SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
CTLDM8120-M832D TR Central Semiconductor Corp CTLDM8120-M832D Tr -
RFQ
 ECAD 4166 0,00000000 Central Semiconductor Corp - Lenta и катахка (tr) Управо -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-tdfn oftkrыtaiNavaIn-o CTLDM8120 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,65 yt (tat) TLM832D СКАХАТА 1514-CTLDM8120-M832DTR Ear99 8541.29.0095 1 2 P-KANOL (DVOйNOй) 20 860 май (таблица) 150mohm @ 950ma, 4,5 1В @ 250 мк 3.56NC @ 10 a. 200pf @ 16v Logiчeskichй yrowenhe
BUK7E11-55B,127 NXP USA Inc. Buk7e11-55b, 127 -
RFQ
 ECAD 6209 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA Бук7 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 55 75A (TC) 10 В 11mohm @ 25a, 10 В 4 В @ 1MA 37 NC @ 10 V ± 20 В. 2604 PF @ 25 V - 157 Вт (ТС)
IRF3205PBF Infineon Technologies IRF3205PBF 1.8700
RFQ
 ECAD 7426 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRF3205 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 55 110A (TC) 10 В 8mohm @ 62a, 10v 4 В @ 250 мк 146 NC @ 10 V ± 20 В. 3247 PF @ 25 V - 200 yt (tc)
SI7172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7172DP-T1-GE3 2.8200
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 SI7172 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 200 25a (TC) 6 В, 10 В. 70mohm @ 5.9a, 10 4 В @ 250 мк 77 NC @ 10 V ± 20 В. 2250 pf @ 100 v - 5,4 yt (ta), 96w (tc)
BLF6G10L-40BRN,118 Ampleon USA Inc. BLF6G10L-40BRN, 118 -
RFQ
 ECAD 5825 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 65 ШASCI SOT-1112A BLF6G10 788,5 мг ~ 823,5 мгги LDMOS CDFM6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH 934064277118 Ear99 8541.29.0075 100 ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК 11A 390 май 2,5 23 дБ - 28
NVLJS053N12MCLTAG onsemi Nvljs053n12mcltag 0,3040
RFQ
 ECAD 5208 0,00000000 OnSemi Superfet® III, FRFET® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-udfn (2x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 488-nvljs053n12mcltagtr Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 120 4.8a (TA) 4,5 В, 10. 53mohm @ 5.2a, 10 3 w @ 30 мк 7,8 NC @ 10 V ± 20 В. 520 PF @ 60 - 620 март (таблица)
STB16NF06LT4 STMicroelectronics STB16NF06LT4 1,7000
RFQ
 ECAD 1482 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STB16 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 60 16a (TC) 5 В, 10 В. 90mohm @ 8a, 10 В 1в @ 250 мка (мин) 10 NC @ 4,5 ± 16 В. 345 PF @ 25 V - 45 Вт (TC)
IRF7241 Infineon Technologies IRF7241 -
RFQ
 ECAD 9448 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 95 П-канал 40 6.2a (TA) 4,5 В, 10. 41mohm @ 6.2a, 10 3 В @ 250 мк 80 NC @ 10 V ± 20 В. 3220 PF @ 25 V - 2,5 yt (tat)
PJL9402_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9402_R2_00001 0,1154
RFQ
 ECAD 3507 0,00000000 Panjit International Inc. - Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) PJL9402 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3757-PJL9402_R2_00001TR Ear99 8541.29.0095 2500 - 30 5а (таблица) 4,5 В, 10. 48mohm @ 5a, 10v 2.1 h @ 250 мк 5,8 NC @ 10 V ± 20 В. 235 pf @ 15 v - 2,1 yt (tat)
SI5913DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5913DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1184 0,00000000 Виаликоеникс Little Foot® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-SMD, Плоскин С.С. SI5913 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1206-8 Chipfet ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 4a (TC) 2,5 В, 10 В. 84mohm @ 3,7a, 10 В 1,5 В @ 250 мк 12 NC @ 10 V ± 12 В. 330 pf @ 10 v Диджотки (Иолировананн) 1,7 yt (ta), 3,1 st (tc)
STD60NF06T4 STMicroelectronics STD60NF06T4 2.0800
RFQ
 ECAD 8484 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Std60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 60a (TC) 10 В 16mohm @ 30a, 10 В 4 В @ 250 мк 66 NC @ 10 V ± 20 В. 1810 PF @ 25 V - 110 yt (tc)
ATF-36163-TR2G Broadcom Limited ATF-36163-TR2G -
RFQ
 ECAD 1440 0,00000000 Broadcom Limited - Lenta и катахка (tr) Управо 3 В 6-tssop, SC-88, SOT-363 ATF-36163 4 Гер Феврат SOT-363 - 1 (neograniчennnый) DOSTISH 5A991G 8541.21.0075 10000 40 май 15 май 5 Дбм 15,8db 0,6 дБ 2 V.
MW7IC930GNR1 NXP Semiconductors MW7IC930GNR1 -
RFQ
 ECAD 3875 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki - МАССА Управо 65 Пефер ВАРИАНТ 270-16, КРХЛОС 920 мг ~ 960 мг LDMOS (DVOйNOй) 270 WBL-16-горова - 2156-MW7IC930GNR1 1 2 n-канал 10 мк 285 май 3,2 35,9 Дб - 28
CSD25480F3 Texas Instruments CSD25480F3 0,4600
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Тел Femtofet ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-xfdfn CSD25480 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 3-пикопар СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 П-канал 20 1.7a (TA) 1,8 В, 8 В 132mohm @ 400ma, 8V 1,2- 250 мк 0,91 NC @ 4,5 -12V 155 PF @ 10 V - 500 мг (таблица)
PH3855L,115 NXP USA Inc. PH3855L, 115 -
RFQ
 ECAD 6429 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 PH38 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 55 24а (TC) 4,5 В, 10. 36mohm @ 15a, 10v 2V @ 1MA 11,7 NC @ 5 V ± 15 В. 765 PF @ 25 V - 50 yt (tc)
STSJ50NH3LL STMicroelectronics STSJ50NH3LL -
RFQ
 ECAD 9546 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). STSJ50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 50a (TC) 4,5 В, 10. 10,5mohm @ 6a, 10 В 1В @ 250 мк 12 NC @ 4,5 ± 16 В. 965 PF @ 25 V - 3 Вт (TA), 50 yt (TC)
DMG6302UDW-7 Diodes Incorporated DMG6302UDW-7 0,0606
RFQ
 ECAD 9711 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 DMG6302 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 310 мт (таблица) SOT-363 СКАХАТА DOSTISH 31-DMG6302UDW-7TR Ear99 8541.21.0095 3000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 25 В 150 май (таблица) 10OM @ 140 мА, 4,5 В 1,5 В @ 250 мк 0,34NC пр. 4,5 30,7pf @ 10 a. -
MMBFJ304 onsemi MMBFJ304 -
RFQ
 ECAD 4598 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 30 Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBFJ3 - JFET TO-236AB СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 0000.00.0000 3000 N-канал 15 май - - -
AON6226 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6226 0,5939
RFQ
 ECAD 3573 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powersmd, ploskie otwedonnina AON62 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-DFN (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 100 48a (TC) 4,5 В, 10. 7,9mohm @ 20a, 10 В 2,3 В @ 250 мк 60 NC @ 10 V ± 20 В. 3130 pf @ 50 v - 108W (TC)
IAUC120N06S5L022ATMA1 Infineon Technologies IAUC120N06S5L022ATMA1 0,7046
RFQ
 ECAD 8249 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ -5 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TDSON-8-34 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 60 170a (TJ) 4,5 В, 10. 2,2mohm @ 60a, 10 В 2,2 -пр. 65 мк 77 NC @ 10 V ± 20 В. 5651 PF @ 30 V - 136W (TC)
NTTFS4945NTAG onsemi Nttfs4945ntag -
RFQ
 ECAD 9159 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powerwdfn NTTFS4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-WDFN (3,3x3,3) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 30 7.1A (TA), 34A (TC) 4,5 В, 10. 9mohm @ 20a, 10v 2,2 pri 250 мк 17,3 NC @ 10 V ± 20 В. 1194 PF @ 15 V - 890 мт (TA), 20 yt (TC)
IXKH70N60C5 IXYS Ixkh70n60c5 24.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Ixys Coolmos ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Ixkh70 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-247AD СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 600 70A (TC) 10 В 45mohm @ 44a, 10v 3,5 В @ 3MA 190 NC @ 10 V ± 20 В. 6800 pf @ 100 v - -
PSMNR89-25YLEX Nexperia USA Inc. PSMNR89-25YLEX 2.7700
RFQ
 ECAD 8890 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 PSMNR89 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 25 В 270A (TA) 7 В, 10 В. 0,98mohm @ 25a, 10 2.2V @ 2MA 120 NC @ 10 V ± 20 В. 7452 pf @ 12 v - 224W (TA)
FDS8958 Fairchild Semiconductor FDS8958 1.0000
RFQ
 ECAD 3491 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) FDS89 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W 8 лейт СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.21.0095 1 N и п-канал 30 7., 5а 28mohm @ 7a, 10 В 3 В @ 250 мк 26NC @ 10V 789pf @ 10v Logiчeskichй yrowenhe
IPAN60R210PFD7SXKSA1 Infineon Technologies IPAN60R210PFD7SXKSA1 2.3400
RFQ
 ECAD 831 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ PFD7 Трубка Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- IPan60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-FP СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 16a (TC) 10 В 210mohm @ 4,9a, 10 4,5 -пр. 240 мк 23 NC @ 10 V ± 20 В. 1015 PF @ 400 - 25 yt (tc)
IRLU3705ZPBF Infineon Technologies IRLU3705ZPBF -
RFQ
 ECAD 5226 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ipak (DODU 251AA) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 55 42a (TC) 4,5 В, 10. 8mohm @ 42a, 10 В 3 В @ 250 мк 66 NC @ 5 V ± 16 В. 2900 pf @ 25 v - 130 Вт (TC)
CSD17308Q3T Texas Instruments CSD17308Q3T 1.0100
RFQ
 ECAD 830 0,00000000 Тел Nexfet ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn CSD17308 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-VSON-CRIP (3,3x3,3) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 250 N-канал 30 14a (ta), 44a (TC) 3V, 8V 10,3mohm @ 10a, 8v 1,8 В @ 250 мк 5,1 NC @ 4,5 +10, -8 В. 700 pf @ 15 v - 2,7 yt (ta), 28 yt (tc)
AUIRLL2705 Infineon Technologies Auirll2705 -
RFQ
 ECAD 7856 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) SOT-223 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001522936 Ear99 8541.29.0095 80 N-канал 55 5.2a (TA) 4 В, 10 В. 40mohm @ 3,8a, 10 В 2 В @ 250 мк 48 NC @ 10 V ± 16 В. 870 pf @ 25 v - 1 yt (tta)
SI8425DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8425DB-T1-E1 0,5900
RFQ
 ECAD 1239 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 4-UFBGA, WLCSP Si8425 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 4-WLCSP (1,6x1,6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 20 5.9a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 23mohm @ 2a, 4,5 900 мВ @ 250 мк 110 NC @ 10 V ± 10 В. 2800 pf @ 10 v - 1,1 м (та), 2,7 yt (tc)
F411MR12W2M1B76BOMA1 Infineon Technologies F411MR12W2M1B76BOMA1 -
RFQ
 ECAD 1921 0,00000000 Infineon Technologies EasyPack ™ Coolsic ™ Поднос Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI Модул F411MR Карбид Кремния (sic) - Ag-Iasy1b-2 - Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 15 4 n-Канал (Поломвинамос) 1200 В (1,2 К.) 100a (TJ) 11,3mohm @ 100a, 15 В 5,55 Е @ 40 Ма 248NC @ 15V 7360pf @ 800V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть