SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Steйte odohstoчnica naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks)
IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies IRLR2905ZTRPBF 1.1300
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRLR2905 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 55 42a (TC) 4,5 В, 10. 13,5mohm @ 36a, 10v 3 В @ 250 мк 35 NC @ 5 V ± 16 В. 1570 PF @ 25 V - 110 yt (tc)
SN7002NE6327 Infineon Technologies SN7002NE6327 -
RFQ
 ECAD 4665 0,00000000 Infineon Technologies SIPMOS® МАССА Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-SOT23-3-5 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 N-канал 60 200 мая (таблица) 4,5 В, 10. 5OM @ 500 мА, 10 В 1,8 В @ 26 мка 1,5 NC @ 10 V ± 20 В. 45 pf @ 25 v - 360 м
SI6423DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6423DQ-T1-GE3 1.7700
RFQ
 ECAD 191 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) SI6423 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-tssop СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 12 8.2a (TA) 1,8 В, 4,5 В. 8,5mohm @ 9,5a, 4,5 800 мВ @ 400 мк 110 NC @ 5 V ± 8 v - 1,05.
FDB024N04AL7 onsemi FDB024N04AL7 5.0100
RFQ
 ECAD 800 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-7, D²PAK (6 SVINOW + nwaudka) FDB024 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 263-7 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 40 100a (TC) 10 В 2,4MOM @ 80A, 10 В 3 В @ 250 мк 109 NC @ 10 V ± 20 В. 7300 pf @ 25 v - 214W (TC)
NVBG020N090SC1 onsemi NVBG020N090SC1 52 8300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 OnSemi Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-8, D²PAK (7 голов + TAB), TO-263CA NVBG020 Sicfet (kremniewый karbid) D2PAK-7 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 900 9.8a (ta), 112a (TC) 15 28mohm @ 60a, 15 В 4,3 - @ 20 мая 200 NC @ 15 V +19, -10 4415 PF @ 450 - 3,7 Вт (ТА), 477W (TC)
QH8K26TR Rohm Semiconductor QH8K26TR 0,9900
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Активна 150 ° C (TJ) Пефер 8-SMD, Плоскин С.С. QH8K26 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 1,1 yt (tat) TSMT8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 40 7A (TA) 38mohm @ 7a, 10v 2,5 h @ 1ma 2.9NC @ 5V 275pf @ 20 a. -
AOTF11C60_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF11C60_001 -
RFQ
 ECAD 5511 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- AOTF11 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 600 11a (TC) 10 В 440MOM @ 5,5A, 10 В 5 w @ 250 мк 42 NC @ 10 V ± 30 v 2000 pf @ 100 v - 50 yt (tc)
BUK7Y28-75B,115 Nexperia USA Inc. Buk7y28-75b, 115 1.2100
RFQ
 ECAD 9938 0,00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 Buk7y28 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 75 35,5а (TC) 10 В 28mohm @ 15a, 10v 4 В @ 1MA 21,2 NC @ 10 V ± 20 В. 1417 PF @ 25 V - 85W (TC)
RFP50N05L onsemi RFP50N05L -
RFQ
 ECAD 1508 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 RFP50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 N-канал 50 50a (TC) 4 В, 5V 22mohm @ 50a, 5v 2 В @ 250 мк 140 NC @ 10 V ± 10 В. - 110 yt (tc)
C3M0025065K Wolfspeed, Inc. C3M0025065K 28.1500
RFQ
 ECAD 1094 0,00000000 Wolfspeed, Inc. C3M ™ Трубка Активна -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-4 C3M0025065 Sicfet (kremniewый karbid) Дол. 247-4L СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 650 97a (TC) 15 34mohm @ 33,5a, 15 В 3,6 В @ 9,22 мА 112 NC @ 15 V +19, -8 В. 2980 PF @ 600 - 326W (TC)
FDU5N60NZTU onsemi Fdu5n60nztu -
RFQ
 ECAD 6764 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА FDU5N60 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak3 (ipak) СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5040 N-канал 600 4a (TC) 10 В 2OM @ 2A, 10 В 5 w @ 250 мк 13 NC @ 10 V ± 25 В 600 pf @ 25 v - 83W (TC)
2N7000G onsemi 2n7000g -
RFQ
 ECAD 3180 0,00000000 OnSemi - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 226-3, DO 92-3 ДДЛИННОГО ТЕЛА 2n7000 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-92 (DO 226) - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 1000 N-канал 60 200 мая (таблица) 4,5 В, 10. 5OM @ 500 мА, 10 В 3V @ 1MA ± 20 В. 60 PF @ 25 V - 350 мт (TC)
IRL2910PBF Infineon Technologies IRL2910PBF 2.9900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Трубка В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IRL2910 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 100 N-канал 100 55A (TC) 4 В, 10 В. 26 МОМ @ 29A, 10 В 2 В @ 250 мк 140 NC @ 5 V ± 16 В. 3700 PF @ 25 V - 200 yt (tc)
TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W, LQ 3.4800
RFQ
 ECAD 2719 0,00000000 Toshiba semiconductor и хraneneee Dtmosiv Lenta и катахка (tr) Активна 150 ° С Пефер 4-vsfn oftkrыtaiNavaIn-o МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 4-DFN-EP (8x8) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 650 13.7a (TA) 10 В 280mohm @ 6,9a, 10 3,5 В @ 690 мк 35 NC @ 10 V ± 30 v 1300 pf @ 300 - 139 Вт (TC)
IRF6894MTR1PBF Infineon Technologies IRF6894MTR1PBF -
RFQ
 ECAD 1055 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер DirectFet ™ IзOTRIGHYSKIй MX МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DirectFet ™ MX СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 25 В 32A (TA), 160A (TC) 4,5 В, 10. 1,3 мома @ 33а, 10 В 2.1 h @ 100 мк 39 NC @ 4,5 ± 16 В. 4160 pf @ 13 v Диджотки (Тело) 2.1W (TA), 54W (TC)
2SK3748-1E onsemi 2SK3748-1E -
RFQ
 ECAD 9720 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru SC-94 2SK3748 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-3PF-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 1500 4a (TA) 10 В 7om @ 2a, 10 В - 80 NC @ 10 V ± 20 В. 790 pf @ 30 v - 3W (TA), 65W (TC)
AO5803E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO5803E -
RFQ
 ECAD 5544 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер SOT-563, SOT-666 AO580 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 400 м SC-89-6 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 20 - 800mohm @ 600ma, 4,5 900 мВ @ 250 мк - 100pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
BUK9640-100A,118 NXP USA Inc. BUK9640-100A, 118 -
RFQ
 ECAD 8854 0,00000000 NXP USA Inc. * МАССА Активна BUK96 - Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800
BLF1046 Rochester Electronics, LLC BLF1046 73 2400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Rochester Electronics, LLC * МАССА Активна СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-BLF1046-2156 1
HUFA75329S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75329S3ST 0,4400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 55 49a (TC) 10 В 24mohm @ 49a, 10 В 4 В @ 250 мк 75 NC @ 20 V ± 20 В. 1060 pf @ 25 v - 128W (TC)
TQM032NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TQM032NH04CR RLG 4.0300
RFQ
 ECAD 1619 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ Automotive, AEC-Q101, PERFET ™ Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) PORхNOSTNOE -kreplepleniene, smaчivaemыйflank 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-pdfnu (4,9x5,75) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 40 23a (ta), 81a (TC) 7 В, 10 В. 3,2 мома @ 40а, 10 3,6 В @ 250 мк 67,5 NC @ 10 V ± 20 В. 4344 PF @ 25 V - 115W (TC)
TSM7ND65CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM7ND65CI 3.3700
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 ВАНАНСКОЙ ПРОПОРОВОВОВОВОЙ - Трубка Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-220-3 Full Pack, Иолированажа Кладка TSM7 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Ито-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 7A (TC) 10 В 1,35OM @ 1,8a, 10 В 3,8 В @ 250 мк 25 NC @ 10 V ± 30 v 1124 PF @ 50 V - 50 yt (tc)
SCH2301-TL-E onsemi SCH2301-TL-E 0,2400
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 OnSemi * МАССА Активна - Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 5000
FDME1034CZT onsemi FDME1034CZT 1.0500
RFQ
 ECAD 1449 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-ufdfn otkrыtai-anpeщadca FDME1034 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 600 м 6-микрот (1,6x1,6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 5000 N и п-канал 20 3.8a, 2.6a 66mohm @ 3,4a, 4,5 1В @ 250 мк 4,2NC @ 4,5 300pf @ 10 a. Logiчeskichй yrowenhe
RD3P100SNFRATL Rohm Semiconductor Rd3p100snfratl 1.6300
RFQ
 ECAD 617 0,00000000 ROHM Semiconductor Автомобиль, AEC-Q101 Lenta и катахка (tr) Активна 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 RD3P100 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 100 10А (таблица) 4 В, 10 В. 133mohm @ 5a, 10v 2,5 h @ 1ma 18 NC @ 10 V ± 20 В. 700 pf @ 25 v - 20 yt (tc)
AOTF2146L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF2146L 1.1619
RFQ
 ECAD 4981 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ Lenta и катахка (tr) Активна -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- AOTF2146 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 785-AOTF2146LTR Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 40 42A (TA), 80A (TC) 4,5 В, 10. 2,8mohm @ 20a, 10 В 2,5 -50 мк 70 NC @ 10 V ± 20 В. 3830 pf @ 20 v - 8,3 yt (ta), 29,5 yt (tc)
IPA028N08N3G Infineon Technologies IPA028N08N3G 3.8000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 3 МАССА Активна -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-111 СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 80 89a (TC) 6 В, 10 В. 2,8mohm @ 89a, 10v 3,5 -пр. 270 мк 206 NC @ 10 V ± 20 В. 14200 pf @ 40 v - 42W (TC)
PSMN7R5-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN7R5-25YLC, 115 -
RFQ
 ECAD 9686 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер SC-100, SOT-669 PSMN7 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) LFPAK56, Power-So8 - Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 25 В 56A (TC) 4,5 В, 10. 7,4mohm @ 15a, 10 В 1,95 Е @ 1MA 15 NC @ 10 V ± 20 В. 921 pf @ 12 v - 42W (TC)
NTD65N03RG onsemi NTD65N03RG -
RFQ
 ECAD 4788 0,00000000 OnSemi - Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 NTD65 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 75 N-канал 25 В 9.5A (TA), 32A (TC) 4,5 В, 10. 8,4mohm @ 30a, 10 В 2 В @ 250 мк 16 NC @ 5 V ± 20 В. 1400 pf @ 20 v - 1,3 yt (ta), 50 yt (tc)
KGF20N05D Renesas Electronics America Inc KGF20N05d -
RFQ
 ECAD 5698 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 20-Uflga, CSP KGF20 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2,5 yt (tat) 20-WLCSP (248x1,17) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 559-KGF20N05DTR Ear99 8541.29.0095 3000 2 n-kanalnый (dvoйnoй) obщiй ystotoчnik 5,5 В. 20А (TJ) 1,6mohm @ 10a, 4,5 900 мВ @ 250 мк 6,7nc @ 4,5 865pf @ 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть