SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш -hymovaiver В конце
APTMC120AM16CD3AG Microchip Technology APTMC120AM16CD3AG -
RFQ
 ECAD 2840 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - МАССА Активна -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) ШASCI D-3 МОДУЛ APTMC120 Карбид Кремния (sic) 625 Вт D3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 2 н-канала 1200 В (1,2 К.) 131a (TC) 20mohm @ 100a, 20 В 2.2V @ 5ma (typ) 246NC @ 20V 4750pf @ 1000v -
IPF06N03LA G Infineon Technologies IPF06N03LA G. -
RFQ
 ECAD 2790 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IPF06N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO252-3-23 СКАХАТА 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 25 В 50a (TC) 4,5 В, 10. 5,7 мома @ 30a, 10 2 w @ 40 мк 22 NC @ 5 V ± 20 В. 2653 PF @ 15 V - 83W (TC)
IRFZ34NSTRLPBF Infineon Technologies Irfz34nstrlpbf 1.7900
RFQ
 ECAD 310 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRFZ34 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 55 29А (TC) 10 В 40mohm @ 16a, 10v 4 В @ 250 мк 34 NC @ 10 V ± 20 В. 700 pf @ 25 v - 3,8 Вт (ТА), 68 Вт (TC)
IPB240N04S4R9ATMA1 Infineon Technologies IPB240N04S4R9ATMA1 6.7200
RFQ
 ECAD 2915 0,00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-7, D²PAK (6 SVINOW + nwaudka) IPB240 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-7-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 40 240A (TC) 10 В 0,87mohm @ 100a, 10 В 4 В @ 230 мк 290 NC @ 10 V ± 20 В. 23000 pf @ 25 v - 300 м (TC)
IRF7201 Infineon Technologies IRF7201 -
RFQ
 ECAD 5155 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRF7201 Ear99 8541.29.0095 95 N-канал 30 7.3a (TC) 4,5 В, 10. 30mohm @ 7,3a, 10 В 1В @ 250 мк 28 NC @ 10 V ± 20 В. 550 pf @ 25 v - 2,5 yt (TC)
IRF7450 Infineon Technologies IRF7450 -
RFQ
 ECAD 5080 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRF7450 Ear99 8541.29.0095 95 N-канал 200 2.5A (TA) 10 В 170mohm @ 1,5a, 10 В 5,5 В @ 250 мк 39 NC @ 10 V ± 30 v 940 pf @ 25 v - 2,5 yt (tat)
IRFU9024N Infineon Technologies Irfu9024n -
RFQ
 ECAD 2523 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ipak (DODU 251AA) СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *Irfu9024n Ear99 8541.29.0095 75 П-канал 55 11a (TC) 10 В 175mohm @ 6,6a, 10v 4 В @ 250 мк 19 NC @ 10 V ± 20 В. 350 pf @ 25 v - 38W (TC)
SI7956DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7956DP-T1-E3 3.1700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 Dual SI7956 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,4 м PowerPak® SO-8 Dual СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 150 2.6a 105mohm @ 4.1a, 10 4 В @ 250 мк 26NC @ 10V - Logiчeskichй yrowenhe
NVHL027N65S3F onsemi NVHL027N65S3F 21.0200
RFQ
 ECAD 270 0,00000000 OnSemi Automotive, AEC-Q101, Superfet® III, FRFET® Трубка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 NVHL027 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 650 75A (TC) 10 В 27.4mohm @ 35a, 10v 5V @ 3MA 227 NC @ 10 V ± 30 v 7780 pf @ 400 - 595 yt (tc)
PHX8NQ11T,127 NXP USA Inc. PHX8NQ11T, 127 -
RFQ
 ECAD 7652 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка PHX8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 110 7.5A (TC) 10 В 180mohm @ 6a, 10v 4 В @ 1MA 14,7 NC @ 10 V ± 20 В. 360 pf @ 25 v - 27,7 Вт (TC)
MCU120N04-TP Micro Commercial Co MCU120N04-TP 0,5700
RFQ
 ECAD 2015 0,00000000 МИКРОМЕР СО - МАССА Активна -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 MCU120 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DPAK (DO 252) СКАХАТА 353-MCU120N04-TP Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 40 120a 4,5 В, 10. 3,5mohm @ 15a, 10 В 2,5 -50 мк 102 NC @ 10 V ± 20 В. 4645 pf @ 20 v - 110 Вт (TJ)
DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LPSQ-13 1.2300
RFQ
 ECAD 12 0,00000000 Дидж Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn DMTH43 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerDI5060-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 22A (TA), 100A (TC) 5 В, 10 В. 3,3mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 49 NC @ 10 V ± 20 В. 3367 PF @ 20 V - 2,7 yt (tat)
HAT1089C-EL-E Renesas HAT1089C-EL-E -
RFQ
 ECAD 9103 0,00000000 RerneзAs - МАССА Управо 150 ° С Пефер 6-SMD, Плоскильлид МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-CMFPAK - 2156-HAT1089C-EL-E 1 П-канал 20 2а (тат) 2,5 В, 4,5 В. 103mohm @ 1a, 4,5 1,4 h @ 1ma 4,5 NC @ 4,5 ± 12 В. 365 pf @ 10 v - 850 мт (таблица)
EKI06075 Sanken EKI06075 -
RFQ
 ECAD 7084 0,00000000 САНКЕН - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА ROHS COMPRINT 1 (neograniчennnый) EKI06075 DK Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 60 78a (TC) 4,5 В, 10. 6,3 мома @ 39а, 10 В 2,5 h @ 1ma 53,6 NC @ 10 V ± 20 В. 3810 PF @ 25 V - 116W (TC)
NVB6410ANT4G onsemi NVB6410ANT4G -
RFQ
 ECAD 7906 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB NVB641 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 100 76A (TC) 10 В 13mohm @ 76a, 10v 4 В @ 250 мк 120 NC @ 10 V ± 20 В. 4500 pf @ 25 v - 188W (TC)
IXFP18N60X IXYS Ixfp18n60x 6.6443
RFQ
 ECAD 9868 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X Трубка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IXFP18 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 600 18а (TC) 10 В 230mom @ 9a, 10 В 4,5 -пр. 1,5 мая 35 NC @ 10 V ± 30 v 1440 PF @ 25 V - 320W (TC)
PMV65UNEAR Nexperia USA Inc. PMV65Unear 0,0898
RFQ
 ECAD 3330 0,00000000 Nexperia USA Inc. Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV65 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-236AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 20 2.8a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 73mohm @ 2,8a, 4,5 1В @ 250 мк 6 NC @ 4,5 ± 8 v 291 PF @ 10 V - 940 м
BLC8G27LS-180AVZ Ampleon USA Inc. BLC8G27LS-180AVZ -
RFQ
 ECAD 7475 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Поднос Управо 65 ШASCI SOT-1275-3 BLC8 2,5 -ggц ~ 2,69 ggц LDMOS SOT-1275-3 СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.31.0001 20 ДОН, ОБИГИЯ ИСТОХАНЕК - 200 май 28 wt 14 дБ - 28
BLF6G20LS-110,112 Ampleon USA Inc. BLF6G20LS-110,112 -
RFQ
 ECAD 9410 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Поднос Управо 65 ШASCI SOT-502B BLF6G20 1,93 ~ 1,99 -е LDMOS SOT502B СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 20 29 а 900 млн 25 Вт 19db - 28
SPP11N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Spp11n60cfdxksa1 -
RFQ
 ECAD 7918 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 SPP11N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 650 11a (TC) 10 В 440MOHM @ 7A, 10V 5в @ 500 мк 64 NC @ 10 V ± 20 В. 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRF644L Vishay Siliconix IRF644L -
RFQ
 ECAD 4905 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 262-3 Long Hads, I²Pak, DO 262AA IRF644 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) I2pak - Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH *IRF644L Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 250 14a (TC) 10 В 280mohm @ 8.4a, 10 В 4 В @ 250 мк 68 NC @ 10 V ± 20 В. 1300 pf @ 25 v - -
FDZ3N513ZT Fairchild Semiconductor FDZ3N513ZT 0,3200
RFQ
 ECAD 25 0,00000000 Fairchild Semiconductor - МАССА Активна -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Пефер 4-xfbga, WLCSP МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 4-WLCSP (1x1) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 3000 П-канал 30 1.1a 462mom @ 300 мА, 4,5 1,5 В @ 250 мк 1 NC @ 4,5 +5,5, -300 мВ 85 pf @ 15 v Диджотки (Иолировананн) 1 yt (tta)
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC042NE7NS3GATMA1 3.0800
RFQ
 ECAD 34 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn BSC042 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TDSON-8-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 75 19A (TA), 100a (TC) 10 В 4,2mohm @ 50a, 10 В 3,8 В @ 91 мка 69 NC @ 10 V ± 20 В. 4800 PF @ 37,5 - 2,5 yt (ta), 125 yt (tc)
FDB2570 Fairchild Semiconductor FDB2570 1.4400
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Fairchild Semiconductor PowerTrench® МАССА Управо -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 150 22A (TA) 6 В, 10 В. 80mohm @ 11a, 10 В 4 В @ 250 мк 56 NC @ 10 V ± 20 В. 1911 PF @ 75 V - 93W (TC)
IRF9520PBF Vishay Siliconix IRF9520PBF 1.2900
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRF9520 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) *IRF9520PBF Ear99 8541.29.0095 50 П-канал 100 6.8a (TC) 10 В 600mohm @ 4.1a, 10 В 4 В @ 250 мк 18 NC @ 10 V ± 20 В. 390 PF @ 25 V - 60 yt (tc)
FDAF69N25 onsemi FDAF69N25 -
RFQ
 ECAD 4318 0,00000000 OnSemi Unifet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3 Full Pack FDAF69 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) To-3pf СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 250 34a (TC) 10 В 41mohm @ 17a, 10v 5 w @ 250 мк 100 NC @ 10 V ± 30 v 4640 PF @ 25 V - 115W (TC)
IRF7807D1 Infineon Technologies IRF7807D1 -
RFQ
 ECAD 1194 0,00000000 Infineon Technologies Fetky ™ Трубка Управо Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 95 N-канал 30 8.3a (TA) 4,5 В. 25mohm @ 7a, 4,5 1В @ 250 мк 17 NC @ 5 V ± 12 В. Диджотки (Иолировананн) 2,5 yt (TC)
94-2310 Infineon Technologies 94-2310 -
RFQ
 ECAD 6206 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB 94-2310 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 100 17a (TC) 4 В, 10 В. 100mohm @ 9a, 10 В 2 В @ 250 мк 34 NC @ 5 V ± 20 В. 800 pf @ 25 v - 3,8 yt (ta), 79 yt (tc)
SI7119DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7119DN-T1-GE3 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Активна -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 1212-8 SI7119 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® 1212-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 200 3.8a (TC) 6 В, 10 В. 1,05OM @ 1A, 10 В 4 В @ 250 мк 25 NC @ 10 V ± 20 В. 666 pf @ 50 v - 3,7 yt (ta), 52 yt (tc)
SFT1427-TL-E Sanyo SFT1427-TL-E 0,5600
RFQ
 ECAD 9 0,00000000 САНО * МАССА Активна SFT1427 - - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8542.39.0001 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть