SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
BSC027N03S G Infineon Technologies BSC027N03S G. -
RFQ
 ECAD 5533 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TDSON-8-1 СКАХАТА 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 5000 N-канал 30 25a (ta), 100a (TC) 4,5 В, 10. 2,7mohm @ 50a, 10 В 2V @ 90 мк 51 NC @ 5 V ± 20 В. 6540 PF @ 15 V - 2,8 yt (ta), 89 yt (tc)
PMCM440VNE084 Nexperia USA Inc. PMCM440VNE084 -
RFQ
 ECAD 8894 0,00000000 Nexperia USA Inc. * МАССА Актифен СКАХАТА Neprigodnnый 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.21.0095 9000
IRLR7843TRLPBF Infineon Technologies IRLR7843TRLPBF 1.6200
RFQ
 ECAD 38 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IRLR7843 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D-PAK СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 161a (TC) 4,5 В, 10. 3,3mohm @ 15a, 10 В 2,3 В @ 250 мк 50 NC @ 4,5 ± 20 В. 4380 PF @ 15 V - 140 Вт (TC)
SIHG73N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHG73N60E-GE3 12.6600
RFQ
 ECAD 7443 0,00000000 Виаликоеникс - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 SIHG73 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 600 73a (TC) 10 В 39mohm @ 36a, 10v 4 В @ 250 мк 362 NC @ 10 V ± 30 v 7700 pf @ 100 v - 520W (TC)
QS8J2TR Rohm Semiconductor QS8J2TR 0,9600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен 150 ° C (TJ) Пефер 8-SMD, Плоскин С.С. QS8J2 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 550 м TSMT8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 12 4 а 36mohm @ 4a, 4,5 1V @ 1MA 20nc @ 4,5 1940pf @ 6v Logiчeskichiй зastwor, privod 1,5 В
APT20M18LVFRG Microchip Technology APT20M18LVFRG 33 5800
RFQ
 ECAD 1315 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS V® Трубка Актифен Чereз dыru 264-3, 264AA APT20M18 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 264 [L] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 200 100a (TC) 18mohm @ 50a, 10 В 4 В @ 2,5 мая 330 NC @ 10 V 9880 PF @ 25 V -
SPA03N60C3XK Infineon Technologies SPA03N60C3XK 1.0000
RFQ
 ECAD 8162 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-111 СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 600 3.2a (TC) 10 В 1,4om @ 2a, 10v 3,9 В @ 135 мк 17 NC @ 10 V ± 20 В. 400 pf @ 25 v - 29,7 Вт (TC)
SUD17N25-165-E3 Vishay Siliconix SUD17N25-165-E3 -
RFQ
 ECAD 1751 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 SUD17 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 250 17a (TC) 10 В 165mohm @ 14a, 10v 4 В @ 250 мк 42 NC @ 10 V ± 20 В. 1950 PF @ 25 V - 3W (TA), 136W (TC)
BUK7C10-75AITE,118 NXP Semiconductors BUK7C10-75AITE, 118 1.4100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Nxp poluprovoDonnyki Automotive, AEC-Q101, Trenchmos ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-7, D²PAK (6 SVINOW + nwaudka) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2PAK-7 СКАХАТА Продан DOSTISH 2156-Buk7c10-75aite, 118-954 1 N-канал 75 75A (TC) 10 В 10 месяцев @ 50a, 10 В 4 В @ 1MA 121 NC @ 10 V ± 20 В. 4700 pf @ 25 v О том, как 272W (TC)
AOTF10N60_006 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF10N60_006 -
RFQ
 ECAD 1940 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- AOTF10 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) DO-220F СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 600 10a (TC) 10 В 750MOHM @ 5A, 10 В 4,5 -50 мк 40 NC @ 10 V ± 30 v 1600 pf @ 25 v - 50 yt (tc)
BUK9524-55A,127 NXP USA Inc. BUK9524-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 7249 0,00000000 NXP USA Inc. Трентмос ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 BUK95 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 55 46A (TC) 4,5 В, 10. 21,7mohm @ 25a, 10 В 2V @ 1MA ± 10 В. 1815 PF @ 25 V - 105 Вт (ТС)
FQA24N50F_F109 onsemi FQA24N50F_F109 -
RFQ
 ECAD 2501 0,00000000 OnSemi FRFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 FQA2 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 с СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 500 24а (TC) 10 В 200 месяцев @ 12a, 10 В 5 w @ 250 мк 120 NC @ 10 V ± 30 v 4500 pf @ 25 v - 290 Вт (ТС)
STS4C3F60L STMicroelectronics STS4C3F60L -
RFQ
 ECAD 5319 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) STS4C МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 2W 8 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N и п-канал 60 4а, 3а 55mohm @ 2a, 10 В 1В @ 250 мк 20.4nc @ 4,5 1030pf @ 25V Logiчeskichй yrowenhe
STF42N65M5 STMicroelectronics STF42N65M5 5.8557
RFQ
 ECAD 1456 0,00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ V. Трубка Актифен 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- STF42 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220FP СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 497-8895-5 Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 650 33a (TC) 10 В 79mohm @ 16.5a, 10 5 w @ 250 мк 100 NC @ 10 V ± 25 В 4650 pf @ 100 v - 40 yt (tc)
BLF244,112 Ampleon USA Inc. BLF244,112 -
RFQ
 ECAD 7752 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Поднос Управо 65 ШASCI SOT-123A 175 мг МОСС CRFM4 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 20 N-канал 3A 25 май 15 Вт 17 ДБ - 28
IXFK80N15Q IXYS Ixfk80n15q -
RFQ
 ECAD 8258 0,00000000 Ixys Hiperfet ™, Q Class Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 264-3, 264AA IXFK80 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-264AA (IXFK) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 25 N-канал 150 80a (TC) 10 В 22,5mohm @ 40a, 10 В 4V @ 4MA 180 NC @ 10 V ± 20 В. 4500 pf @ 25 v - 360 Вт (TC)
HUF75345S3 onsemi HUF75345S3 -
RFQ
 ECAD 7505 0,00000000 OnSemi Ultrafet ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB HUF75 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 400 N-канал 55 75A (TC) 10 В 7mohm @ 75a, 10v 4 В @ 250 мк 275 NC @ 20 V ± 20 В. 4000 pf @ 25 v - 325W (TC)
VMM1500-0075P IXYS VMM1500-0075P -
RFQ
 ECAD 1852 0,00000000 Ixys - Коробка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) ШASCI Y3-li Vmm МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) - Y3-li СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2 2 n-канал (Дзонано) 75 1500. 0,8mohm @ 1200a, 10 В 4 w @ 10ma 2480NC @ 10V - -
TN0610N3-G-P013 Microchip Technology TN0610N3-G-P013 1.0500
RFQ
 ECAD 2151 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Lenta и коробка (TB) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN0610 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО 92-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 100 500 май (TJ) 3 В, 10 В. 1,5 ОМа @ 750 мА, 10 В 2V @ 1MA ± 20 В. 150 pf @ 25 v - 1 yt (tc)
IRF7450TR Infineon Technologies IRF7450TR -
RFQ
 ECAD 3639 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 ТАКОГО СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 4000 N-канал 200 2.5A (TA) 10 В 170mohm @ 1,5a, 10 В 5,5 В @ 250 мк 39 NC @ 10 V ± 30 v 940 pf @ 25 v - 2,5 yt (tat)
NTMFS4H01NFT1G onsemi NTMFS4H01NFT1G -
RFQ
 ECAD 3683 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 8-powertdfn, 5лидо NTMFS4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 5-DFN (5x6) (8-sofl) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 25 В 54a (ta), 334a (TC) 4,5 В, 10. 0,7 м 2.1 h @ 250 мк 82 NC @ 10 V ± 20 В. 5538 PF @ 12 V - 3,2 yt (ta), 125w (tc)
ZSPM9000AI1R onsemi Zspm9000ai1r -
RFQ
 ECAD 6427 0,00000000 OnSemi * МАССА Управо ZSPM90 - Neprigodnnый DOSTISH Управо 0000.00.0000 1
IRF1404STRR Infineon Technologies IRF1404strr -
RFQ
 ECAD 6396 0,00000000 Infineon Technologies Hexfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 40 162a (TC) 10 В 4mohm @ 95a, 10v 4 В @ 250 мк 200 NC @ 10 V ± 20 В. 7360 PF @ 25 V - 3,8 Вт (TA), 200 st (TC)
AOK160A60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK160A60 3.0206
RFQ
 ECAD 3390 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Amos5 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 AOK160 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 600 24а (TC) 10 В 160mohm @ 12a, 10v 3 В @ 250 мк 46 NC @ 10 V ± 20 В. 2340 pf @ 100 v - 250 yt (TC)
RJK0395DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc RJK0395DPA-00#J5A 0,5100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - МАССА Управо 150 ° C (TJ) Пефер 8-wfdfn otkrыtai-anploщadca МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-WPAK СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 30А (ТА) 7,7mohm @ 15a, 10 В - 11 NC @ 4,5 1670 pf @ 10 v - 30 yt (tc)
FCPF260N65FL1-F154 onsemi FCPF260N65FL1-F154 2.0758
RFQ
 ECAD 6889 0,00000000 OnSemi FRFET®, Superfet® II Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- FCPF260 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 - Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH 488-FCPF260N65FL1-F154 Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 650 15a (TC) 260mohm @ 7,5a, 10 В 5 w @ 1,5 мая 60 NC @ 10 V ± 20 В. 2340 pf @ 100 v - 36W (TC)
AO4202_120 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4202_120 -
RFQ
 ECAD 5105 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) AO42 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 19a (TA) 4,5 В, 10. 5,3 мома @ 19a, 10 2,3 В @ 250 мк 35 NC @ 10 V ± 20 В. 2200 pf @ 15 v Диджотки (Тело) 3,1 yt (tat)
STD95N4F3 STMicroelectronics Std95n4f3 1.9400
RFQ
 ECAD 160 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ iii Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 Std95 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) Dpak СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 40 80a (TC) 10 В 6,5mohm @ 40a, 10 В 4 В @ 250 мк 54 NC @ 10 V ± 20 В. 2200 pf @ 25 v - 110 yt (tc)
FDB045AN08A0 onsemi FDB045AN08A0 3.8100
RFQ
 ECAD 2359 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB FDB045 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 75 19A (TA), 90A (TC) 6 В, 10 В. 4,5mohm @ 80a, 10 В 4 В @ 250 мк 138 NC @ 10 V ± 20 В. 6600 pf @ 25 v - 310W (TC)
FQPF6N70 onsemi FQPF6N70 -
RFQ
 ECAD 1889 0,00000000 OnSemi QFET® Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- FQPF6 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) TO-220F-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 700 3.5a (TC) 10 В 1,5 ОМ @ 1,75а, 10 В 5 w @ 250 мк 40 NC @ 10 V ± 30 v 1400 pf @ 25 v - 48 Вт (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть