SIC
close

Fets, Mosfets (55612)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Napraheneee - оинка Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta ЧastoTA Тела Синла - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Коунфигура ТИП ФЕТ Tykuщiй rerйting (amp) ТОК - ТЕСТР Питани - В.О. Прирост Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs Vgs (mmaks) Взёр. FET FUONKSHINA Rascenaonie -vlaasti (mmaks) Ш В конце
APT1003RBLLG Microchip Technology Apt1003rbllg 8.8800
RFQ
 ECAD 3326 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Power MOS 7® Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 APT1003 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-247 [B] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Q12300171 Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 1000 4a (TC) 10 В 3OM @ 2A, 10 В 5V @ 1MA 34 NC @ 10 V ± 30 v 694 PF @ 25 V - 139 Вт (TC)
SI7228DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7228DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7066 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 1212-8 Dual Si7228 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 23 wt PowerPak® 1212-8 Dual СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 2 n-канал (Дзонано) 30 26 а 20mohm @ 8.8a, 10 В 2,5 -50 мк 13NC @ 10V 480pf @ 15v -
IRFH7934TRPBF International Rectifier IRFH7934TRPBF 0,6000
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА Hexfet® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-Powertdfn МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8-PQFN (5x6) СКАХАТА Ear99 8542.39.0001 1 N-канал 30 24a (ta), 76a (TC) 4,5 В, 10. 3,5mohm @ 24a, 10 В 2,35 -псы 50 мк 30 NC @ 4,5 ± 20 В. 3100 pf @ 15 v - 3,1 yt (tat)
AOTF4N90_002 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF4N90_002 -
RFQ
 ECAD 2138 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Трубка Управо - - - AOTF4 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) - - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал - - - - - - -
AOD424G Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD424G 0,2270
RFQ
 ECAD 6638 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 AOD42 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252 (DPAK) СКАХАТА Rohs3 DOSTISH 785-AOD424GTR Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 20 30A (TA), 46A (TC) 2,5 В, 4,5 В. 4,9mohm @ 20a, 4,5 1,25 В @ 250 мк 45 NC @ 4,5 ± 12 В. 3300 pf @ 10 v - 6,2 yt (ta), 50 yt (tc)
IPU103N08N3 G Infineon Technologies IPU103N08N3 G. -
RFQ
 ECAD 4486 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 251-3 КОРОТКИЕЛИ, ИПАК, ДО 251АА IPU103N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO251-3 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1500 N-канал 80 50a (TC) 6 В, 10 В. 10,3mohm @ 46a, 10v 3,5 - @ 46 мк 35 NC @ 10 V ± 20 В. 2410 pf @ 40 v - 100 yt (tc)
STF26N65DM2 STMicroelectronics STF26N65DM2 2.1186
RFQ
 ECAD 8103 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- STF26 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220FP СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 650 20А (TC) 10 В 190mohm @ 10a, 10v 5 w @ 250 мк 35,5 NC @ 10 V ± 25 В 1480 pf @ 100 v - 30 yt (tc)
2SK2552C-T1-A Renesas Electronics America Inc 2SK2552C-T1-A 0,1000
RFQ
 ECAD 812 0,00000000 Renesas Electronics America Inc * МАССА Актифен СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.21.0095 3000
STP17NF25 STMicroelectronics STP17NF25 1.6700
RFQ
 ECAD 946 0,00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ II Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP17 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 250 17a (TC) 10 В 165mohm @ 8,5a, 10 4 В @ 250 мк 29,5 NC @ 10 V ± 20 В. 1000 pf @ 25 v - 90 Вт (TC)
DMG4800LK3-13 Diodes Incorporated DMG4800LK3-13 0,5800
RFQ
 ECAD 9337 0,00000000 Дидж - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 DMG4800 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 10А (таблица) 4,5 В, 10. 17mohm @ 9a, 10v 1,6 В @ 250 мк 8,7 NC @ 5 V ± 25 В 798 PF @ 10 V - 1,71 мкт (таблица)
SQS423ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS423ENW-T1_GE3 -
RFQ
 ECAD 6729 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 1212-8W SQS423 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® 1212-8W СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) 742-SQS423ENW-T1_GE3TR Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 30 16a (TC) 4,5 В, 10. 21mohm @ 12a, 10v 2,5 -50 мк 26 NC @ 4,5 ± 20 В. 1975 PF @ 15 V - 62,5 yt (TC)
AO4430L_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4430L_102 -
RFQ
 ECAD 3356 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) AO44 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 18a (TA) 4,5 В, 10. 5,5 мома @ 18a, 10 2,5 -50 мк 124 NC @ 10 V ± 20 В. 7270 PF @ 15 V - 3W (TA)
HUF76437S3ST Fairchild Semiconductor HUF76437S3ST 0,5200
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ultrafet ™ МАССА Управо -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) D2Pak (263) СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 800 N-канал 60 71a (TC) 4,5 В, 10. 14mohm @ 71a, 10v 3 В @ 250 мк 71 NC @ 10 V ± 16 В. 2230 pf @ 25 v - 155 Вт (TC)
STL86N3LLH6AG STMicroelectronics STL86N3LLH6AG 1.0131
RFQ
 ECAD 1416 0,00000000 Stmicroelectronics Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ H6 Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8-powervdfn STL86 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerFlat ™ (5x6) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 80a (TC) 4,5 В, 10. 5,2 мома @ 10,5a, 10 В 2,5 -50 мк 17 NC @ 4,5 ± 20 В. 2030 PF @ 25 V - 4 Вт (TA), 60 -чем (TC)
BLS9G2729LS-350U Ampleon USA Inc. BLS9G2729LS-350U -
RFQ
 ECAD 2243 0,00000000 Ampleon USA Inc. - Поднос Пркрэно 65 ШASCI SOT-502B BLS9 2,7 Гер LDMOS SOT502B СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0075 20 4 мка 400 май 350 Вт 14 дБ - 28
STP5N95K5 STMicroelectronics STP5N95K5 2.1100
RFQ
 ECAD 876 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh5 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 STP5N95 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 950 3.5a (TC) 10 В 2,5OM @ 1,5A, 10 В 5 w @ 100 мк 12,5 NC @ 10 V ± 30 v 220 pf @ 100 v - 70 Вт (TC)
SPB21N50C3ATMA1 Infineon Technologies SPB21N50C3ATMA1 4.9600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Lenta и катахка (tr) В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB SPB21N50 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO263-3-2 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 560 В. 21a (TC) 10 В 190mohm @ 13.1a, 10v 3,9 В @ 1MA 95 NC @ 10 V ± 20 В. 2400 pf @ 25 v - 208W (TC)
FDA38N30 Fairchild Semiconductor FDA38N30 -
RFQ
 ECAD 4934 0,00000000 Fairchild Semiconductor Unifet ™ МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru TO-3P-3, SC-65-3 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 12 вечера СКАХАТА 0000.00.0000 1 N-канал 300 38a (TC) 10 В 85mohm @ 19a, 10v 5 w @ 250 мк 60 NC @ 10 V ± 30 v 2600 pf @ 25 v - 312W (TC)
IPW65R019C7FKSA1 Infineon Technologies IPW65R019C7FKSA1 26.2000
RFQ
 ECAD 324 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ C7 Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IPW65R019 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO247-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 N-канал 650 75A (TC) 10 В 19mohm @ 58.3a, 10v 4 w @ 2,92 мая 215 NC @ 10 V ± 20 В. 9900 pf @ 400 - 446W (TC)
BSP324L6327 Infineon Technologies BSP324L6327 0,2900
RFQ
 ECAD 147 0,00000000 Infineon Technologies SIPMOS® МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 261-4, 261AA МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-SOT223-4-21 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 N-канал 400 170 май (таблица) 4,5 В, 10. 25om @ 170ma, 10 В 2,3 В @ 94 мка 5,9 NC @ 10 V ± 20 В. 154 PF @ 25 V - 1,8 yt (tat)
A5G26S008NT6 NXP USA Inc. A5G26S008NT6 13.0200
RFQ
 ECAD 5713 0,00000000 NXP USA Inc. - Lenta и катахка (tr) Актифен 125 Пефер 6-ldfn otkrыtaiNe-ploщadka 2496 гг ~ 2,69 гг. - 6-pdfn (4x4,5) СКАХАТА Ear99 8541.29.0095 5000 - - 17 млн 27 Дбм 18.4db - 48
UT6JA2TCR Rohm Semiconductor UT6JA2TCR 0,8300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-Powerfn UT6JA2 - 2W Huml2020L8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 2 P-KANOL (DVOйNOй) 30 4 а 70mohm @ 4a, 10v 2,5 h @ 1ma 6,7nc @ 10 a. 305pf @ 15v -
ISP13DP06NMSATMA1 Infineon Technologies ISP13DP06NMSATMA1 0,9000
RFQ
 ECAD 7726 0,00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Lenta и катахка (tr) Актифен - Пефер 261-4, 261AA ISP13DP06 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-SOT223 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 П-канал 60 2.8a (TA) - - - ± 20 В. - -
TPH3206LSGB Transphorm TPH3206LSGB -
RFQ
 ECAD 7726 0,00000000 Трансформ - Поднос Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 3-Powerdfn Ganfet (intrid galkina) 3-PQFN (8x8) СКАХАТА 3 (168 чASOW) 1707 TPH3206LSGB Ear99 8541.29.0095 1 N-канал 650 16a (TC) 8в 180mohm @ 10a, 8v 2,6 В 500 мк 6,2 NC @ 4,5 ± 18 v 720 PF @ 480 - 81 Вт (TC)
SQJQ144AER-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJQ144AER-T1_GE3 2.8300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Виаликоеникс Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер PowerPak® 8 x 8 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® 8 x 8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 2000 N-канал 40 575A (TC) 10 В 0,9 м 3,5 В @ 250 мк 145 NC @ 10 V ± 20 В. 9020 PF @ 25 V - 600 м (TC)
FDS7764A onsemi FDS7764A -
RFQ
 ECAD 5564 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) FDS77 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 8 лейт - 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 N-канал 30 15a (TA) 7,5mohm @ 15a, 4,5 2 В @ 250 мк 40 NC @ 4,5 3451 PF @ 15 V - -
SPP20N60S5 Infineon Technologies SPP20N60S5 -
RFQ
 ECAD 1909 0,00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 SPP20N МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PG-TO220-3-1 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 500 N-канал 650 20А (TC) 10 В 190mohm @ 13a, 10v 5,5 Е @ 1MA 103 NC @ 10 V ± 20 В. 3000 pf @ 25 v - 208W (TC)
FDP2710 onsemi FDP2710 4.3600
RFQ
 ECAD 6920 0,00000000 OnSemi PowerTrench® Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 FDP27 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 220-3 СКАХАТА Rohs3 Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 N-канал 250 50a (TC) 10 В 42,5mohm @ 25a, 10 В 5 w @ 250 мк 101 NC @ 10 V ± 30 v 7280 PF @ 25 V - 260 Вт (ТС)
SI7164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7164DP-T1-GE3 2.9100
RFQ
 ECAD 984 0,00000000 Виаликоеникс Trenchfet® Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер PowerPak® SO-8 SI7164 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) PowerPak® SO-8 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 60 60a (TC) 10 В 6,25mohm @ 10a, 10 a 4,5 -50 мк 75 NC @ 10 V ± 20 В. 2830 pf @ 30 v - 6,25 yt (ta), 104w (tc)
CSD17313Q2Q1 Texas Instruments CSD17313Q2Q1 0,7600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Тел Automotive, AEC-Q100, NEXFET ™ Lenta и катахка (tr) Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o CSD17313 МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) 6-Wson (2x2) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 N-канал 30 5А (TC) 3V, 8V 30mohm @ 4a, 8v 1,8 В @ 250 мк 2,7 NC @ 4,5 +10, -8 В. 340 PF @ 15 V - 2,3
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть