SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
TSM60NC165CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC165CI C0G 9.1600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSM60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ито-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 1801-TSM60NC165CIC0G Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 600 24а (TC) 10 В 165mohm @ 11.3a, 10v 5V @ 1MA 44 NC @ 10 V ± 30 v 1857 PF @ 300 - 89 Вт (ТС)
PTFA210601EV4XWSA1 Infineon Technologies PTFA210601EV4XWSA1 -
RFQ
 ECAD 1288 0,00000000 Infineon Technologies - Поднос Управо 65 Пефер H-36265-2 PTFA210601 2,14 -е LDMOS H-36265-2 СКАХАТА 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 10 мк 550 май 12 16 дБ - 28
STL85N6F3 STMicroelectronics STL85N6F3 -
RFQ
 ECAD 4947 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn STL85 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerFlat ™ (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 85A (TC) 10 В 5,7mohm @ 8,5a, 10 В 2 В @ 250 мк 60 NC @ 10 V ± 20 В. 3400 pf @ 25 v - 80 Вт (TC)
PMPB20ENZ Nexperia USA Inc. PMPB20ENZ 0,4300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-udfn otkrыtaiNeploщaudka PMPB20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DFN2020MD-6 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 7.2A (TA) 4,5 В, 10. 19,5mohm @ 7a, 10v 2 В @ 250 мк 10,8 NC @ 10 V ± 20 В. 435 PF @ 10 V - 1,7 yt (ta), 12,5 yt (tc)
TSM048NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM048NB06LCR RLG 3.8200
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powerldfn TSM048 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-PDFN (5,2x5,75) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH TSM048NB06LCRRLGTR Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 16a (ta), 107a (TC) 4,5 В, 10. 4,8mohm @ 16a, 10v 2,5 -50 мк 105 NC @ 10 V ± 20 В. 6253 PF @ 30 V - 3,1 (TA), 136W (TC)
MCH6615-TL-E onsemi MCH6615-TL-E 0,2100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 OnSemi * МАССА Актифен - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 3000
DMN1004UFV-13 Diodes Incorporated DMN1004UFV-13 0,5600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn DMN1004 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Powerdi3333-8 (typ ux) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 12 70A (TC) 2,5 В, 4,5 В. 3,8mohm @ 15a, 4,5 1В @ 250 мк 47 NC @ 8 V ± 8 v 2385 pf @ 6 v - 1,9 yt (tat)
IRL1404ZSPBF Infineon Technologies IRL1404ZSPBF -
RFQ
 ECAD 8509 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Пркрэно -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 40 75A (TC) 4,5 В, 10. 3,1mohm @ 75a, 10v 2,7 В @ 250 мк 110 NC @ 5 V ± 16 В. 5080 PF @ 25 V - 230W (TC)
FQP6N50 onsemi FQP6N50 -
RFQ
 ECAD 9454 0,00000000 OnSemi QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FQP6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 500 5.5a (TC) 10 В 1,3 ОМа @ 2,8а, 10 5 w @ 250 мк 22 NC @ 10 V ± 30 v 790 PF @ 25 V - 98W (TC)
PTFA212401F V4 R250 Infineon Technologies PTFA212401F V4 R250 -
RFQ
 ECAD 7943 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо 65 Пефер 2-Flatpack, FIN Leads, Flanged PTFA212401 2,14 -е LDMOS H-37260-2 СКАХАТА 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 250 10 мк 1,6 а 50 st 15,8db - 30
SQ3427AEEV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3427AEEV-T1_BE3 0,7800
RFQ
 ECAD 812 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SQ3427 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-й стоп СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 60 5.3a (TC) 4,5 В, 10. 95mohm @ 4,5a, 10 В 2,5 -50 мк 22 NC @ 10 V ± 20 В. 1000 pf @ 30 v - 5W (TC)
SIR186LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR186LDP-T1-RE3 1.0000
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Gen IV Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 742-SIR186LDP-T1-RE3TR Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 23.8a (ta), 80.3a (TC) 4,5 В, 10. 4,4mohm @ 15a, 10 В 2,5 -50 мк 48 NC @ 10 V ± 20 В. 1980 PF @ 30 V - 5W (TA), 57W (TC)
IXFY12N65X3 IXYS Ixfy12n65x3 2.9316
RFQ
 ECAD 5020 0,00000000 Ixys - Трубка Актифен Ixfy12 - 238-IXFY12N65x3 70
25P06 Goford Semiconductor 25p06 0,8300
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Goford Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 60 25a (TC) 10 В 45mohm @ 12a, 10v 3 В @ 250 мк 37 NC @ 10 V ± 20 В. 3384 PF @ 30 V - 100 yt (tc)
IPB093N04LG Infineon Technologies IPB093N04LG 0,3500
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Pg-to-263-3-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 40 50a (TC) 4,5 В, 10. 9.3mohm @ 50a, 10 В 2 В @ 77 мк 28 NC @ 10 V ± 20 В. 2100 pf @ 20 v - 47W (TC)
IPW60R125P6 Infineon Technologies IPW60R125P6 -
RFQ
 ECAD 5062 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO247-3 СКАХАТА 0000.00.0000 1 N-канал 600 30А (TC) 10 В 125mohm @ 11.6a, 10v 4,5 Е @ 960 мк 56 NC @ 10 V ± 20 В. 2660 pf @ 100 v - 219W (TC)
IXTA30N65X2 IXYS Ixta30n65x2 8.9736
RFQ
 ECAD 4909 0,00000000 Ixys Ультра x2 Трубка Актифен - - - Ixta30 - - - Rohs3 DOSTISH 238-IXTA30N65X2 Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK28A65W, S5X 5.0100
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Dtmosiv Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- TK28A65 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220SIS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 27.6a (TA) 10 В 110mohm @ 13.8a, 10 3,5- прри 1,6 мая 75 NC @ 10 V ± 30 v 3000 pf @ 300 - 45 Вт (TC)
SQS423EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS423EN-T1_BE3 0,9400
RFQ
 ECAD 9771 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 1212-8 SQS423 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® 1212-8 - Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 30 16a (TC) 4,5 В, 10. 21mohm @ 12a, 10v 2,5 -50 мк 26 NC @ 4,5 ± 20 В. 1975 PF @ 15 V - 62,5 yt (TC)
PSMN005-55P,127 NXP USA Inc. PSMN005-55P, 127 -
RFQ
 ECAD 7457 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 PSMN0 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 55 75A (TC) 4,5 В, 10. 5,8 мома @ 25a, 10 В 2V @ 1MA 103 NC @ 5 V ± 15 В. 6500 pf @ 25 v - 230W (TC)
SPU04N60C3BKMA1 Infineon Technologies SPU04N60C3BKMA1 -
RFQ
 ECAD 6382 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА SPU04N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO251-3-21 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 650 4.5a (TC) 10 В 950mohm @ 2,8a, 10 В 3,9 В @ 200 мк 25 NC @ 10 V ± 20 В. 490 PF @ 25 V - 50 yt (tc)
APTM50AM35FTG Microchip Technology APTM50AM35FTG 186.1014
RFQ
 ECAD 7642 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI SP4 APTM50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 781 Вт SP4 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 2 н-канала 500 99а 39mohm @ 49,5a, 10 В 5V @ 5MA 280NC @ 10V 14000pf @ 25V -
SCH1332-TL-H onsemi SCH1332-TL-H -
RFQ
 ECAD 7866 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 SCH133 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-Sch СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 П-канал 20 2.5A (TA) 1,8 В, 4,5 В. 95mohm @ 1,5a, 4,5 1,3 h @ 1ma 4,6 NC @ 4,5 ± 10 В. 375 PF @ 10 V - 1 yt (tta)
MRF5S4140HR5 NXP USA Inc. MRF5S4140HR5 -
RFQ
 ECAD 4227 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо 65 ШASCI SOT-957A MRF5 465 мг LDMOS Ni-780H-2L СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 50 - 1,25 а 28 wt 21 дБ - 28
2SK3482-Z-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3482-Z-AZ -
RFQ
 ECAD 9308 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1
NDH8521C Fairchild Semiconductor NDH8521C 0,7700
RFQ
 ECAD 39 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-тфу (0,130 ", Ирина 3,30 мм) NDH8521 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 800 мт (таблица) Supersot ™ -8 СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N и п-канал 30 3.8a (ta), 2.7a (ta) 33mohm @ 3,8a, 10V, 70mohm @ 2,7a, 10V 2 В @ 250 мк 25NC @ 10V, 27NC @ 10V 500pf @ 15v, 560pf @ 15v -
IPP77N06S3-09 Infineon Technologies IPP77N06S3-09 -
RFQ
 ECAD 9050 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Ipp77n МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 55 77a (TC) 10 В 9.1mohm @ 39a, 10v 4в @ 55 мк 103 NC @ 10 V ± 20 В. 5335 PF @ 25 V - 107W (TC)
IXFT80N20Q IXYS IXFT80N20Q -
RFQ
 ECAD 3919 0,00000000 Ixys Hiperfet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA IXFT80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-268AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 200 80a (TC) 10 В 28mohm @ 500ma, 10 В 4V @ 4MA 180 NC @ 10 V ± 20 В. 4600 pf @ 25 v - 360 Вт (TC)
FQD7P20TM onsemi FQD7P20TM 12000
RFQ
 ECAD 3462 0,00000000 OnSemi QFET® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 FQD7P20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 П-канал 200 5.7a (TC) 10 В 690mom @ 2,85A, 10 В 5 w @ 250 мк 25 NC @ 10 V ± 30 v 770 pf @ 25 v - 2,5 yt (ta), 55 yt (tc)
RSS080N05FU6TB Rohm Semiconductor RSS080N05FU6TB -
RFQ
 ECAD 2605 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Управо - Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-Sop - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 60 8a (TA) - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть