N04S409AATMA1 Infineon Technologies IPG20N04S409AATMA1 0,6500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn IPG20N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 54W (TC) PG-TDSON-8-4 СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 503 2 n-канал (Дзонано) 40 20А (TC) 8,6mohm @ 17a, 10v 4 w @ 22 мка 28NC @ 10V 2250PF @ 25V -
FDMC86260 onsemi FDMC86260 2.6100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn FDMC86260 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Power33 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 150 5.4a (ta), 16a (TC) 6 В, 10 В. 34mohm @ 5,4a, 10 В 4 В @ 250 мк 21 NC @ 10 V ± 20 В. 1330 PF @ 75 V - 2,3 yt (ta), 54w (tc)
DMN3016LFDE-13 Diodes Incorporated DMN3016LFDE-13 0,4300
RFQ
 ECAD 33 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-Powerfn DMN3016 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) U-dfn2020-6 (typ e) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 10000 N-канал 30 10А (таблица) 4,5 В, 10. 12mohm @ 11a, 10 В 2 В @ 250 мк 25,1 NC @ 10 V ± 20 В. 1415 PF @ 15 V - 730 мг (таблица)
APTC90HM60T3G Microsemi Corporation APTC90HM60T3G -
RFQ
 ECAD 5331 0,00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ Поднос Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SP3 APTC90 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 462 Вт SP3 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 100 4 n-Канал (Поломвинамос) 900 59а 60mohm @ 52a, 10 В 3,5 - @ 6ma 540NC @ 10V 13600pf @ 100v Gryperrd -ankшn
RF2L15200CB4 STMicroelectronics RF2L15200CB4 163 3500
RFQ
 ECAD 6962 0,00000000 Stmicroelectronics - МАССА Актифен 65 ШASCI LBB RF2L15200 1,5 -е LDMOS LBB - Rohs3 DOSTISH 497-RF2L15200CB4 100 - 1 мка 200 th 17,5db -
BSS214NW L6327 Infineon Technologies BSS214NW L6327 -
RFQ
 ECAD 9654 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SC-70, SOT-323 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-SOT323 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 1.5a (TA) 2,5 В, 4,5 В. 140mohm @ 1,5a, 4,5 1,2- 3,7 мка 0,8 nc pri 5в ± 12 В. 143 PF @ 10 V - 500 мг (таблица)
IXTY12N06T IXYS Ixty12n06t -
RFQ
 ECAD 8698 0,00000000 Ixys Trenchmv ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Ixty12 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 70 N-канал 60 12a (TC) 10 В 85mohm @ 6a, 10v 4 w @ 25 мк 3.4 NC @ 10 V ± 20 В. 256 PF @ 25 V - 33 Вт (TC)
IXTA10P15T IXYS IXTA10P15T 3.6584
RFQ
 ECAD 5013 0,00000000 Ixys Renchp ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Ixta10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263 (D2PAK) - Rohs3 DOSTISH 238-IXTA10P15T Ear99 8541.29.0095 50 П-канал 150 10a (TC) 10 В 350MOHM @ 5A, 10 В 4,5 -50 мк 36 NC @ 10 V ± 15 В. 2210 pf @ 25 v - 83W (TA)
MCG30N12Y-TP Micro Commercial Co MCG30N12Y-TP -
RFQ
 ECAD 4271 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-vdfn oTkrыTAIN MCG30 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN3333 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 353-MCG30N12Y-TPTR 5000 N-канал 120 30A 4,5 В, 10. 28,2mohm @ 20a, 10 В 3 В @ 250 мк 22,5 NC @ 10 V ± 20 В. 1028 PF @ 60 V - 41 Вт
NTD3055-150T4G onsemi NTD3055-150T4G 0,8900
RFQ
 ECAD 6902 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NTD3055 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 9А (тат) 10 В 150mohm @ 4,5a, 10 В 4 В @ 250 мк 15 NC @ 10 V ± 20 В. 280 pf @ 25 v - 1,5 м (та), 28,8 st (TJ)
FDS6911 onsemi FDS6911 -
RFQ
 ECAD 7984 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) FDS69 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 900 м 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 2500 2 n-канал (Дзонано) 20 7,5а 13mohm @ 7,5a, 10 В 3 В @ 250 мк 24nc @ 10v 1130pf @ 15v Logiчeskichй yrowenhe
ZVN4206GTC Diodes Incorporated ZVN4206GTC 0,9400
RFQ
 ECAD 5841 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA ZVN4206 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 60 1a (ta) 5 В, 10 В. 1om @ 1,5A, 10 В 3V @ 1MA ± 20 В. 100 pf @ 25 v - 2W (TA)
IXFN80N50Q2 IXYS Ixfn80n50q2 -
RFQ
 ECAD 2749 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Q2 Class Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SOT-227-4, Minibloc Ixfn80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-227B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 10 N-канал 500 72A (TC) 10 В 60mohm @ 500ma, 10 В 4,5 Е @ 8ma 250 NC @ 10 V ± 30 v 12800 PF @ 25 V - 890 Вт (TC)
YJQ3622A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJQ3622A 0,4300
RFQ
 ECAD 3621 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (3,3x3,3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 30 30A 4,5 В, 10. 13mohm @ 20a, 10v 2,5 -50 мк 23,6 NC @ 10 V ± 20 В. 1015 PF @ 15 V Станода 21W (TC)
2SK2167-TD-E onsemi 2SK2167-TD-E 0,4200
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1000
CGHV22100F Wolfspeed, Inc. CGHV22100F -
RFQ
 ECAD 9014 0,00000000 Wolfspeed, Inc. Gan Трубка Управо 125 440162 1,8 ГГА ~ 2,2 Гер Хemt 440162 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 1 6A 500 май 100 y 20 дБ - 50
IRF5852 Infineon Technologies IRF5852 -
RFQ
 ECAD 3439 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 IRF58 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 960 м 6-й стоп СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 100 2 n-канал (Дзонано) 20 2.7a 90mohm @ 2,7a, 4,5 1,25 В @ 250 мк 6nc @ 4,5 400pf @ 15v Logiчeskichй yrowenhe
STD11N50M2 STMicroelectronics STD11N50M2 1.4900
RFQ
 ECAD 5653 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ II Plus Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Std11 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 500 8a (TC) 10 В 530MOM @ 4A, 10 В 4 В @ 250 мк 12 NC @ 10 V ± 25 В 395 pf @ 100 v - 85W (TC)
NTB30N20T4G onsemi NTB30N20T4G -
RFQ
 ECAD 8670 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB NTB30 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 200 30А (ТА) 10 В 81mohm @ 15a, 10 В 4 В @ 250 мк 100 NC @ 10 V ± 30 v 2335 PF @ 25 V - 2W (TA), 214W (TC)
PJQ5450_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5450_R2_00001 0,1641
RFQ
 ECAD 4409 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn PJQ5450 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN5060-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-PJQ5450_R2_00001TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 40 5.9a (ta), 21a (TC) 4,5 В, 10. 32mohm @ 12a, 10 В 2,5 -50 мк 4,4 NC @ 4,5 ± 20 В. 425 PF @ 25 V - 2 Вт (TA), 25 yt (TC)
MSCSM170TAM23CTPAG Microchip Technology MSCSM170TAM23CTPAG 814.4300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Модул MSCSM170 Карбид Кремния (sic) 588W (TC) - СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 150-MSCSM170TAM23CTPAG Ear99 8541.29.0095 1 6 n-каанол (февраль. 1700 В (1,7 кв) 122a (TC) 22,5mohm @ 60a, 20 В 3,2 В @ 5MA 356NC @ 20V 6600pf @ 1000v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть