SIC
close

Одино -игб (5058)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta ТИПВ СИЛА - МАКС ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ИСЛОВЕЕ ИСПАН ВОЗНАЯ ВОЗНА ТИП ИГБТ Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) Vce (on) (max) @ vge, ic Переклхейн ЗArAd -vvoROT TD (ON/OFF) @ 25 ° C
RJH1CV5DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc RJH1CV5DPK-00#T0 -
RFQ
 ECAD 7957 0,00000000 Renesas Electronics America Inc - Трубка Управо 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3- Станода 245 Вт 12 с СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Rjh1cv5dpk00t0 Ear99 8541.29.0095 1 600 В, 25А, 5OM, 15 170 млн Поящь 1200 50 а 2.6V @ 15V, 25a 1,9mj (wklючeno), 1,5mj (OFF) 72 NC 42NS/105NS
IXYX100N120C3 IXYS IXYX100N120C3 25.6400
RFQ
 ECAD 4415 0,00000000 Ixys Genx3 ™, XPT ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ Ixyx100 Станода 1150 Вт Plus247 ™ -3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 600 В, 100A, 1 омер, 15 - 1200 188 А. 490 а 3,5- прри 15 В, Щеотушитель 6,5MJ (ON), 2,9MJ (OFF) 270 NC 32NS/123NS
MIW40N120FLA-BP Micro Commercial Co Miw40n120fla-bp 10.9600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 МИКРОМЕР СО - Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 MIW40 Станода 428 Вт DO-247AB СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 353-MIW40N120FLA-BP Ear99 8541.29.0095 1800 600V, 40a, 12OM, 15 В По -прежнему 1200 80 а 160 а 2,3 В @ 15 В, 40a 3,8MJ (ON), 1,7MJ (OFF) 330 NC 45NS/180NS
RGTH40TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH40TS65DGC11 1.8792
RFQ
 ECAD 9340 0,00000000 ROHM Semiconductor - Трубка В аспекте -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 RGTH40 Станода 144 Вт TO-247N СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 20., 10 ч, 15 58 м По -прежнему 650 40 А. 80 а 2.1V @ 15V, 20a - 40 NC 22ns/73ns
IRG6S320UTRLPBF Infineon Technologies IRG6S320UTRLPBF -
RFQ
 ECAD 2929 0,00000000 Infineon Technologies - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB IRG6S320U Станода 114 Вт D2Pak СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 800 196v, 12a, 10om Поящь 330 50 а 1,65 В @ 15 В, 24а - 46 NC 24ns/89ns
APT30GT60BRDQ2G Microchip Technology APT30GT60BRDQ2G -
RFQ
 ECAD 5717 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА Thunderbolt IGBT® Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 APT30GT60 Станода 250 Вт ДО-247 [B] СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 400 В, 30. 22 млн Npt 600 64 а 110 а 2,5 -прри 15-, 30А 80 мкд (на), 605 мк (выключен) 7,5 NC 12NS/225NS
IRGS4715DPBF International Rectifier IRGS4715DPBF 1.1500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB Станода 100 y D2Pak СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 50 400 В, 8а, 50 м, 15 В 86 м - 650 21 а 24 а 2V @ 15V, 8a 200 мкд (ON), 90 мкд (OFF) 30 NC 30NS/100NS
FGD3440G2 onsemi FGD3440G2 -
RFQ
 ECAD 8856 0,00000000 OnSemi Ecospark® Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 FGD3 Лейка 166 Вт 252AA СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 300 В, 6,5а, 1 кум, 5 - 400 26,9 а 1.2V @ 4V, 6a - 24 NC -/5,3 мкс
IRG4PH40UDPBF International Rectifier IRG4PH40UDPBF -
RFQ
 ECAD 4910 0,00000000 ДОДЕЛИНАРЕДНА - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 160 Вт ДО-247AC - Neprigodnnый 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 0000.00.0000 1 800 В, 21а, 10 м, 15 В 63 м - 1200 41 а 82 а 3,1 - 15 -й, 21а 1,8MJ (ON), 1,93MJ (OFF) 86 NC 46NS/97NS
IXYL60N450 IXYS Ixyl60n450 126.3500
RFQ
 ECAD 2223 0,00000000 Ixys XPT ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru Isoplusi5-pak ™ Ixyl60 Станода 417 Вт Isoplusi5-pak ™ СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Q9485533 Ear99 8541.29.0095 25 960 В, 60, 4,7 ОМ, 15 - 4500 В. 90 а 680 а 3,3- 15-, 60A - 366 NC 55NS/450NS
IRGP4266DPBF Infineon Technologies IRGP4266DPBF -
RFQ
 ECAD 9813 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 Станода 455 Вт ДО-247AC СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH SP001542370 Ear99 8541.29.0095 400 400V, 75A, 10OM, 15 В 170 млн - 650 140 А. 300 а 2.1V @ 15V, 75A 2,5mj (ON), 2,2MJ (OFF) 210 NC 50NS/200NS
ISL9V3036P3 Fairchild Semiconductor ISL9V3036P3 1.4100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Fairchild Semiconductor Ecospark® Трубка Управо -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Лейка 150 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 Ear99 8541.29.0095 400 300 В, 1 кум, 5 - 360 21 а 1,6 - @ 4V, 6a - 17 NC -/4,8 мкс
HGTH12N40C1D Harris Corporation HGTH12N40C1D -
RFQ
 ECAD 1099 0,00000000 ХArrISCORPORAHIN - МАССА Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru До-218-3 Иолированажа Кладка, 218AC Станода 75 Вт ДО 218 ИСЛОЛИРОВАН СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) Продан Ear99 8541.29.0095 1 - 100 млн - 400 12 а 17,5 а 3,2 В @ 20 В, 17,5а - 19 NC -
IXGT60N60C3D1 IXYS Ixgt60n60c3d1 -
RFQ
 ECAD 1714 0,00000000 Ixys Genx3 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-268-3, D³PAK (2 LEADS + TAB), TO-268AA Ixgt60 Станода 380 Вт DO-268AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 480V, 40A, 3OM, 15 25 млн Пет 600 75 а 300 а 2,5 -прри 15 -в, 40A 800 мкд (на), 450 мк (выключен) 115 NC 21ns/70ns
IKD03N60RFATMA1 Infineon Technologies IKD03N60RFATMA1 1.0300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IKD03N60 Станода 53,6 Вт PG-TO252-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 400 В, 2,5а, 68 Ом, 15 31 м По -прежнему 600 6,5 а 7,5 а 2,5 -пр. 15 В, 2,5а 50 мкд (на), 40 мкд (выключен) 17.1 NC 10NS/128NS
IRGBC30UD2 Infineon Technologies IRGBC30UD2 -
RFQ
 ECAD 8046 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 Станода 100 y ДО-220AB СКАХАТА Rohs 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 - 600 23 а 3V @ 15V, 12a
APT50GN120B2G Microchip Technology APT50GN120B2G 11.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА - Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru ДО 247-3 ВАРИАНТ APT50GN120 Станода 543 Вт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1 800 В, 50А, 2,2 ОМ, 15 Npt, ostanowopol 1200 134 а 150 А. 2.1V @ 15V, 50a 4495 мкж (vыklючen) 315 NC 28ns/320ns
AOTF5B65M1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF5B65M1 1.4400
RFQ
 ECAD 907 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha Igbt ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 AOTF5 Станода 25 Вт ДО-220 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 785-1773 Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 5А, 60OM, 15 195 м - 650 10 а 15 а 1,98 В @ 15V, 5A 80 мкд (на), 70 мкд (выключен) 14 NC 8,5NS/106NS
IKQ150N65EH7XKSA1 Infineon Technologies IKQ150N65EH7XKSA1 14.6900
RFQ
 ECAD 240 0,00000000 Infineon Technologies - Трубка Актифен СКАХАТА Neprigodnnый DOSTISH Ear99 8541.29.0095 240
RGT40NL65DGTL Rohm Semiconductor Rgt40nl65dgtl 3.1400
RFQ
 ECAD 5306 0,00000000 ROHM Semiconductor - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB RGT40 Станода 161 Вт LPDS СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 20., 10 ч, 15 58 м По -прежнему 650 40 А. 60 а 2.1V @ 15V, 20a - 40 NC 22NS/75NS
IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies IKW25N120H3FKSA1 7 9500
RFQ
 ECAD 519 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 IKW25N120 Станода 326 Вт PG-TO247-3-1 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 30 600 В, 25а, 23om, 15 290 м По -прежнему 1200 50 а 100 а 2.4V @ 15V, 25a 2.65MJ 115 NC 27ns/277ns
TIG062E8-TL-H onsemi TIG062E8-TL-H -
RFQ
 ECAD 2422 0,00000000 OnSemi - Lenta и катахка (tr) Управо 150 ° C (TJ) Пефер 8-SMD, Плоскин С.С. TIG062 Станода 8-ech СКАХАТА 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 3000 - - 400 150 А. 8 В @ 3V, 100a - -
IXXP50N60B3 IXYS Ixxp50n60b3 7.6221
RFQ
 ECAD 2664 0,00000000 Ixys XPT ™, Genx3 ™ Трубка Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IXXP50 Станода 600 Вт 220-3 СКАХАТА Rohs3 DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 360V, 36A, 5OM, 15 В 40 млн - 600 120 А. 200 А. 1,8 В @ 15 В, 36а 670 мкд (на), 1,2MJ (OFF) 70 NC 27ns/150ns
IXA4I1200UC-TRL IXYS IXA4I1200UC-TRL 1.2080
RFQ
 ECAD 8097 0,00000000 Ixys - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Пефер TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 IXA4I1200 Станода 45 Вт 252AA СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 2500 600 В, 3А, 330 д.Мов, 15 Пет 1200 9 а 2.1V @ 15V, 3A 400 мкд (wklючen), 300 мкд 12 NC -
AOKS40B60D1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOKS40B60D1 3.7900
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alpha Igbt ™ Трубка В аспекте -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 AOKS40 Станода 278 Вт 247 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 785-1759 Ear99 8541.29.0095 240 400 В, 40, 7,5 ОМ, 15 - 600 80 а 140 А. 2.4V @ 15V, 40a 1,55MJ (ON), 300 мкд (выключен) 45 NC 29ns/74ns
SFGH25N120FTDS onsemi SFGH25N120FTDS -
RFQ
 ECAD 1609 0,00000000 OnSemi Фт МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Чereз dыru 247-3 SFGH25N Станода 313 Вт 247-3 - DOSTISH 488-SFGH25N120FTDS Ear99 8541.29.0095 1 600 В, 25а, 10 м, 15 535 м По -прежнему 1200 50 а 75 а 2V @ 15V, 25a 1,42MJ (ON), 1,16MJ (OFF) 169 NC 26ns/151ns
IRG4CC80SB Infineon Technologies IRG4CC80SB -
RFQ
 ECAD 6542 0,00000000 Infineon Technologies - МАССА Управо -55 ° C ~ 150 ° С. Пефер Умират IRG4CC Станода Умират СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Управо 1 - - 600 - - -
STGB30M65DF2 STMicroelectronics STGB30M65DF2 3.3700
RFQ
 ECAD 59 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STGB30 Станода 258 Вт D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 30. 140 млн По -прежнему 650 60 а 120 А. 2V @ 15V, 30a 300 мкд (wklючen), 960 мкд (vыklючen) 80 NC 31.6ns/115ns
STGB10H60DF STMicroelectronics STGB10H60DF 1.9100
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Stmicroelectronics - Lenta и катахка (tr) Актифен -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Пефер TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB STGB10 Станода 115 Вт D²PAK (DO 263) СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 1000 400 В, 10A, 10OM, 15 107 м По -прежнему 600 20 а 40 А. 1,95, @ 15 В, 10a 83 мк (на), 140 мк (выключен) 57 NC 19.5ns/103ns
IKP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies IKP40N65H5XKSA1 4.6200
RFQ
 ECAD 7444 0,00000000 Infineon Technologies Trenchstop® Трубка Актифен -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Чereз dыru 220-3 IKP40N65 Станода 255 Вт PG-TO220-3 СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH Ear99 8541.29.0095 50 400 В, 20А, 15OM, 15 В 62 м - 650 74 а 120 А. 2.1V @ 15V, 40a 390 мкд (на), 120 мкд (выключен) 95 NC 22ns/165ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть